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Efficient Power Conversion(EPC)、最新の耐圧100 VのeGaN FETファミリーを製品化、シリコンMOSFETに対するベンチマーク性能を向上へ

Efficient Power Conversion(EPC)、最新の耐圧100 VのeGaN FETファミリーを製品化、シリコンMOSFETに対するベンチマーク性能を向上へ

これらの新世代の100 VのeGaN® FETは、48 V出力の同期整流、D級オーディオ、インフォテインメント、Lidarに最適です。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は9月22日、耐圧100 VのeGaN FETである「EPC2218」と「EPC2204」を製品化し、市販の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。これらの最先端デバイスのアプリケーションには、同期整流D級オーディオ、インフォテインメント・システム、DC-DCコンバータハードスイッチと共振)に加え、自動運転車や、ロボット、ドローン向けのLidar(光による検出と距離の測定)などがあります。

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電圧と電流の極端なストレス下で窒化ガリウム・デバイスの故障を試験

電圧と電流の極端なストレス下で窒化ガリウム・デバイスの故障を試験

半導体の標準的な認証試験では通常、デバイスのデータシートで指定された制限値またはその近くで、長期間、または特定のサイクル数のストレスをデバイスに加え、故障ゼロを実証します。故障する所まで部品を試験することによって、データシートの制限を超えるマージン量を理解することができますが、さらに重要なのは、半導体の本質的な故障メカニズムを理解することができるということです。

独Bodo’s Power Systems
2020年9月
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GaN HEMTは、主要な成長用途でMOSFETよりも優れています

GaN HEMTは、主要な成長用途でMOSFETよりも優れています

シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。シリコンMOSFETは、パワー・エレクトロニクスの理論上の限界に達しており、基板スペースが限られているため、パワー・システムの設計者は代替品を必要としています。窒化ガリウム(GaN)は、高電子移動度トランジスタ(HEMT)半導体であり、新たに出現したアプリケーションに真の付加価値を提供しています。

米EETimes誌
2020年8月
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分類: 記事

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧200 VのeGaN FETファミリーを2倍高性能へ

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧200 VのeGaN FETファミリーを2倍高性能へ

これらの新世代の200 VのeGaN® FETは、48 V出力の同期整流、D級オーディオ、太陽光発電用マイクロインバータやオプティマイザ、マルチレベルの高電圧AC / DCコンバータに最適です。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は8月20日、耐圧200 VのeGaN FETである「EPC2215」と「EPC2207」を製品化し、既製の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。これらの最先端デバイスの用途には、D級オーディオ、同期整流、太陽光発電用MPPT(最大電力点追跡)、DC-DCコンバータ(ハードスイッチおよび共振)、マルチレベル高電圧コンバータなどがあります。

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ポッドキャスト:Yes、We GaN:窒化ガリウムと、パワーICにおけるその役割

ポッドキャスト:Yes、We GaN:窒化ガリウムと、パワーICにおけるその役割

この最初のエピソードでは、ゲストはEfficient Power Conversion Corp.のCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)と、米NexGen Power Systemsの共同CEOであるDinesh Ramanathan氏です。EPCとNexGenはいずれも、窒化ガリウム技術とGaNパワー・デバイスに関する専門知識を持っています。米EETimes誌は、技術とGaNパワー・デバイスの市場の両方について語っています。

米EETimes誌
2020年8月
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車載品質規格AECを超えたGaN信頼性テストで自動車用Lidarアプリケーション向けの丈夫さを証明

車載品質規格AECを超えたGaN信頼性テストで自動車用Lidarアプリケーション向けの丈夫さを証明

窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイスは2010年3月から量産されており、優れたフィールド信頼性の記録を樹立しています。GaNパワー・デバイスを大量に使う自動車アプリケーションは、自動運転車向けLidar(光による検出と距離の測定)です。Lidar技術は、車両の周囲に関する情報を提供するため、安全性と性能を確保するには高い精度と信頼性が必要です。この記事では、Lidarの特定のユース・ケースに対する車載用電子部品信頼性の標準化団体であるAECの認定要件を超えてeGaNデバイスをテストするために、Efficient Power Conversion(EPC)が開発した新しいテスト・メカニズムについて説明します。

ベルギーのeeNews Europe誌
2020年7月30日
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GaNがシリコンを引退に追い込む

