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Data center power in 2019

Data center power in 2019
It is expected that there will be more than 175 zettabytes of data by 2025. Data center construction and deployment, as well as upgrading efforts in existing older ones, is booming with the advent of 5G, starting in earnest at the 2020 Olympics in Japan (6G is already being discussed for future development) and the growth of artificial intelligence (AI) and machine learning (ML). It makes so much sense to me that GaN should be the power transistor of choice in Data Center power architectures where size, efficiency and speed are critical. In all the topologies with 48 VIN, the highest ... 続きを読む
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Efficient Power Conversion(EPC)と米Spirit Electronics、eGaNパワー・デバイス向けデータ・パックを提供へ

Efficient Power Conversion(EPC)と米Spirit Electronics、eGaNパワー・デバイス向けデータ・パックを提供へ
EPC(Efficient Power Conversion)は、米Spirit Electronicsと提携し、業界をリードする当社の窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスに関連する製造ロット固有のデータ・サービスを提供します。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月11日、業界をリードする当社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)・デバイス向けに、製造ロット固有の広範なデータ・サービスを提供するために、米Spirit Electronicsと提携したと発表しました。 「Spirit Electronicsとの提携は、同社の広範な経歴、および、防衛や航空宇宙のユーザーとの協業での実績のある成功例を補う機会をEPCに提供します。当社のeGaNパワー半導体製品に関連したロット固有のデータ・サービスを提供することで、要求の厳しいこれらの用途に付加価値をもたらすことができます」とEPCのCEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。 続きを読む

GaNがシリコン・パワーMOSFETに正面攻撃へ

GaNがシリコン・パワーMOSFETに正面攻撃へ

今日のGaN FETは、サイズと特性が急速に向上しています。このベンチマーク・デバイスは、まだ、その理論上の性能限界から300倍も離れています。初期のGaNの採用者は、速度が必要でした。大きな例には、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)システム、ドローン、ロボット、4G / LTE基地局があります。この量は増えており、今やGaNパワー・デバイスの価格は、より遅く、より大きく、そして老朽化しているパワーMOSFETと同等レベルになっています。そして、GaNの正面攻撃の時が来ました!

独Bodo’s Power Systems
2019年6月
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Efficient Power Conversion(EPC)、eGaNパワー・デバイスをウエハーの形で提供すると発表

Efficient Power Conversion(EPC)、eGaNパワー・デバイスをウエハーの形で提供すると発表

EPC(Efficient Power Conversion)は、パワー・システムの統合を容易にするため、業界をリードする窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスをウエハーの形態で提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月4日、統合化を容易にするため、業界をリードするエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)・デバイスをウエハーの形で提供すると発表しました。当社のeGaN® FETとICはこれまで、切り出したチップを、はんだバーまたははんだバンプを備えたチップスケール・デバイスとして販売していました。

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Efficient Power Conversion(EPC)、当社最高経営責任者で共同創立者が2019年のISPSD殿堂入りしたと発表

Efficient Power Conversion(EPC)、当社最高経営責任者で共同創立者が2019年のISPSD殿堂入りしたと発表

EPCは、当社CEO(最高経営責任者)で共同創立者であるAlex Lidow博士が2019年のISPSD殿堂入りしたと発表しました

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月29日、当社CEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)博士が2019年のISPSD殿堂入りしたと発表しました。この権威ある栄誉は、パワー半導体技術の進歩とISPSDの発展を支えることに貢献した功績に対して授与されました。この殿堂入りは、2019年5月20日に、中国の上海のMarriott Parkview Hotelで開催されたパワー半導体デバイスとICに関する国際シンポジウム第31回ISPSD(IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)2019で発表されました。

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台湾のjjPlus社が情報技術の展示会Computex 2019で次世代ワイヤレス・パワーやWiFiソリューションを展示へ

台湾のjjPlus社が情報技術の展示会Computex 2019で次世代ワイヤレス・パワーやWiFiソリューションを展示へ

無線技術を使って、jjPlusと共に、あなたのソリューションの潜在能力を最大限に引き出しましょう!

