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EPC and Microchip Develop 300 W 16th Brick, 48 V – 12 V DC-DC Converter Demonstration Board for High-Density Computing and Data Centers

EPC and Microchip Develop 300 W 16th Brick, 48 V – 12 V DC-DC Converter Demonstration Board for High-Density Computing and Data Centers

The combination of Microchip Technology’s digital signal controllers with ultra-efficient eGaN® FETs from EPC (Efficient Power Conversion) enable best-in-class power density of 730 W/in3 for high efficiency, low cost DC-DC Conversion.

EL SEGUNDO, Calif.— July, 2020 — EPC announces the availability of the EPC9143, a 300 W DC-DC voltage regulator in 16th brick size. The EPC9143 power module integrates Microchip’s dsPIC33CK digital signal controller (DSC) with the latest generation EPC2053 eGaN FETs from EPC to achieve 96% efficiency in a 48 V input to 12 V output conversion at 25 A.  The switching frequency of 500 kHz enables the 300 W in the very small 16th brick format which is just 33 mm x 22.9 mm (1.3 x 0.9 in). Additional phases can be added to this scalable 2-phase design to further increase power. The flexibility of the Microchip digital controllers allows the input voltage to be adjusted from 8 V – 72 V and the output voltage from 3.3 V – 25 V.

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Class D audio, Gallium-Nitride versus Silicon – Virtual Roundtable (part 2 of 2)

Class D audio, Gallium-Nitride versus Silicon – Virtual Roundtable (part 2 of 2)

In this second part of EEWorld’s “virtual roundtable” discussion on Class D audio, our panelists delve into the impact that the emergence of gallium-nitride (GaN) is having on Class D designs: Where are silicon devices still dominant? What are the performance benefits of using GaN in Class D amplifiers? And what are the anticipated future trends of GaN versus Silicon in Class D amplifiers? Joining us for this virtual roundtable are Joshua LeMaire (JL), Audio Systems Architect at Analog Devices; Steve Colino (SC), Vice President Strategic Technical Sales with Efficient Power Conversion; and Jens Tybo Jensen (JTJ), Head of Application Engineering for Class D Audio at Infineon Technologies.

EEWorld Online
July, 2020
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GaN Transistor for Space Missions

GaN Transistor for Space Missions

GaN power transistors are an ideal choice for power and RF applications to support extreme space missions. Through its new eGaN® solutions, EPC Space guarantees radiation hardness performance and SEE (single-event effects) immunity, with devices that are specifically designed for critical applications in commercial satellite space. These devices have exceptionally high electron mobility and a low-temperature coefficient with very low RDS(on) values.

EETimes
July, 2020
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エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・パワー・デバイスの放射線特性

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・パワー・デバイスの放射線特性

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)技術は、これまで実現できなかった高周波、高効率、高電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。 eGaNデバイスは、シリコンMOSFETと比べて、優れた耐放射線性も示します。

独Bodo’s Power Systems
2020年6月
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Efficient Power Conversion(EPC)、ユーザーのアプリケーションに搭載した高電力密度eGaN FETとePower Stage ICを展示へ:PCIM Europe 2020 Digital Daysで

Efficient Power Conversion(EPC)、ユーザーのアプリケーションに搭載した高電力密度eGaN FETとePower Stage ICを展示へ:PCIM Europe 2020 Digital Daysで

Efficient Power Conversion(EPC)は、最新のePower™ Stage ICファミリーの製品をPCIM Europe 2020 Digital Daysで展示し、GaN技術の優れた性能が、コンピューティング、通信、ロボット、輸送への電力供給をどのように変えているかを示します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月24日、当社のチームが、7月7〜8日に開催されるPCIM Europe 2020 Digital Daysで3件の技術プレゼンテーションを行い、窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションに関する2件のパネル・ディスカッションに参加すると発表しました。さらに、イベントの仮想展示にも参加し、eGaN技術を迅速に採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを出展します。

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GaNとSiCのための信頼性の向上

GaNとSiCのための信頼性の向上

これらのチップが根付いている理由と、まだ対処する必要があるもの。窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)のパワー・デバイスのサプライヤは、いくつかの新しい印象的な仕様で製品の次の波を広げています。しかし、これらのデバイスがシステムに組み込まれる前に、それらが信頼できることを証明する必要があります。

米Semiconductor Engineering
2020年6月
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Efficient Power Conversion(EPC)と米VPT社、合弁会社EPC Space社を設立:ミッション・クリティカルな用途向けの耐放射線パワー・エレクトロニクス市場を狙う

