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ルネサスエレクトロニクス、宇宙産業初の耐放射線100V/200V GaN FET電源ソリューションを発売

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ルネサスエレクトロニクス、宇宙産業初の耐放射線100V/200V GaN FET電源ソリューションを発売

ISL7002xSEH GaN FET とISL70040SEHローサイドGaN FETドライバが、打ち上げ機および人工衛星の電源供給を実現

先端の半導体ソリューションの主要サプライヤであるルネサスエレクトロニクス(本社:東京都江東区、証券コード:6723)は2月7日、宇宙産業初となる、耐放射線パッケージの窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)およびローサイドGaN FETドライバを発表しました。新製品は、打ち上げ機と人工衛星ならびにダウンホール掘削や高信頼性工業用途の1次および2次DC/DCコンバータ電源に使用可能です。これらのデバイスは、フェライト・スイッチ・ドライバ、モータ制御ドライバ回路、ヒータ制御モジュール、埋め込みコマンド・モジュール、100Vおよび28V電力調整、ならびに冗長スイッチング・システムを駆動します。

プレスリリース掲載ウエブサイトの米ビジネスワイヤ
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