高品質の無線通信やワイヤレス・パワーの組み込みソリューションの設計メーカーである台湾のjjPLus社は5月21日、5月28日~6月1日に台湾の台北で開催されるCOMPUTEX 2019の会場Nangang Exhibition Center(南港展覧館)のホール1、ブース番号K1024で、次世代のワイヤレス・パワー伝送および新しいWiFiソリューションを展示すると発表しました。

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GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計

GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計

eGaN FETとICは、その小型、超高速スイッチング、低オン抵抗によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータ設計を可能にします。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限する要因は接合部の温度です。このため、より効果的な熱設計が必要になります。eGaN FETとICのチップスケール・パッケージは、6面冷却、すなわち、チップの裏面、表面、側面から効果的に放熱します。この記事では、eGaNベースのコンバータの出力電流能力を強化するための高性能熱ソリューションを紹介します。

米EDN誌
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窒化ガリウムの驚くべき新世界

窒化ガリウムの驚くべき新世界

シリコン・バレーの中心から、新しいは流行語が登場します。窒化ガリウムは、パワー技術の未来です。テク・ブログは、将来のシリコンとして、窒化ガリウムを売り込んでおり、あなたは、そのエントランスに入るために十分、理解しています。窒化ガリウムがいかに重要であるかを知ることは、あなたをよりカッコよく、より良いユーザーにします。あなたが、あなたのグループの最前線にいるのは、あなたがこの新技術を知っているからです。そして、その技術の名は窒化ガリウムです。

米ブログ・サイトのHACKADAY
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EPC:詰め込みの先へ

EPC:詰め込みの先へ

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、彼のGaNデバイスが性能と価格でシリコンを凌駕していると考えている、とRebecca Pool氏は報告しています。

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidowにとって、今年のPCIM Europe 2019はアプリケーションに絞られました。最終製品の中にある無数のエンハンス・モードGaN FETとICを示し、先進的なコンピューティングや自動車の48 V入力のDC-DC電力変換のために、同社は大きな役割を果たしています。

英Compound Semiconductor誌
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PCIM Europe:パワーがイノベーションの中核にある展示会

PCIM Europe:パワーがイノベーションの中核にある展示会

今年のパワー・エレクトロニクス機器の国際展示会PCIM Europeには、1万2000人を超える記録的な訪問者が訪れました。半分以上(54%)がドイツ国外から参加しました。彼らは、500を超える出展者を見に来ました。主題は多様で広範囲にわたっていましたが、いくつかのテーマが際立ちました。特に、GaNとSiCが注目を集めました。Efficient Power Conversion(EPC)は、GaNがすでに製品化されている潜在力を示し、同社が2009年に発表したeGaN FET技術の例を数多く取り揃えていました。

英オンライン・ニュースElectronic Specifier
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Efficient Power Conversion(EPC)、欧州の展示会PCIM Europe 2019で自動車やコンピュータ向けのeGaN技術ベースの高電力密度DC-DC変換やこの他の多くのアプリケーションを展示へ

Efficient Power Conversion(EPC)、欧州の展示会PCIM Europe 2019で自動車やコンピュータ向けのeGaN技術ベースの高電力密度DC-DC変換やこの他の多くのアプリケーションを展示へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、欧州の展示会PCIM Europe 2019で、GaN技術の優れた性能が、コンピュータ、通信、輸送などの業界全体の電力供給をどのように変えているかを示すライブ・デモを実施します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年4月23日、5月7日~9日にドイツのニュルンベルクで開催される国際的な展示会と会議PCIM Europe 2019で、当社のチームが窒化ガリウム(GaN)技術とその応用に関する7件の技術プレゼンテーションを行うと発表しました。さらに、いち早くeGaN技術を採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN® FETとICをホール7、スタンド335で展示する予定です。

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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧80 Vの車載品質eGaN FETのEPC2214を製品化、Lidarシステムが一段と「良く見える」

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧80 Vの車載品質eGaN FETのEPC2214を製品化、Lidarシステムが一段と「良く見える」

Efficient Power Conversion(EPC)は、高分解能Lidar(光による検出と距離の測定)システム向けに最適化された耐圧80 Vの窒化ガリウム・トランジスタEPC 2214を製品化し、車載品質の規格AEC Q 101認定の製品ファミリーを拡張します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年4月16日、自動車産業やその他の過酷な環境におけるLidar(光による検出と距離の測定)システム向けに設計した耐圧80 Vの「EPC2214」がAEC Q101認定を取得したと発表しました。

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サーバーや自動車における48 VのDC / DC電力変換向けGaNを強化

サーバーや自動車における48 VのDC / DC電力変換向けGaNを強化

EPC(Efficient Power Conversion)は最近、48 Vのサーバーや自動車のニーズに対応できる100 Vの新しいGaNデバイス2種を製品化しました。私は、プロセッサだけでなく、自動車システムやエネルギー蓄積システム(私の記事である双方向DC / DC電源:私たちはどちらに行くのか?、を参照してください)の双方向電源に対する48 Vサーバー電源ソリューションを、近々、公開される米EDN誌だけの記事で調べる予定です。GaNパワー・トランジスタは、この種のアーキテクチャの一部として「必須」です。私の視点からすると、これ以上良い選択肢はありません。

米Planet Analog誌
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APEC 2019のビデオ

