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GaNがシリコン・パワーMOSFETに正面攻撃へ

GaNがシリコン・パワーMOSFETに正面攻撃へ

今日のGaN FETは、サイズと特性が急速に向上しています。このベンチマーク・デバイスは、まだ、その理論上の性能限界から300倍も離れています。初期のGaNの採用者は、速度が必要でした。大きな例には、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)システム、ドローン、ロボット、4G / LTE基地局があります。この量は増えており、今やGaNパワー・デバイスの価格は、より遅く、より大きく、そして老朽化しているパワーMOSFETと同等レベルになっています。そして、GaNの正面攻撃の時が来ました!

独Bodo’s Power Systems
2019年6月
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半導体チップ業界での統合が、なぜ問題になるのか

半導体チップ業界での統合が、なぜ問題になるのか

拡大する産業が活況を呈している場合、通常、買収や統合のレースは、一般的に反対側の反映です ―― 成熟における緩やかな成長期は、しばしば、いったん高度飛行の領域になります。多くの産業は、スターダムの期間を経験し、急で着実な降下へと続きます。一方で、私たちの社会経済の活力に対する中心的な基幹産業でこれが発生した場合、私たちは非常に懸念すべきです。

米フォーブス誌
2015年6月26日
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50年を迎えたムーアの法則、瀕死の状態から救う方法はありますか? 救う価値がありますか?

50年を迎えたムーアの法則、瀕死の状態から救う方法はありますか? 救う価値がありますか?

Efficient Power Conversion社CEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、ムーアの法則の寿命を延ばすために、ライフワークとなる仕事をしています。どうして? 米インテル社などが見つけたように、かなり天井に近づいてきているシリコンに依存している伝統的なチップ技術では、誰かが、その材料が許す限り安価で強力なシリコン・チップを作ろうとしています。Lidowは、多くの方法でシリコンよりも優れている半導体材料を見つけたと語っています。それが窒化ガリウム(GaN)です。実験室でも、実用でも、GaNチップは、利用した多くの事例でシリコンを上回り、製造もより安価で、より弾力性があり、より少ない保護要素で済むと同時に、シリコン・チップを作るために必要なインフラで形成できます。

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米PandoDaily誌
2015年4月21日

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ムーアの法則50年:その過去と未来

ムーアの法則50年:その過去と未来

「ムーアの法則は、新しい素材について何かにモーフィング(ある物体から別の物体へと自然に変形する映像をみせること)しています」と半導体業界に長く身を置き、Efficient Power Conversion(EPC)社のCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。EPC社は、電子のより良い導電体である窒化ガリウム(GaN)を、シリコンとの置き換えが可能なレベルにし、シリコンを上回る特性と電力効率のメリットを提供しています、とも語りました。GaNは、すでに電力変換と無線通信に使われており、いつかデジタル・チップへの道をたどることができます。「60年ぶりに初めて、小型化というよりも、優れた材料としての有力な候補になります」と語っています。

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米Network World誌
2015年4月17日

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ムーアの法則は死んだ。ムーアの法則よ永遠なれ。

ムーアの法則は死んだ。ムーアの法則よ永遠なれ。

ムーアの予測は、自己達成的予言となりました。チップの計算能力は、24カ月ごとに2倍になっただけでなく、24カ月ごとに2倍にならなければならなくなり、ハイテク産業、そして経済全体は、悲惨な結末に苦しみ、イノベーションと経済の発展を抑圧しています。

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米re/code誌
Alex Lidow
2015年4月17日

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