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Efficient Power Conversion(EPC)、最新の耐圧100 VのeGaN FETファミリーを製品化、シリコンMOSFETに対するベンチマーク性能を向上へ

Efficient Power Conversion(EPC)、最新の耐圧100 VのeGaN FETファミリーを製品化、シリコンMOSFETに対するベンチマーク性能を向上へ

これらの新世代の100 VのeGaN® FETは、48 V出力の同期整流、D級オーディオ、インフォテインメント、Lidarに最適です。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は9月22日、耐圧100 VのeGaN FETである「EPC2218」と「EPC2204」を製品化し、市販の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。これらの最先端デバイスのアプリケーションには、同期整流D級オーディオ、インフォテインメント・システム、DC-DCコンバータハードスイッチと共振)に加え、自動運転車や、ロボット、ドローン向けのLidar(光による検出と距離の測定)などがあります。

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GaN HEMTは、主要な成長用途でMOSFETよりも優れています

GaN HEMTは、主要な成長用途でMOSFETよりも優れています

シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。シリコンMOSFETは、パワー・エレクトロニクスの理論上の限界に達しており、基板スペースが限られているため、パワー・システムの設計者は代替品を必要としています。窒化ガリウム(GaN)は、高電子移動度トランジスタ(HEMT)半導体であり、新たに出現したアプリケーションに真の付加価値を提供しています。

米EETimes誌
2020年8月
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GaNがシリコンを引退に追い込む

GaNがシリコンを引退に追い込む

人生の現実と同じように、高齢者がより若い人たちの中心ステージを去るときのように、シリコンがお辞儀をします。古くて信頼性の高いシリコンは徐々に引退し、窒化ガリウム(GaN)の登場と採用によって引き継がれてきています。40年以上にわたって、パワーMOSFETの構造、技術、および回路構成の革新が増大する電力ニーズに対応していたため、パワー・マネージメント(電源管理)の効率とコストは着実に改善されてきました。しかし、新しいミレニアムでは、シリコンのパワーMOSFETが理論上の限界に近づくにつれて、改善率は劇的に鈍化しました。同時に、新しい材料であるGaNは、老朽化したシリコンMOSFETの6000倍、現在市場に出ている最高のGaN製品の300倍という理論的な性能限界に向けて着実にその旅を続けて進化しています。

米オンライン・ニュースEEWeb
2020年7月16日
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D級オーディオ、窒化ガリウム対シリコン:バーチャル・ラウンドテーブル(パート2/2)

D級オーディオ、窒化ガリウム対シリコン:バーチャル・ラウンドテーブル(パート2/2)

D級オーディオに関する米オンライン・ニュースEEWorldの「バーチャル・ラウンドテーブル」のこのパート2では、パネリストが窒化ガリウム(GaN)の出現がD級の設計に及ぼす影響について詳しく説明します:シリコン・デバイスはまだ支配的なところはどこですか? D級アンプでGaNを使うことの性能上の利点は何ですか? D級アンプにおいて、GaNとシリコンの予想される将来のトレンドは何ですか? このバーチャル・ラウンドテーブルの参加者は、米アナログ・デバイセズのオーディオ・システム・アーキテクトJoshua LeMaire(JL)、Efficient Power Conversion のストラテジック・テクニカル・セールス部門バイス・プレジデントSteve Colino(SC)、独インフィニオン テクノロジーズのD級オーディオのアプリケーション・エンジニアリングの責任者Jens Tybo Jensen(JTJ)です。

米オンライン・ニュースEEWorld Online
2020年7月
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Efficient Power Conversion(EPC)、ユーザーのアプリケーションに搭載した高電力密度eGaN FETとePower Stage ICを展示へ:PCIM Europe 2020 Digital Daysで

Efficient Power Conversion(EPC)、ユーザーのアプリケーションに搭載した高電力密度eGaN FETとePower Stage ICを展示へ:PCIM Europe 2020 Digital Daysで

Efficient Power Conversion(EPC)は、最新のePower™ Stage ICファミリーの製品をPCIM Europe 2020 Digital Daysで展示し、GaN技術の優れた性能が、コンピューティング、通信、ロボット、輸送への電力供給をどのように変えているかを示します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月24日、当社のチームが、7月7〜8日に開催されるPCIM Europe 2020 Digital Daysで3件の技術プレゼンテーションを行い、窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションに関する2件のパネル・ディスカッションに参加すると発表しました。さらに、イベントの仮想展示にも参加し、eGaN技術を迅速に採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを出展します。

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GaNと48 V:どこに行くのか、どこに行こうとしているのか?