GaNがシリコンを引退に追い込む

人生の現実と同じように、高齢者がより若い人たちの中心ステージを去るときのように、シリコンがお辞儀をします。古くて信頼性の高いシリコンは徐々に引退し、窒化ガリウム(GaN)の登場と採用によって引き継がれてきています。40年以上にわたって、パワーMOSFETの構造、技術、および回路構成の革新が増大する電力ニーズに対応していたため、パワー・マネージメント(電源管理)の効率とコストは着実に改善されてきました。しかし、新しいミレニアムでは、シリコンのパワーMOSFETが理論上の限界に近づくにつれて、改善率は劇的に鈍化しました。同時に、新しい材料であるGaNは、老朽化したシリコンMOSFETの6000倍、現在市場に出ている最高のGaN製品の300倍という理論的な性能限界に向けて着実にその旅を続けて進化しています。

米オンライン・ニュースEEWeb
2020年7月16日
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Efficient Power Conversion(EPC)と米マイクロチップ・テクノロジー、高密度コンピューティングやデータセンター向けの48 V入力、12 V 出力で300 Wの1/16ブリックDC-DCコンバータのデモ・ボードを開発

Efficient Power Conversion(EPC)と米マイクロチップ・テクノロジー、高密度コンピューティングやデータセンター向けの48 V入力、12 V 出力で300 Wの1/16ブリックDC-DCコンバータのデモ・ボードを開発

米マイクロチップ・テクノロジーのデジタル信号コントローラとEPC(Efficient Power Conversion)の超高効率eGaN® FETの組み合わせによって、高効率、低コストのDC-DC変換に対して最高クラスの電力密度730 W / 立方インチが可能になります。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は7月14日、1/16ブリック・サイズの300 WのDC-DC電圧レギュレータ「EPC9143」を製品化したと発表しました。このパワー・モジュールEPC9143は、米マイクロチップ・テクノロジーのデジタル信号コントローラ(DSC)のdsPIC33CKとEPCの最新世代のeGaN FETであるEPC2053を統合し、25 Aにおける48 V入力から12 V出力への変換で効率96%を実現しています。スイッチング周波数500 kHzにおいて、面積がわずか33 mm×22.9 mm(1.3×0.9インチ)と非常に小型の1/16ブリックの形状で300 Wが得られます。このスケーラブルな2フェーズ設計に、さらにフェーズを追加して、電力を増やすことができます。マイクロチップのデジタル・コントローラの柔軟性によって、入力電圧を8 V〜72 Vの範囲、出力電圧を3.3 V〜25 Vの範囲で調整できます。

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D級オーディオ、窒化ガリウム対シリコン:バーチャル・ラウンドテーブル(パート2/2)

D級オーディオ、窒化ガリウム対シリコン:バーチャル・ラウンドテーブル(パート2/2)

D級オーディオに関する米オンライン・ニュースEEWorldの「バーチャル・ラウンドテーブル」のこのパート2では、パネリストが窒化ガリウム(GaN)の出現がD級の設計に及ぼす影響について詳しく説明します:シリコン・デバイスはまだ支配的なところはどこですか? D級アンプでGaNを使うことの性能上の利点は何ですか? D級アンプにおいて、GaNとシリコンの予想される将来のトレンドは何ですか? このバーチャル・ラウンドテーブルの参加者は、米アナログ・デバイセズのオーディオ・システム・アーキテクトJoshua LeMaire(JL)、Efficient Power Conversion のストラテジック・テクニカル・セールス部門バイス・プレジデントSteve Colino(SC)、独インフィニオン テクノロジーズのD級オーディオのアプリケーション・エンジニアリングの責任者Jens Tybo Jensen(JTJ)です。

米オンライン・ニュースEEWorld Online
2020年7月
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宇宙ミッション向けGaNトランジスタ

宇宙ミッション向けGaNトランジスタ

GaNパワー・トランジスタは、極めて厳しい宇宙ミッションをサポートするためのパワーやRFの用途に対して理想的な選択肢です。米EPC Space社は、新しいeGaN®ソリューションによって宇宙の商用衛星の厳しい用途向けに特別に設計されたデバイスに対して、耐放射線特性やSEE(シングル・イベント効果)の耐性を保証します。これらのデバイスは、非常に高い電子移動度と、非常に低いオン抵抗RDS(on)値と共に小さい温度係数を備えています。

米EETimes誌
2020年7月
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エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・パワー・デバイスの放射線特性

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・パワー・デバイスの放射線特性

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)技術は、これまで実現できなかった高周波、高効率、高電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。 eGaNデバイスは、シリコンMOSFETと比べて、優れた耐放射線性も示します。

独Bodo’s Power Systems
2020年6月
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Efficient Power Conversion(EPC)、ユーザーのアプリケーションに搭載した高電力密度eGaN FETとePower Stage ICを展示へ:PCIM Europe 2020 Digital Daysで

