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Efficient Power Conversion(EPC)、当社最高経営責任者で共同創立者が2019年のISPSD殿堂入りしたと発表

Efficient Power Conversion(EPC)、当社最高経営責任者で共同創立者が2019年のISPSD殿堂入りしたと発表

EPCは、当社CEO(最高経営責任者)で共同創立者であるAlex Lidow博士が2019年のISPSD殿堂入りしたと発表しました

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月29日、当社CEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)博士が2019年のISPSD殿堂入りしたと発表しました。この権威ある栄誉は、パワー半導体技術の進歩とISPSDの発展を支えることに貢献した功績に対して授与されました。この殿堂入りは、2019年5月20日に、中国の上海のMarriott Parkview Hotelで開催されたパワー半導体デバイスとICに関する国際シンポジウム第31回ISPSD(IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)2019で発表されました。

この栄誉に関して、ISPSD委員会に感謝の意を表し、Lidow博士は、「非常に名誉なことです。パワーMOSFETの基礎的な仕事をしてくれたTom Herman、および、シリコンを撃破できる窒化ガリウムのパワー・デバイスを開発するという私たちの使命に勇気を持って参加したEPCの共同創立者であるJoe CaoとBob Beach、彼らとこの名誉を共有したいと思います。GaNを使って新しい革新的な設計を追求しているユーザーのみなさんと一緒にこの仕事を続けられることを楽しみにしています」と述べています。

諮問委員会委員長のJohn Shen博士は、「Alex氏が今年、殿堂入りしたことを大変嬉しく思います。私たちの半導体産業への貢献は、私たちの世界全体の向上を促進し、私たちの生き方を変えるために、最も重要なことです。私たちの日常生活に欠かせないパワー半導体技術に対する貢献と革新への受賞者の絶え間ない努力を通して、私たちは、一層の貢献を続けていくつもりです」と語りました。

ISPSDについて

ISPSDは、パワー半導体のあらゆる分野における技術的な議論のための最高のフォーラムです。この会議は、4年ごとに世界各地で開催されます。ISPSDには、パワー・デバイスと集積回路の技術に関して、世界をリードするエキスパートや主導的企業が参加しています。1988年に東京で開催された最初の会議以来、ISPSDは、パワー半導体デバイスと集積回路のあらゆる面での技術的な議論のための最高の国際フォーラムとなっています。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡自動車パワー・インバータリモート・センシング技術(Lidar)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger (renee.yawger@epc-co.com)

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。