GaNと48 V:どこに行くのか、どこに行こうとしているのか?

3年前、中耐圧のeGaN FETの製造コストは、同等の定格のパワーMOSFETのコストを下回りました。当時、EPCはeGaN FETの性能とコスト上の利点を利用して、入力または出力の電圧が約48 Vのアプリケーションを積極的に追求することにしました。具体的には、自動車やコンピュータのアプリケーションでは、パワー・システムにおいて、48 V変換が新しいアーキテクチャ、新しい標準になりつつあります。

米Power Systems Design誌
2020年3月31日
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電力用途向けGaNトランジスタ

電力用途向けGaNトランジスタ

シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。パワー・エレクトロニクス業界は、シリコンMOSFETの理論的限界に達しているとみており、今、新しい要素に移行する必要があります。窒化ガリウムGaNは、移動度の高いHEMT(高電子移動度トランジスタ)であり、新しい用途に見合った真の付加価値を提供します。

米Power Electronics News誌
2020年3月25日
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低電圧POLコンバータにGaNの利点をもたらすドライバICとFETのマッチング

低電圧POLコンバータにGaNの利点をもたらすドライバICとFETのマッチング

この記事では、12 V入力から1 V出力へのPOL(負荷点)コンバータにおいて、適切なGaN FETドライバと組み合わせてGaN FETを使ったときに得られる特性の改善について説明します。ここで説明する設計例では、台湾uPI Semiconductorのデュアル・チャネル同期整流ドライバICであるuP1966Dを、Efficient Power ConversionのGaN非対称ハーフブリッジFETであるEPC2100と組み合わせて使います。

米How2Power Today誌
2019年12月
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GaNの先行き

GaNの先行き

GaNのパワー・トランジスタとICの使わずに済ますことは、ますます難しくなってきています、とAlex Lidow(アレックス・リドウ)は言っています。eGaN FETなどのGaNオン・シリコンのパワー・トランジスタを通信、自動車、医療、コンピュータで使う多くの理由があります。小型、高速、低コスト、高集積のGaNオン・シリコン・デバイスは、電力変換のすべての用途で設計者の信用と信頼を得るために10年を費やしてきました。

英Electronic Specifier誌
2019年11月20日
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Efficient Power Conversion(EPC)、カナダSolace Powerと提携、今後の250 Wワイヤレス・パワーのプラットフォームに高効率、低コストのeGaN FET搭載で

Efficient Power Conversion(EPC)、カナダSolace Powerと提携、今後の250 Wワイヤレス・パワーのプラットフォームに高効率、低コストのeGaN FET搭載で

EPC(Efficient Power Conversion)は、カナダSolace Powerの250 Wワイヤレス・パワー・プラットフォーム向けに窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスを供給し、これによって、大電力ソリューションと設計サイクル時間の短縮が可能になります。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は9月3日、5G、航空宇宙、自動車、医療、および産業用のアプリケーション向けに設計した250 Wのワイヤレス・パワー・ソリューションが可能にする先進的なワイヤレス・パワーや、検出とデータの大手であるカナダSolace Powerと提携したと発表しました。同社のインテリジェント無線プラットフォームは、EPCの200 Vエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®200 Vエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)・パワー・トランジスタを採用しています。このモジュラ・プラットフォームは、同じEquus™ アーキテクチャを採用し、3次元において剛体が取り得る動きの空間的自由度(six degrees of spatial freedom)に優れ、送信電力は最大250 Wを実現しています。

