EPCは、40 V、3 mΩのeGaN^® FETであるEPC2055を発売し、高性能がかつ要求され、スペースに制約のある用途向けに、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で、信頼性の高いデバイスを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月17日、eGaN FET の「EPC2055」（3 mΩ、40 V）の発売によって、既製の低耐圧の窒化ガリウム・トランジスタの性能向上が進展すると発表しました。

このデバイスは、USB-Cバッテリー充電器や超薄型POL（負荷点）コンバータなど、スペースに制約のある形状での高性能が要求されるアプリケーションに最適です。EPC2055の高速スイッチング速度と超高効率が貢献する他の低耐圧用途には、LED（発光ダイオード）照明、12 V〜24 V入力のモーター駆動、ロボット、ドローン、自動運転車用向けLidar（光による検出と距離の測定）システムなどがあります。

「EPC2055は、GaN FET技術の急速な進歩の非常に良い例です。この40 Vのデバイスは、前世代の40 VのGaN FETと比べて、小型で寄生容量が少ないこと、および、低コストの両方を提供します。したがって、設計者に性能向上とコスト削減の両方を提供します」と共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。

開発基板

開発基板のEPC90132は、最大デバイス電圧40 V、最大出力電流25 A、ゲート駆動回路と、eGaNFET（EPC2055）のハーフブリッジを搭載しています。この面積2インチ×2インチ（50.8 mm×50.8 mm）の基板は、最適なスイッチング特性を実現するように設計されており、EPC2055を簡単に評価するためのすべての重要な部品を搭載しています。EPC2055とEPC90132はどちらも、米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）から入手でき、即座に配送されます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、自動車、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger 電話：1.908.475.5702、電子メール：[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。