Efficient Power Conversion(EPC)と米VPT社、合弁会社EPC Space社を設立:ミッション・クリティカルな用途向けの耐放射線パワー・エレクトロニクス市場を狙う

合弁企業であるEPC Space社は、先進的な高信頼性の窒化ガリウム(GaN)電力変換ソリューションを環境が厳しい宇宙やその他の高信頼性環境に提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)と米 HEICO社(NYSE:HEI.A)(NYSE:HEI)傘下の米VPT社は6月16日、衛星や高信頼性用途向けパッケージに封止し、テストし、認定された耐放射線特性を強化した(Rad Hard)GaNオン・シリコンのトランジスタとICの設計と製造に焦点を当てた合弁会社EPC Space社を設立したと発表しました。

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シリコンは死んでいる・・・そして、ディスクリート・パワー・デバイスは死にかけている

シリコンは死んでいる・・・そして、ディスクリート・パワー・デバイスは死にかけている

40年以上にわたって、パワーMOSFETの構造、技術、回路構成の革新が電力に対する拡大するニーズに対応していたため、パワー・マネージメント(電源管理)の効率とコストは着実に向上しています。しかし、新しいミレニアムでは、シリコンのパワーMOSFETが理論上の限界に近づくにつれて、改善率は劇的に鈍化しています。同時に、新しい材料である窒化ガリウム(GaN)は、成熟したシリコンMOSFETの6000倍、現在市場に出ている最高のGaN製品の300倍の理論的性能限界に向けた旅を着実に進めています。

米EE Times誌
2020年6月
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超薄型降圧コンバータの設計:多相対マルチレベル

超薄型降圧コンバータの設計:多相対マルチレベル

過去10年間で、コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、および、その他の民生用電子機器システムは、より薄くなると同時に、より大電力にもなりました。結果として、これらの市場は、より大きな電力密度を備えたより薄型の電源ソリューションに対する需要を拡大し続けています。この記事では、さまざまな非絶縁型DC-DC降圧構成を、48 V〜20 V、250 Wの超薄型電源ソリューションに採用することの実現可能性について検討します。

米How2Power誌
2020年5月
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イーモビリティ向けの集積化されたGaNパワー段

イーモビリティ向けの集積化されたGaNパワー段

ブラシレスDC(BLDC)モーターは人気のある選択肢であり、ロボット、ドローン、電動自転車、電動スクータでの用途で広がっています。これらの用途はすべて、サイズ、重さ、コスト、効率に特に敏感です。モノリシック集積化されたGaNパワー段は、スイッチング損失が低く、サイズと重さが大幅に削減された400 W対応のBLDCモーターに電力を供給できることが実証されています。

英Power Electronics Europe誌
2020年5月
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GaNの集積化したパワー段:電力変換を再定義

GaNの集積化したパワー段:電力変換を再定義

性能とコストの改善だけでなく、電力変換市場に影響を与えるGaN技術の最も重要なチャンスは、同じ基板上に複数のデバイスを集積化できる本質的な能力にあります。標準のシリコンIC技術とは対照的に、GaN技術を使うと、設計者は、モノリシック・パワー・システムを、より簡単でコスト効率の高い方法でワン・チップに集積できます。

独Bodo’s Power Systems
2020年5月
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「仮想APEC」からのパワー製品ニュース

「仮想APEC」からのパワー製品ニュース

このストーリーの13ページ目から始まります。EPCはAPEC向けの最新のGaN開発についてDavid Morrisonと話しました。EPCのCEO(最高経営責任者)で共同創立者であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、自社の新しいパワー段IC、マルチレベル構成を採用したGaNベースのリファレンス・デザインの開発、および、元々、APEC向けだったさまざまなデモについて説明しました。

米How2Power Today誌
2020年4月
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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)技術を使った最先端技術で、人工知能、ロボット、ドローン、自動運転車、高品質オーディオ・システムの設計法を学ぶビデオを公開

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)技術を使った最先端技術で、人工知能、ロボット、ドローン、自動運転車、高品質オーディオ・システムの設計法を学ぶビデオを公開

EPCは、窒化ガリウムのFETとICを使った人工知能(AI)の高密度コンピューティングや、ロボット、ドローン、クルマ向けLidar、D級オーディオなどの最先端アプリケーションと信頼性に焦点を当てた教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズの追加モジュールを公開しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月22日、人気のあるビデオ・ポッドキャスト・シリーズ「GaNの利用法」を更新し、公開したと発表しました。このシリーズの今回の公開に含まれる6本のビデオは、GaN技術を使って、AI(人工知能)サーバーや超薄型ノートパソコン向けの最先端DC-DCコンバータや、ロボット、ドローン、自動運転車向けのLidar(光による検出と距離の測定)、可能な限り最高品質のオーディオ・システムを設計することに役立つ実践的な例を提供します。

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GaNと48 V:どこに行くのか、どこに行こうとしているのか?

