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宇宙ミッション向けGaNトランジスタ

宇宙ミッション向けGaNトランジスタ

GaNパワー・トランジスタは、極めて厳しい宇宙ミッションをサポートするためのパワーやRFの用途に対して理想的な選択肢です。米EPC Space社は、新しいeGaN®ソリューションによって宇宙の商用衛星の厳しい用途向けに特別に設計されたデバイスに対して、耐放射線特性やSEE(シングル・イベント効果)の耐性を保証します。これらのデバイスは、非常に高い電子移動度と、非常に低いオン抵抗RDS(on)値と共に小さい温度係数を備えています。

米EETimes誌
2020年7月
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GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計

GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計

eGaN FETとICは、その小型、超高速スイッチング、低オン抵抗によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータ設計を可能にします。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限する要因は接合部の温度です。このため、より効果的な熱設計が必要になります。eGaN FETとICのチップスケール・パッケージは、6面冷却、すなわち、チップの裏面、表面、側面から効果的に放熱します。この記事では、eGaNベースのコンバータの出力電流能力を強化するための高性能熱ソリューションを紹介します。

米EDN誌
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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaNパワー・トランジスタを発売 ―― 同等のシリコンよりも1/30と小型、500 kHzで効率97%を実現

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaNパワー・トランジスタを発売 ―― 同等のシリコンよりも1/30と小型、500 kHzで効率97%を実現

EPC2051は、超小型のチップスケール・パッケージ封止で、37 Aのパルスを出力可能な耐圧100 V、最大オン抵抗25 mΩのパワー・トランジスタであり、電源システム設計者向けです。この新しいデバイスは、48 Vの電力変換器、LiDAR(光による検出と距離の測定)、LED(発光ダイオード)照明などのアプリケーションに最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年9月11日、最大オン抵抗 RDS(on)が25 mΩ、パルス出力電流37 Aで耐圧100 VのGaNトランジスタ「EPC2051」を発売しました。面積が1.1 mm2と小型で高効率の電力変換を実現します。

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米This Week in Technology:TRIANGULATIONエピソード319「私たちの友人である窒化ガリウム」

米This Week in Technology:TRIANGULATIONエピソード319「私たちの友人である窒化ガリウム」

Efficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、次世代マイクロチップと世界のワイヤレス・パワーを創造するための窒化ガリウムの利用方法について、Leo Laporte氏に語っています。

米オンライン・ニュースのThis Week in Technology
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Efficient Power Conversion(EPC)、5 MHz、出力14 Aで、12 V入力、1.8 V出力のシステムの効率85%以上を実現できる高周波モノリシック窒化ガリウム・ハーフブリッジを製品化

Efficient Power Conversion(EPC)、5 MHz、出力14 Aで、12 V入力、1.8 V出力のシステムの効率85%以上を実現できる高周波モノリシック窒化ガリウム・ハーフブリッジを製品化

GaNハーフブリッジのEPC2111は、12 Vから1.8 Vに変換するPOL(負荷点)システム全体の効率を、スイッチング周波数5 MHz、出力14 Aで効率85%以上、スイッチング周波数10 MHzでは80%以上に向上できるソリューションを電源システム設計者に提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年6月1日、耐圧30Vのエンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジEPC2111」を製品化しました。2つのeGaN®パワーFETをワン・チップに集積することによって、プリント回路基板上で必要な相互接続のインダクタンスを排除でき、チップ間のスペースが不要になります。これによって、効率(特に高い周波数)と電力密度の両方が向上し、最終ユーザーの電力変換システムの組み立てコストが削減できます。EPC2111は、12 VからPOL(負荷点)への高周波のDC-DC変換に最適です

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48Vから負荷電圧を得る

48Vから負荷電圧を得る

GaNトランジスタを搭載した低電圧DC/DCコンバータの特性を改善:。
一般に入手可能で費用対効果の高い窒化ガリウム(GaN)・パワー・トランジスタの出現は、パワー・エレクトロニクスの新たな時代の始まりです。入力電圧が約48 VDCで負荷電圧が1 VDCと低い既存のデータセンターや通信アーキテクチャのパワー・コンバータに、エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET(eGaN FET)デバイスを利用する大きな利点があります。高性能GaNパワー・トランジスタは、従来のSi MOSFETベースのアーキテクチャで得られる効率よりも高くでき、電力密度も高められるので、データセンターや通信システムを強化する新しいアプローチが可能になります。

米Power Systems Design誌
David Reusch博士、John Glaser博士
2016年1月25日
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ブラシレスDCサーボ・モーターのパワー・インバータで使うシリコンFETと窒化ガリウムFETの比較

ドイツ航空宇宙センター(DLR)のThe Institute of Robotics and Mechatronicsは、センサーとパワー・エレクトロニクスの改良に非常に関心を持っており、EPCの新しいエンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術を評価するために、この新しいロボット開発の機会を利用しました。そして、これまでで最高の当社のインバータ設計でこれを比較します。

Bodo’s Power Systems
著者:Robin Gruber、ドイツ航空宇宙センター(DLR)
2014年3月

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高周波電力変換デバイス向けパッケージの考察

スイッチング周波数10MHz以上での電力変換には、高速トランジスタと、高周波特性の良いパッケージの両方が必要です。eGaN FETは、パッケージと同様に、匹敵するもののないデバイス特性を提供することによって、成熟したパワーMOSFETと比べて、高周波での電力変換特性を改善する能力が実証されています。

Bodo’s Power Systems
寄稿者:Alex Lidow
2013年11月

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