Efficient Power Conversion(EPC)、ユーザーのアプリケーションに搭載した高電力密度eGaN FETとePower Stage ICを展示へ:PCIM Europe 2020 Digital Daysで

Efficient Power Conversion(EPC)は、最新のePower™ Stage ICファミリーの製品をPCIM Europe 2020 Digital Daysで展示し、GaN技術の優れた性能が、コンピューティング、通信、ロボット、輸送への電力供給をどのように変えているかを示します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月24日、当社のチームが、7月7〜8日に開催されるPCIM Europe 2020 Digital Daysで3件の技術プレゼンテーションを行い、窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションに関する2件のパネル・ディスカッションに参加すると発表しました。さらに、イベントの仮想展示にも参加し、eGaN技術を迅速に採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを出展します。

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GaNとSiCのための信頼性の向上

GaNとSiCのための信頼性の向上

これらのチップが根付いている理由と、まだ対処する必要があるもの。窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)のパワー・デバイスのサプライヤは、いくつかの新しい印象的な仕様で製品の次の波を広げています。しかし、これらのデバイスがシステムに組み込まれる前に、それらが信頼できることを証明する必要があります。

米Semiconductor Engineering
2020年6月
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Efficient Power Conversion(EPC)と米VPT社、合弁会社EPC Space社を設立:ミッション・クリティカルな用途向けの耐放射線パワー・エレクトロニクス市場を狙う

Efficient Power Conversion(EPC)と米VPT社、合弁会社EPC Space社を設立:ミッション・クリティカルな用途向けの耐放射線パワー・エレクトロニクス市場を狙う

合弁企業であるEPC Space社は、先進的な高信頼性の窒化ガリウム(GaN)電力変換ソリューションを環境が厳しい宇宙やその他の高信頼性環境に提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)と米 HEICO社(NYSE:HEI.A)(NYSE:HEI)傘下の米VPT社は6月16日、衛星や高信頼性用途向けパッケージに封止し、テストし、認定された耐放射線特性を強化した(Rad Hard)GaNオン・シリコンのトランジスタとICの設計と製造に焦点を当てた合弁会社EPC Space社を設立したと発表しました。

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シリコンは死んでいる・・・そして、ディスクリート・パワー・デバイスは死にかけている

シリコンは死んでいる・・・そして、ディスクリート・パワー・デバイスは死にかけている

40年以上にわたって、パワーMOSFETの構造、技術、回路構成の革新が電力に対する拡大するニーズに対応していたため、パワー・マネージメント(電源管理)の効率とコストは着実に向上しています。しかし、新しいミレニアムでは、シリコンのパワーMOSFETが理論上の限界に近づくにつれて、改善率は劇的に鈍化しています。同時に、新しい材料である窒化ガリウム(GaN)は、成熟したシリコンMOSFETの6000倍、現在市場に出ている最高のGaN製品の300倍の理論的性能限界に向けた旅を着実に進めています。

米EE Times誌
2020年6月
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超薄型降圧コンバータの設計:多相対マルチレベル

超薄型降圧コンバータの設計:多相対マルチレベル

過去10年間で、コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、および、その他の民生用電子機器システムは、より薄くなると同時に、より大電力にもなりました。結果として、これらの市場は、より大きな電力密度を備えたより薄型の電源ソリューションに対する需要を拡大し続けています。この記事では、さまざまな非絶縁型DC-DC降圧構成を、48 V〜20 V、250 Wの超薄型電源ソリューションに採用することの実現可能性について検討します。

米How2Power誌
2020年5月
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イーモビリティ向けの集積化されたGaNパワー段

イーモビリティ向けの集積化されたGaNパワー段

ブラシレスDC(BLDC)モーターは人気のある選択肢であり、ロボット、ドローン、電動自転車、電動スクータでの用途で広がっています。これらの用途はすべて、サイズ、重さ、コスト、効率に特に敏感です。モノリシック集積化されたGaNパワー段は、スイッチング損失が低く、サイズと重さが大幅に削減された400 W対応のBLDCモーターに電力を供給できることが実証されています。

英Power Electronics Europe誌
2020年5月
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GaNの集積化したパワー段:電力変換を再定義

GaNの集積化したパワー段:電力変換を再定義

性能とコストの改善だけでなく、電力変換市場に影響を与えるGaN技術の最も重要なチャンスは、同じ基板上に複数のデバイスを集積化できる本質的な能力にあります。標準のシリコンIC技術とは対照的に、GaN技術を使うと、設計者は、モノリシック・パワー・システムを、より簡単でコスト効率の高い方法でワン・チップに集積できます。

独Bodo’s Power Systems
2020年5月
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