APEC 2019のビデオ

Efficient Power Conversionは、GaNベースのデバイス開発の最前線にいます。このビデオでは、EPCのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)がAlix Paultre氏と、GaNベースのデバイスが提供する利点を強調したこの展示会におけるさまざまなデザイン・インについて話します。

米Embedded Computer Design誌
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EPC、ドイツのウルトエレクトロニクスeiSosと連携し、ワイヤレス・パワー伝送の3部作を発表

EPC、ドイツのウルトエレクトロニクスeiSosと連携し、ワイヤレス・パワー伝送の3部作を発表
書籍「ワイヤレス・パワー伝送の3部作」は、3つのパートで構成されています。すなわち、ワイヤレス・パワー伝送の基本原理、ワイヤレス・パワー伝送システムと応用です。この本の最初のパートでは、物理的な基本原理と、非接触電力伝送のさまざまな方法について説明しています。さらに、主要な標準規格をこのパートで紹介します。第2部では、例えば、ワイヤレス・パワー伝送システム、ワイヤレス・パワー伝送のさまざまな回路構成、効率を高めるために必要な送信コイルと受信コイルの正しい選択、およびトランジスタの選択について説明します。3番目のパートは、実践的な応用を説明します。これには、Qi規格の範囲内のアプリケーション、および独自のソリューションの例が含まれます。密結合システムと疎結合システムのEMI(電磁干渉)関連トピックの概要、およびマルチモードのワイヤレス・パワー伝送システムの例で、この実践的なパートを締めくくります。「ワイヤレス・パワー伝送の3部作」の著者は、ウルトエレクトロニクスeiSosのワイヤレス・パワー伝送部門マネージャのCem Somと、Efficient Power Conversionのアプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデントのMichael de ... 続きを読む
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PSDtv:APEC 2019でシリコンが死んだ理由をEPCが語る

PSDtv:APEC 2019でシリコンが死んだ理由をEPCが語る

PSDtvのこのエピソードでは、Efficient Power Conversion(EPC)の最高経営責任者で共同創立者であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)が、米国カリフォルニア州アナハイムで開催されたAPEC 2019において、GaNオン・シリコン・デバイスが、なぜ今、シリコンを滅亡させるのかを説明します。

米Power Systems Design誌のビデオPSDtv
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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN FETファミリーを拡張、48 V入力の DC-DC変換に最高クラスの性能とコストを提供へ

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN FETファミリーを拡張、48 V入力の DC-DC変換に最高クラスの性能とコストを提供へ
EPCは、すでに製品化したEPC2045、EPC2052、EPC2051に加えて、耐圧100 V、最大オン抵抗3.8 mΩのeGaN® FETであるEPC2053を製品化し、GaNトランジスタの100 Vファミリーを拡張しました。48 V入力の高性能DC-DC変換を、より高効率、より小型、より低コストで実現できます。 エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年4月3日、eGaN FET「EPC2053」(最大オン抵抗3.8 mΩ、耐圧100 V)を製品化したと発表しました。窒化ガリウム・トランジスタの市販品のコストを低価格化し、性能を向上しました。 続きを読む

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN® パワー・トランジスタを発売、48 V入力の DC-DC、モーター駆動、Lidarなどの用途向け

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN® パワー・トランジスタを発売、48 V入力の DC-DC、モーター駆動、Lidarなどの用途向け

EPC2052は、非常に小型のチップスケール・パッケージに収め、74 Aのパルス出力が可能な耐圧100 V、最大オン抵抗13.5mΩのパワー・トランジスタを発売しました。48 V入力、12 V出力の DC-DCパワー・コンバータにおいて、これらの新世代eGaN FETは、500 kHzで効率97%以上、1 MHzで96%以上を実現できました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年3月15日、最大オン抵抗RDS(on)が13.5 mΩで、高効率電力変換用に74 Aのパルス電流を出力でき、実装面積がわずか2.25 mm2と小型の耐圧100 VのGaNトランジスタ「EPC2052」を発売しました。

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パワー半導体のパッケージを再考する時が来た

パワー半導体のパッケージを再考する時が来た

問題がパワー半導体、すなわちトランジスタ、ダイオード、または集積回路のパッケージに向けられると、常に、改善の要求は6つの分野に分類されます。

1. パッケージを小型化できますか?
2. パッケージのインダクタンスを減らすことができますか?
3. 導通損失が小さい製品を作ることができますか?
4. パッケージの熱効率を高めることができますか?
5. より低価格で製品を売ることができますか?
6. パッケージの信頼性の高くできますか?

この記事では、GaNオン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスのパッケージに焦点を当てます。これは、パワー・システムの設計者が、効率と電力密度を高めると同時に、システムのサイズとコストを削減するために最も強く求めていることです。

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