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Efficient Power Conversion(EPC)、ePower Stage ICファミリーを製品化、電力変換を再定義へ

Efficient Power Conversion(EPC)、ePower Stage ICファミリーを製品化、電力変換を再定義へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、DC-DC変換、モーター駆動、D級オーディオなどの高電力密度アプリケーション向けに、高性能で小型のソリューションを提供する最初の新しい集積回路(IC)ファミリーを製品化します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月17日、高密度コンピューティング用途やイーモビリティ用モーター駆動で使われる48 V入力のDC-DC変換向けに設計した耐圧80 V、12.5 Aのパワー段集積回路を製品化しました。

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パワーのアプリケーション向けGaNデバイスの品質認定と定量化

パワーのアプリケーション向けGaNデバイスの品質認定と定量化

あなたの新しい設計に窒化ガリウム(GaN)・デバイスを使ってもOKです。近年、GaNトランジスタは非常に人気が出てきました。このワイド・バンドギャップ・デバイスは、多くのパワーのアプリケーションでLDMOSトランジスタを置き換えています。例えば、GaNデバイスは、セルラー基地局、レーダー、衛星、その他の高周波アプリケーションで使われる新しいRFパワー・アンプに広く採用されています。一般に、より高い電圧に対応し、ミリ波(mmWave)帯内の周波数で動作する能力によって、ほとんどのアンプ構成で従来のRFパワー・トランジスタを置き換えることができます。

米Electronic Design誌
2019年11月
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Efficient Power Conversion(EPC)、eGaNパワー・デバイスをウエハーの形で提供すると発表

Efficient Power Conversion(EPC)、eGaNパワー・デバイスをウエハーの形で提供すると発表

EPC(Efficient Power Conversion)は、パワー・システムの統合を容易にするため、業界をリードする窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスをウエハーの形態で提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月4日、統合化を容易にするため、業界をリードするエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)・デバイスをウエハーの形で提供すると発表しました。当社のeGaN® FETとICはこれまで、切り出したチップを、はんだバーまたははんだバンプを備えたチップスケール・デバイスとして販売していました。

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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN FETファミリーを拡張、48 V入力の DC-DC変換に最高クラスの性能とコストを提供へ

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN FETファミリーを拡張、48 V入力の DC-DC変換に最高クラスの性能とコストを提供へ

EPCは、すでに製品化したEPC2045EPC2052EPC2051に加えて、耐圧100 V、最大オン抵抗3.8 mΩのeGaN® FETであるEPC2053を製品化し、GaNトランジスタの100 Vファミリーを拡張しました。48 V入力の高性能DC-DC変換を、より高効率、より小型、より低コストで実現できます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年4月3日、eGaN FET「EPC2053」(最大オン抵抗3.8 mΩ、耐圧100 V)を製品化したと発表しました。窒化ガリウム・トランジスタの市販品のコストを低価格化し、性能を向上しました。

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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN® パワー・トランジスタを発売、48 V入力の DC-DC、モーター駆動、Lidarなどの用途向け

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN® パワー・トランジスタを発売、48 V入力の DC-DC、モーター駆動、Lidarなどの用途向け

EPC2052は、非常に小型のチップスケール・パッケージに収め、74 Aのパルス出力が可能な耐圧100 V、最大オン抵抗13.5mΩのパワー・トランジスタを発売しました。48 V入力、12 V出力の DC-DCパワー・コンバータにおいて、これらの新世代eGaN FETは、500 kHzで効率97%以上、1 MHzで96%以上を実現できました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年3月15日、最大オン抵抗RDS(on)が13.5 mΩで、高効率電力変換用に74 Aのパルス電流を出力でき、実装面積がわずか2.25 mm2と小型の耐圧100 VのGaNトランジスタ「EPC2052」を発売しました。

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ブラシレスDCサーボ・モーターのパワー・インバータで使うシリコンFETと窒化ガリウムFETの比較

ドイツ航空宇宙センター(DLR)のThe Institute of Robotics and Mechatronicsは、センサーとパワー・エレクトロニクスの改良に非常に関心を持っており、EPCの新しいエンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術を評価するために、この新しいロボット開発の機会を利用しました。そして、これまでで最高の当社のインバータ設計でこれを比較します。

Bodo’s Power Systems
著者:Robin Gruber、ドイツ航空宇宙センター(DLR)
2014年3月

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