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48 V入力、12 V出力の車載用途向けDC-DC変換

48 V入力、12 V出力の車載用途向けDC-DC変換

48 Vの用途に向く性能指数(FOM:figure of merit)を備えたGaNトランジスタは、サイズ、重さ、BOM(部品表)コストの削減を実現できます。この記事では、5相の完全に安定化した双方向の48 V入力、12 V出力のDC-DCコンバータについて説明します。eGaN FETの使用に適した高度な熱管理ソリューションによって、14.5 Vのバッテリーに97.5%を超える効率で3 kWの電力を供給できるシステムが得られます。

米Power Systems Design誌
2019年7月
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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN FETファミリーを拡張、48 V入力の DC-DC変換に最高クラスの性能とコストを提供へ

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN FETファミリーを拡張、48 V入力の DC-DC変換に最高クラスの性能とコストを提供へ

EPCは、すでに製品化したEPC2045EPC2052EPC2051に加えて、耐圧100 V、最大オン抵抗3.8 mΩのeGaN® FETであるEPC2053を製品化し、GaNトランジスタの100 Vファミリーを拡張しました。48 V入力の高性能DC-DC変換を、より高効率、より小型、より低コストで実現できます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年4月3日、eGaN FET「EPC2053」(最大オン抵抗3.8 mΩ、耐圧100 V)を製品化したと発表しました。窒化ガリウム・トランジスタの市販品のコストを低価格化し、性能を向上しました。

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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN® パワー・トランジスタを発売、48 V入力の DC-DC、モーター駆動、Lidarなどの用途向け

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN® パワー・トランジスタを発売、48 V入力の DC-DC、モーター駆動、Lidarなどの用途向け

EPC2052は、非常に小型のチップスケール・パッケージに収め、74 Aのパルス出力が可能な耐圧100 V、最大オン抵抗13.5mΩのパワー・トランジスタを発売しました。48 V入力、12 V出力の DC-DCパワー・コンバータにおいて、これらの新世代eGaN FETは、500 kHzで効率97%以上、1 MHzで96%以上を実現できました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年3月15日、最大オン抵抗RDS(on)が13.5 mΩで、高効率電力変換用に74 Aのパルス電流を出力でき、実装面積がわずか2.25 mm2と小型の耐圧100 VのGaNトランジスタ「EPC2052」を発売しました。

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パワー半導体のパッケージを再考する時が来た

パワー半導体のパッケージを再考する時が来た

問題がパワー半導体、すなわちトランジスタ、ダイオード、または集積回路のパッケージに向けられると、常に、改善の要求は6つの分野に分類されます。

1. パッケージを小型化できますか?
2. パッケージのインダクタンスを減らすことができますか?
3. 導通損失が小さい製品を作ることができますか?
4. パッケージの熱効率を高めることができますか?
5. より低価格で製品を売ることができますか?
6. パッケージの信頼性の高くできますか?

この記事では、GaNオン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスのパッケージに焦点を当てます。これは、パワー・システムの設計者が、効率と電力密度を高めると同時に、システムのサイズとコストを削減するために最も強く求めていることです。

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なぜGaNに向かうのか?

なぜGaNに向かうのか?

GaN技術は、伝統的なシリコン技術に挑戦することができる地点まで成熟してきました。窒化ガリウム(GaN)・オン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスは、2010年に製品化されて以来、多くの新しいアプリケーションを実現可能にしてきました。Lidar(光による検出と距離の測定)包絡線追跡ワイヤレス・パワーなどの新しい市場は、GaNの優れたスイッチング速度によって出現しました。これらの新しいアプリケーションは、強力なサプライチェーン、低い生産コスト、そして、ねたまれるほどの素晴らしい信頼性記録の確立に貢献してきました。これらすべてが、DC / DCコンバータ、AC / DCコンバータ、自動車などのアプリケーションにおける保守的な設計技術者に評価作業を始めさせるための十分な動機になっています。この記事では、この採用率の急速な拡大につながる要因を探ります。

米Electronics Weekly誌
2019年1月
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Efficient Power Conversion(EPC)、アジア・チームを強化、ユーザーのソリューションでイノベーション力を引き出す

