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米Freebird Semiconductor社とEPC社、衛星や過酷な環境の用途向けに耐放射線特性を強化した窒化ガリウムの電力変換システムの開発で協業

米Freebird Semiconductor社とEPC社、衛星や過酷な環境の用途向けに耐放射線特性を強化した窒化ガリウムの電力変換システムの開発で協業

Freebird Semiconductor社とEfficient Power Conversion(EPC)社は、eGaN®のパワー・トランジスタや集積回路を利用して、Freebird社が宇宙や過酷な環境の用途で信頼性高く使える製品を開発することで合意しました。

米Freebird Semiconductor社(本社:マサチューセッツ州ノース・アンドーバー)は2016年4月14日、エンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタのリーディング・プロバイダであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)と、EPC社のeGaN®技術を利用して、宇宙や過酷な環境の用途で信頼性高く使用できる製品を開発するための契約を締結したと発表しました。

Freebird Semiconductor社の社長兼CEO(最高経営責任者)のSimon Wainwright博士は、「当社は、過酷な環境や宇宙の用途で使用するために、高効率で耐放射線特性を強化した電力変換システムで使うための部品や回路の開発に焦点を当てています。GaN技術は、最新の高性能半導体材料を利用する宇宙のアプリケーションを可能にするでしょう。これに対し、これらのアプリケーションにシリコン・ベースの部品を使った場合、最新の性能曲線から遅れたシステムになってしまいます」とコメントしています。

「GaNデバイスの優れた導電性とスイッチング特性によって、システムの電力損失、サイズ、重量を大きく削減することができます。GaNデバイスは、過酷な環境条件および高放射線下で信頼性高く動作する能力が実証されていることに加えて、GaNの優れた最先端の性能によって、宇宙用途で非常に明るい未来を持っています。GaNベースの製品の開発でFreebird社を支援することを非常に喜んでいます」とEPC社のCEOで共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)博士は語っています。

両社は、電力システムの製品開発の協業に加えて、積極的に開発の成果を公開し、専門の会議で共同発表する予定です。この新たに出現した技術を急速に普及させることを促進するために、GaNの優れた性能と設計条件を業界の他の機関と共有することは重要です。

Freebird Semiconductor社について

Freebird Semiconductor 社は、商業用宇宙飛行の高信頼性のコミュニティに先進的なパワー半導体技術を提供する信頼性の高い窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)製品の国内(米国)メーカーです。

http://www.freebirdsemi.com

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Freebird: Jim Larrauri,  941.740.1909  [email protected]

EPC: Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。