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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧200 VのeGaN FETファミリーを2倍高性能へ

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧200 VのeGaN FETファミリーを2倍高性能へ

これらの新世代の200 VのeGaN® FETは、48 V出力の同期整流、D級オーディオ、太陽光発電用マイクロインバータやオプティマイザ、マルチレベルの高電圧AC / DCコンバータに最適です。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は8月20日、耐圧200 VのeGaN FETである「EPC2215」と「EPC2207」を製品化し、既製の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。これらの最先端デバイスの用途には、D級オーディオ、同期整流、太陽光発電用MPPT(最大電力点追跡)、DC-DCコンバータ(ハードスイッチおよび共振)、マルチレベル高電圧コンバータなどがあります。

EPC2215(オン抵抗8 mΩ、パルス電流162 A)とEPC2207(22 mΩ、パルス電流54 A)は、前世代の200 VのeGaNデバイスに比べて大きさが約半分で、性能が2倍になっています。ベンチマークのシリコン・デバイスに対する性能の優位性は、さらに高くなります。 EPC2215は、オン抵抗が33%低くなっていますが、面積は1/15です。ゲート電荷(QG)は、新しい技術のシリコンMOSFETのベンチマークの1/10であり、すべてのeGaN FETと同様に逆回復電荷(QRR)がないため、歪みの小さいD級オーディオ・アンプに加えて、より高効率な同期整流器やモーター駆動回路を実現できます。

ベンチマークとなる200 VのシリコンFETと200 VのeGaN FETの性能比較

EPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、「この最新世代のeGaN FETは、小型かつ熱効率の高い大きさで、従来のMOSFETに匹敵する価格で、より高い性能が得られます。成熟したパワーMOSFETからGaNデバイスへの置き換えは必然であり、日々明らかになっています」と語っています。

EPCは、米テキサス大学オースティン校のSemiconductor Power Electronics Center(SPEC)と協力して、新しい200 VのデバイスであるEPC2215を使って、データセンターのアプリケーションに適した400 V、2.5 kW対応のeGaN FETベースの4レベル・フライング・キャパシタ型マルチレベル・ブリッジレス・トーテムポール整流器を開発しました。 テキサス大学オースティン校のAlex Huang教授は、「eGaN FETの優れた特性によって、このコンバータは高電力密度、超高効率、低高調波歪みを実現できました」とコメントしています。

 

米国での参考価格と入手方法

各製品と関連する開発基板やリファレンス・デザイン・ボードの価格を下の表に示します。 すべての製品と基板は、米Digi-Key社のウエブサイト(https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc)から入手できます。

)から入手できます。 2500個のリール購入時の単価 ハーフブリッジ
開発基板
基板の単価
EPC2215 2.84米ドル EPC9099 118.75ドル
EPC2207 1.49ドル EPC90124 118.75ドル