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Efficient Power Conversion(EPC)、最新の耐圧100 VのeGaN FETファミリーを製品化、シリコンMOSFETに対するベンチマーク性能を向上へ

Efficient Power Conversion(EPC)、最新の耐圧100 VのeGaN FETファミリーを製品化、シリコンMOSFETに対するベンチマーク性能を向上へ

これらの新世代の100 VのeGaN® FETは、48 V出力の同期整流、D級オーディオ、インフォテインメント、Lidarに最適です。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は9月22日、耐圧100 VのeGaN FETである「EPC2218」と「EPC2204」を製品化し、市販の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。これらの最先端デバイスのアプリケーションには、同期整流D級オーディオ、インフォテインメント・システム、DC-DCコンバータハードスイッチと共振)に加え、自動運転車や、ロボット、ドローン向けのLidar(光による検出と距離の測定)などがあります。

EPC22183.2 mΩ、パルス電流231 A)とEPC2204(6 mΩ、パルス電流125 A)は、前世代のeGaN FET製品と比べて、オン抵抗RDS(on)がほぼ20%小さく、直流定格が向上しています。ベンチマークのシリコン・デバイスに対する性能の優位性はさらに大きくなりました。

EPC2204はオン抵抗が25%小さくなりますが、サイズは1/3と小型です。ゲート電荷(QG)はシリコンMOSFETのベンチマークの半分以下であり、すべてのeGaN FETと同様に、逆回復電荷(QRR)がないため、低歪みのD級オーディオ・アンプ、および、より高効率な同期整流器やモーター駆動を実現できます。

ベンチマークの100 VのシリコンFETと100 VのeGaN FETの性能比較

EPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、「これらの新しい100 VのeGaN FETの優位性が明らかなので、高価になると思うでしょう。しかし、当社は、最先端の100 Vのトランジスタの価格を、成熟した前任者であるシリコン・パワーMOSFETに匹敵する価格に設定しています。設計者は、高性能、小型で、熱効率が高く、同等のコストのデバイスを利用できるようになります。パワーMOSFETからGaNデバイスへの置き換えは加速し続けています」と語っています。

米国での参考価格と入手方法

各製品と、関連する開発基板やリファレンス・デザイン・ボードの価格を下の表に示します。すべての製品と基板は、米Digi-Key社のウエブサイト(http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en)から入手できます。

型番 2500個のリール購入
時の単価
ハーフブリッジ
開発基板
基板の単価
EPC2218 $2.09 EPC90123 $118.75
EPC2204 $0.99 EPC9097 $118.75

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡自動車パワー・インバータリモート・センシング技術(Lidar)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger ([email protected])

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。