Efficient Power Conversion(EPC)、アジア・チームを強化、ユーザーのソリューションでイノベーション力を引き出す

Efficient Power Conversion(EPC)は、DC-DC、LiDAR(光による検出と距離の測定)、ワイヤレス・パワーなどのアプリケーションに対する顧客基盤を拡大するための支援策の一環として、アジア太平洋地域の21地域のユーザーと密接な新しいメンバーと共にアジア・ベースのチームを拡大します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年11月28日、アジアにおける販売拡大を加速するために、アジア太平洋地域におけるセールスやFAE(フィールド・アプリケーション・エンジニア)のチームを拡大すると発表しました。これによって、拡大している顧客基盤をサポートし、新規事業の獲得を増やし、新しい市場機会を捉えることが狙いです。

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eGaN FETベースの同期整流

eGaN FETベースの同期整流

GaN-on-SiはDC-DCコンバータの設計においてより一般的になるにつれて、同期整流器(SR)として使う場合、経験豊富な設計者は、GaNトランジスタの独特の特性の影響について多くの疑問を持ちます。特に、コンバータのデッドタイム期間中に起動されるSi MOSFETの「ボディ・ダイオード」の導通としてよく知られている第3象限のオフ状態特性に興味を持ちます。この記事では、「ボディ・ダイオード」として動作するときのSi MOSFETとeGaN® FETの類似点と相違点に焦点を当て、相対的な長所と短所を概説します。

独Bodo’s Power Systems
By David Reusch & John Glaser
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Efficient Power Conversion(EPC)、イスラエルでの販売、マーケティング、技術サポートのパートナとしてイスラエルの代理店MIGVAN社を発表

Efficient Power Conversion(EPC)、イスラエルでの販売、マーケティング、技術サポートのパートナとしてイスラエルの代理店MIGVAN社を発表

MIGVAN社は現在、EPCのイスラエルでの販売、マーケティング、技術サポートの代理店となり、窒化ガリウムを使った最先端の電力変換システム用eGaN®® FETとICの採用を支援しています

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年10月12日、イスラエル全域で加速する成長をサポートするため、販売、マーケティング、技術サポートの代理店をイスラエルMIGVAN Technologies&Engineering社に委託すると発表しました。1988年に設立されたMIGVAN社は、イスラエルのエレクトロニクス業界に対して、先端技術の電子部品やサブシステムの販売促進に注力しています。

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事実が科学者の勘定について語っています:彼は、以前に、世界のエネルギー消費を15%節約し、今は、シリコンの置換材料を発見しています

事実が科学者の勘定について語っています:彼は、以前に、世界のエネルギー消費を15%節約し、今は、シリコンの置換材料を発見しています

この科学者は、40年前に博士号を取得し、世界のエネルギー消費の15%を一度に節約しました。彼は現在、人類のために、シリコンの代替材料を発見するための革新の旅を続けています。

私の父はいつも、個人の真の価値は、社会への貢献に基づいて評価されると私に教えてくれました。私が1975年に大学院に入学したとき、自分の情熱が半導体分野にあることに気付きました。社会への私の最高の貢献がシリコンの後継者を見つけることから生まれると感じました。私はガリウム砒素で卒業しましたが、1977年に博士号を取得した時点で、ガリウム砒素の見通しは、基本的な材料特性によって、半導体としては限界があるので、私が学んだことのすべてを、シリコンのより良いデバイスを作ることに応用する仕事につぎ込むことにしました。

中国のFortune China誌
2017年6月15日
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CMOSが好敵手を見つける:GaNはパワーへのシフトを加速

業界の観点から言えば、技術は、人間に一定の御利益を約束するメリットや能力が得られる限り存在します。とはいえ、主流のシリコンCMOS技術は、そこから徹底的に恩恵を受けている業界に計り知れない利益を与えています。さて、ここで質問です。太陽の輝きは、CMOSの上に降り注ぐ準備ができていますか? 新たに出現したデバイスGaNパワー・チップは、それらを採用するための最後の障害であるコストをノックダウンしています。DesignConでの基調講演によると、このチップは、自動運転車への無線充電や、より効率的なセルラー通信などの幅広いアプリケーションを可能にするでしょう。

EETimes Asia誌
2015年2月

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