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電力用途向けGaNトランジスタ

電力用途向けGaNトランジスタ

シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。パワー・エレクトロニクス業界は、シリコンMOSFETの理論的限界に達しているとみており、今、新しい要素に移行する必要があります。窒化ガリウムGaNは、移動度の高いHEMT(高電子移動度トランジスタ)であり、新しい用途に見合った真の付加価値を提供します。

米Power Electronics News誌
2020年3月25日
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窒化ガリウムの新機能?

窒化ガリウムの新機能?

Alex Lidow(アレックス・リドウ)は、Efficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)です。おそらく窒化ガリウムの最も著名な提唱者であり、2009年に最初のGaNトランジスタを製品化しました。10年にわたる製品販売を踏まえて、独DESIGN&ELEKTRONIK誌の編集者であるRalf Higgelkeが彼に会い、その分野の最新の進歩について話しました。

独DESIGN&ELEKTRONIK誌
2020年2月20日
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開発基板がeGaN FETの評価を単純化

ワイド・バンドギャップの窒化ガリウム・オン・シリコン(GaNオンSi)トランジスタは現在、一般に入手できることについての長い話。彼らは、シリコン・ベースのMOSFETを置き換えるためにしつこく売り込んでいます。これは、多くの高性能電源の設計にとって、非効率性からの脱出となります。最近では、GaNオンSiベースのHEMTやFETのいくつかのサプライヤが市場に出現し、その中にEfficient Power Conversion(EPC)社があります。電源設計がシリコンMOSFETからeGAN FETに移行するためのeGAN FETの評価を円滑に行うために、EPC社は、ここ数年の間にいくつかの開発基板を製品化しました。

By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
2014年7月15日
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Efficient Power Conversion(EPC)、最大効率89%、10MHzで動作するeGaN®トランジスタ利用のDC-DCコンバータをGOMACTechで発表、厳しい環境条件でも動作

EPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、10MHz程度の高周波動作向けに設計し、新たに発表したエンハンスメント・モード(GaN®)HEMTトランジスタのファミリーの評価結果を発表します。このプレゼンテーションでは、これらのデバイスを高信頼性用途に対する理想的な選択にするための放射線被曝下の安定性にも焦点を当てます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)・パワー・トランジスタの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年3月27日、4月3日に米国サウスカロライナ州チャールストンで開催される第39回の年次Government Microcircuit Applications and Critical Technology(GOMACTech)コンファレンスでプレゼンテーションを行います。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、2010年以来、 商用化 されています。当時、それらは、さまざまな構成、および、さまざまな電力レベルの商用DC-DCコンバータで大きな効率向上を可能にしました。エンハンスメント・モード・トランジスタは、 ガンマ線やシングル・イベント効果(SEE)に対する著しい耐性も実証しています。耐放射線特性を強化したパワーMOSFETと比べて、GaN FETは、重要なスイッチング特性のFOM(figures of merit)を最大40倍改善します。宇宙レベルの電源設計者は、これによって、商用最先端システムの効率を達成することができます。

「高性能eGaNパワー・トランジスタのEPCの最新世代品の評価結果や、放射線試験での素晴らしい評価結果を共有する機会が持てることを大いに喜んでいます。数MHzのスイッチング・コンバータ用に設計されたこれらのGaNオン・シリコンのパワー・トランジスタによって、耐放射線システムの設計者は、商用の最先端技術と同等の電力密度と効率を達成することができます」とAlex Lidowは語りました。

GOMACTech 2014について

GOMACTech は主に、政府システム向けの超小型回路のアプリケーション開発を調査するために設立されました。1968年に設立されたこの会議は、国防総省および他の政府系機関によって開発されるシステムでの進歩に注目し、VHSICとMIMICなどの主な政府のマイクロエレクトロニクス・イニシアチブを発表するために利用され、政府調査に対する公開討論の場を提供します。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]

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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、2013年のDarnellのエネルギー・サミットで窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションについてプレゼンテーション

EPC社のCEO(最高経営責任者)とアプリケーションのエキスパートは、GaN FETの技術とアプリケーションに関する本会議の招待講演を含む半日セミナーと技術的プレゼンテーションを行います。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)の世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年8月27日、Darnellの2013年エネルギー・サミットで、教育セミナーと、数件のアプリケーションに焦点を当てた技術的なプレゼンテーションを行ないます。このコンファレンスは、9月9日から12日まで米国テキサス州ダラスで開催されます。

このサミットは、1つのコンフアレンスの中に、効率的な電力変換、グリーン・ビルディング設計、スマート・グリッド・エレクトロニクスを組み込んでいます。このプレゼンテーションは、次世代電力システムの開発を成功させるために必要とされる先進的な電力変換技術に焦点を当てています。パワー・エレクトロニクスとエネルギー効率の現実的な進歩を非常に重要視するソリューション指向のイベントです。

「Darnellエネルギー・サミットは、教育セミナーの講演にEPCエキスパートを選び、これらのコンファレンスでGaN技術に焦点を当てた技術論文を発表できることは注目すべきことです。この選択は、エネルギー効率の改善に関心がある人に、GaN技術の優れた特性への興味と認知度を高めることに貢献し続けます」とEPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語りました。

教育セミナー:効率的な電力変換のためのGaNトランジスタ
講演者:Alex Lidow、David Reusch
9月9日(月)9:00 a.m.~12:30 p.m.

このセミナーでは、EPCによって執筆されたGaN FET技術のテキストについて詳述し、GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)がどのように働くかを説明します。さらに、このセッションでは、高性能、高周波の電力変換向けのドライバ、レイアウト、および熱的考察を示すなど、これらのデバイスの利用法についても議論します。現実世界でのGaN技術の価値を示し、効率的なDC-DC変換、高周波の包絡線追跡、およびワイヤレス・パワー伝送などのいくつかの用途についてプレゼンテーションします。このセミナーは、この新しく登場した置き換え技術の将来に触れて締めくくります。

GaN FETに関連するEPCのエキスパートによる技術プレゼンテーション:

• 本会議
「GaN:1度で1つのシリコンのアプリケーションを粉砕する」
講演者:Alex Lidow
​9月10日(火) セッション2.1、1:45 p.m.

• 技術セッション 
「高周波ハード・スイッチング・コンバータ用eGaN® FET」
講演者:Johan Strydom、David Reusch
9月11日(水) セッションDPF:10.2、3:15 p.m.

「プリント回路基板レイアウトの最適化によってeGaN® FETの特性を改善」
講演者:David Reusch
9月12日(木) DPF:7.2、9:00 a.m.

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

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