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eGaN FET対シリコンのパワー決戦Volume 13、Part 2:最適なプリント回路基板のレイアウト

分類: 記事

eGaN FET ベースのPOL(負荷点)バック・コンバータ用プリント回路基板のレイアウトを最適化することは、寄生成分を低減するので、従来のMOSFETベースの設計に比べて、効率の向上、スイッチング速度の高速化、デバイスの電圧オーバーシュートの低減につながります。

By David Reusch博士、Efficient Power Conversionのアプリケーション部門ディレクタ

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