ニュース

新製品発表、アプリケーション関連情報など、EPCからの最新ニュースと最新情報を得るために、今、登録してください。 EPCからの電子メール配信に登録する か、22828に「EPC」とテクスティングしてください

Efficient Power Conversion(EPC)、シリコンと同じBOM(部品表)点数で、12 V入力、48 V出力、 500 WのGaNブースト・コンバータのデモを実施、優れた効率と電力密度を実証へ

Efficient Power Conversion(EPC)、シリコンと同じBOM(部品表)点数で、12 V入力、48 V出力、 500 WのGaNブースト・コンバータのデモを実施、優れた効率と電力密度を実証へ

ルネサス エレクトロニクスの2相同期GaNブースト(昇圧型)・コントローラとEPC(Efficient Power Conversion)の超高効率eGaNeGaN® FETを組み合わせることで、高電力密度で低コストのDC-DC変換が可能になります。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2022年1月4日、12 V入力を48 V出力に変換する500 WのDC-DCデモ・ボード「EPC9166」を製品化したと発表しました。このデモ・ボードEPC9166は、EPCの最新世代eGaN FET のEPC2218と、ルネサス エレクトロニクスの80 V の2相同期ブースト(昇圧型)・コントローラISL81807を搭載し、スイッチング周波数500 kHzで12 V入力から48 Vの安定化出力への変換で、効率96.5%以上を実現できます。出力電圧は、36 V、48 V、60 Vに構成できます。この基板は、ヒートシンクなしで480 Wの電力を供給できます。

安定化DC-DCブースト・コンバータは、データセンター、コンピューティング、自動車のアプリケーションで広く使われており、公称12 Vを、他の出力電圧の中で、特に48 Vの分配バス電圧に変換します。この技術の流れは主に、電力密度の向上に向かっています。

eGaN® FET は、これらの最先端のアプリケーションにおける電力密度の厳しい要件を満たすことができる高速スイッチング、高効率、小型化を提供します。EPC2218は、市場で最も小型で最も効率が高い100 VのFETです。ISL81807は、最高2 MHzの周波数をサポートし、GaNドライバを統合した業界初の80 Vのデュアル出力/2相(単一出力)の同期バック・コントローラです。ISL81807は、電流モード制御を採用し、2つの独立した出力、またはインタリーブした2相を出力できます。電流の共有、より多くのコントローラ/より多くの相を並列化するための同期、強化された軽負荷時の効率、および低い遮断電流をサポートしています。ISL81807は、EPCのGaN FETを直接駆動でき、設計が容易で、部品点数が少なく、ソリューション・コストを削減できます。

EPCのCEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、「ルネサスのコントローラICによって、GaNの利用が一段と容易になります。ルネサスと協力して、先進的なコントローラとGaNの性能の利点を組み合わせて、効率を高め、電力密度を高め、システム・コストを削減する部品点数の少ないソリューションをユーザーに提供できることをうれしく思います」と述べています。

ルネサスのモビリティ、産業、インフラストラクチャ・パワー部門バイス・プレジデントであるAndrew Cowellは、「当社のISL81807は、高電力密度ソリューション向けにGaN FETの高性能を十分に活用できるように設計されています。MCU(マイクロコントローラ・ユニット)、電流検出オペアンプ、外付けドライバ、バイアス電源を必要としないため、GaNソリューションのBOM(部品表)コストを削減できます。このICは、完全に保護されており、GaNのドライバを統合しています。 ISL81807を使うと、GaN FETを使った設計は、シリコン・ベースのFETを使った設計と同じくらい簡単です」と語っています。

米国での参考価格と入手方法

デモ・ボードのEPC9166の単価は300.00米ドルで、米Digi-Key社のウエブサイト(https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc)から購入でき、即座に配送されます。

サンプル、資料、評価ツールなど、ISL81807の詳細については、ルネサスのウエブサイト(renesas.com/isl81807)をご覧ください。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡自動車パワー・インバータリモート・センシング技術(Lidar)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion:Renee Yawger 電話:1.908.475.5702、電子メール:[email protected]

ルネサス エレクトロニクス:Don Parkman 電話:1-408-887-4308 電子メール:[email protected]