GaNと48 V:どこに行くのか、どこに行こうとしているのか?

3年前、中耐圧のeGaN FETの製造コストは、同等の定格のパワーMOSFETのコストを下回りました。当時、EPCはeGaN FETの性能とコスト上の利点を利用して、入力または出力の電圧が約48 Vのアプリケーションを積極的に追求することにしました。具体的には、自動車やコンピュータのアプリケーションでは、パワー・システムにおいて、48 V変換が新しいアーキテクチャ、新しい標準になりつつあります。

米Power Systems Design誌
2020年3月31日
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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム・デバイスを故障するまでテストし、シリコンのパワーMOSFETに匹敵する耐久性を実証:第11弾の信頼性レポートを発行

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム・デバイスを故障するまでテストし、シリコンのパワーMOSFETに匹敵する耐久性を実証:第11弾の信頼性レポートを発行

EPCの信頼性レポートのフェーズ11が、これまでの10件のレポートで公開された知識ベースに追加されます。このレポートによって、EPCは、1230億デバイス時間の実地経験と、シリコンのパワー・デバイスに匹敵する耐久性を実証しています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月2日、信頼性レポートのフェーズ11を発表しました。このレポートで、驚くべきフィールド信頼性記録を実現するために採用した戦略を文書化しています。この戦略は、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)LTE基地局、車両のヘッドランプ、衛星など、要求の厳しいアプリケーションに対応するより丈夫な製品を製作するために、さまざまな条件下で、デバイスを故障するまで強制的にテストすることに基づいています。

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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)のパワー・トランジスタと集積回路に関する人気のビデオ・ポッドキャスト・シリーズの更新を発表

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)のパワー・トランジスタと集積回路に関する人気のビデオ・ポッドキャスト・シリーズの更新を発表

EPCは、テキスト『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』の第3版に基づいて、窒化ガリウムのFETとICを使うLidar、DC-DC変換、ワイヤレス・パワーなどの理論、設計の基本、およびアプリケーションに関する14部構成の教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズの前半を更新しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月31日、人気のあるビデオ・ポッドキャスト・シリーズ「GaNの利用法」を更新し公開したと発表しました。これらの更新したビデオは、最近発行された第3版のテキストGaN Transistors for Efficient Power Conversionに基づいています。この14部構成の教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズは、パワー・システムの設計技術者に、窒化ガリウム・ベースのトランジスタと集積回路を使って、より高効率な電力変換システムを設計する方法に関する技術的な基礎とアプリケーションに焦点を当てたツール・セットを提供するように構成されています。

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窒化ガリウムの集積化:技術的な障壁を素早く打破する

窒化ガリウムの集積化:技術的な障壁を素早く打破する

GaNオン・シリコン基板を使って形成した集積回路は、5年以上にわたって製造されています。この究極の目標は、マイクロコントローラからのシンプルなデジタル入力によって、あらゆる条件下で、可能な限り小さなスペースで経済的に負荷を効率的かつ確実に駆動する電力出力を生成する単一のICを実現することです。ディスクリートのパワー・トランジスタは、シリコン・ベースでもGaNオン・シリコンでも、最終段階に入っています。集積化されたGaNオン・シリコンは、必要な作業を大幅に削減し、より小さな実装面積でより高い性能を提供できます。

IEEE Power Electronics Magazine誌
2020年3月
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電力用途向けGaNトランジスタ

電力用途向けGaNトランジスタ

シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。パワー・エレクトロニクス業界は、シリコンMOSFETの理論的限界に達しているとみており、今、新しい要素に移行する必要があります。窒化ガリウムGaNは、移動度の高いHEMT(高電子移動度トランジスタ)であり、新しい用途に見合った真の付加価値を提供します。

米Power Electronics News誌
2020年3月25日
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Efficient Power Conversion(EPC)、ePower Stage ICファミリーを製品化、電力変換を再定義へ

Efficient Power Conversion(EPC)、ePower Stage ICファミリーを製品化、電力変換を再定義へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、DC-DC変換、モーター駆動、D級オーディオなどの高電力密度アプリケーション向けに、高性能で小型のソリューションを提供する最初の新しい集積回路(IC)ファミリーを製品化します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月17日、高密度コンピューティング用途やイーモビリティ用モーター駆動で使われる48 V入力のDC-DC変換向けに設計した耐圧80 V、12.5 Aのパワー段集積回路を製品化しました。

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