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EPC、ドイツのウルトエレクトロニクスeiSosと連携し、ワイヤレス・パワー伝送の3部作を発表

EPC、ドイツのウルトエレクトロニクスeiSosと連携し、ワイヤレス・パワー伝送の3部作を発表
書籍「ワイヤレス・パワー伝送の3部作」は、3つのパートで構成されています。すなわち、ワイヤレス・パワー伝送の基本原理、ワイヤレス・パワー伝送システムと応用です。この本の最初のパートでは、物理的な基本原理と、非接触電力伝送のさまざまな方法について説明しています。さらに、主要な標準規格をこのパートで紹介します。第2部では、例えば、ワイヤレス・パワー伝送システム、ワイヤレス・パワー伝送のさまざまな回路構成、効率を高めるために必要な送信コイルと受信コイルの正しい選択、およびトランジスタの選択について説明します。3番目のパートは、実践的な応用を説明します。これには、Qi規格の範囲内のアプリケーション、および独自のソリューションの例が含まれます。密結合システムと疎結合システムのEMI(電磁干渉)関連トピックの概要、およびマルチモードのワイヤレス・パワー伝送システムの例で、この実践的なパートを締めくくります。「ワイヤレス・パワー伝送の3部作」の著者は、ウルトエレクトロニクスeiSosのワイヤレス・パワー伝送部門マネージャのCem Somと、Efficient Power Conversionのアプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデントのMichael de ... 続きを読む
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eGaN FETによるLIDARへの電力供給

eGaN FETによるLIDARへの電力供給

LIDARは現在、主に車両、ロボット、ドローン、および、その他の移動機械のための自動運転ナビゲーション・システムで広く採用されていることから、大きな関心を集めています。 eGaNデバイスは、形状が小型で手頃な価格の高性能LIDARを可能にする主な要因の1つであり、LIDAR革命の強い追い風となっています。

米EDN誌
By John Glaser
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eGaN FETベースの同期整流

eGaN FETベースの同期整流

GaN-on-SiはDC-DCコンバータの設計においてより一般的になるにつれて、同期整流器(SR)として使う場合、経験豊富な設計者は、GaNトランジスタの独特の特性の影響について多くの疑問を持ちます。特に、コンバータのデッドタイム期間中に起動されるSi MOSFETの「ボディ・ダイオード」の導通としてよく知られている第3象限のオフ状態特性に興味を持ちます。この記事では、「ボディ・ダイオード」として動作するときのSi MOSFETとeGaN® FETの類似点と相違点に焦点を当て、相対的な長所と短所を概説します。

独Bodo’s Power Systems
By David Reusch & John Glaser
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eGaN FETの集積化に関するベストプラクティス

eGaN FETの集積化に関するベストプラクティス

最良の設計手法は、プリント回路基板のレイアウトや熱管理も含めて、eGaN FETの利点を利用しています。GaNトランジスタのスイッチング電荷が削減され続けるにつれて、システムの寄生要素も低減されなければなりません。これによって、最大スイッチング速度が得られ、パワー・コンバータで一般的な寄生のリンギングを最小化できます。

米Power Electronics誌
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IEEE Power Electronics Society (PELS)のウエビナ: 「ほとんどをGaNトランジスタとICのチップスケール・パッケージから得る」

IEEE Power Electronics Society (PELS)のウエビナ: 「ほとんどをGaNトランジスタとICのチップスケール・パッケージから得る」

11月3日に、IEEE PELSは、Alex Lidow(アレックス・リドウ)と Michael de Rooijのウエビナを開催し、チップスケール・パッケージを採用したGaNパワー・デバイスを使うための設計方法とプリント回路基板の製造方法を議論します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation )は2016年10月11日、窒化ガリウム・トランジスタの設計と利用に関する当社のエキスパートが、11月3日の午前11時~午後12時(米国東部夏時間)に、IEEE Power Electronics Society (PELS)が主催する1時間のウエビナを行うと発表しました。

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1つのアンプによる複数の充電モード

1つのアンプによる複数の充電モード

機器を無線で充電するための2つの規格がありますが、1つの回路で、その両方に対する充電ノードとして機能するように工夫することができます。

米Design World誌
Michael de Rooij博士、アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント
2016年3月
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思慮に富んだ基板設計は、GaNの可能性の鍵を開けます

思慮に富んだ基板設計は、GaNの可能性の鍵を開けます

スイッチング速度が速いパワー・トランジスタは、電源の小型化とエネルギー伝送の高効率化を可能にします。実際、設計者は、ヒートシンクの除去によって、ワイヤレス・パワー伝送を可能にする電源などで、まったく新しい形状のパワー段やモジュールを思い浮かべることができます。シリコン基板上に形成した窒化ガリウム(GaN)・トランジスタは、電源を高効率化でき、実装面積の削減に貢献します。

米Electronic Design誌
2016年3月
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6.78MHzのワイヤレス・パワー伝送におけるeGaN FETベースのZVSのD級アンプ用放射EMIフィルタ設計

6.78MHzのワイヤレス・パワー伝送におけるeGaN FETベースのZVSのD級アンプ用放射EMIフィルタ設計

この記事では、放射EMI(電磁干渉)雑音の仕様の範囲内に不要な周波数を低減し、ワイヤレス・パワーのコイルの特性に良くない影響を与えることなくこれを行うことができる適切なEMIフィルタの設計法を説明します。さらに、全体的な放射EMI設計の視点も含まれます。

米EEWeb誌:米Wireless & RF Magazine誌
Michael de Rooij博士
2016年2月1日
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48Vから負荷電圧を得る

48Vから負荷電圧を得る

GaNトランジスタを搭載した低電圧DC/DCコンバータの特性を改善:。
一般に入手可能で費用対効果の高い窒化ガリウム(GaN)・パワー・トランジスタの出現は、パワー・エレクトロニクスの新たな時代の始まりです。入力電圧が約48 VDCで負荷電圧が1 VDCと低い既存のデータセンターや通信アーキテクチャのパワー・コンバータに、エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET(eGaN FET)デバイスを利用する大きな利点があります。高性能GaNパワー・トランジスタは、従来のSi MOSFETベースのアーキテクチャで得られる効率よりも高くでき、電力密度も高められるので、データセンターや通信システムを強化する新しいアプローチが可能になります。

米Power Systems Design誌
David Reusch博士、John Glaser博士
2016年1月25日
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GaNの1/8ブリック・コンバータで500Wを実現する方法、パート1

GaNの1/8ブリック・コンバータで500Wを実現する方法、パート1

DC-DC「ブリック」・コンバータは、多くのエンジニアにはよく知られており、通信、ネットワーキング、データセンター、および、その他の多くのアプリケーションで広く使われています。これは、電源モジュールの標準化団体である米DOSA(Distributed-Power Open Standards Alliance)によって定義された共通のフットプリントが広く受け入れられているためで、一般的に入力/出力電圧範囲が採用されています。これらのコンバータは、絶縁型や降圧型であり、先進的なシステムの最適化と制御を可能にする機能によって、ますます洗練されてきています。

米EDN Networkk
2015年11月23日
By: John Glaser
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Efficient Power Conversion(EPC)、DC-DC変換のハンドブック『DC-DC Conversion Handbook』を発行、窒化ガリウム(GaN)トランジスタの優れた特性を完全に活用するための実用書

Efficient Power Conversion(EPC)、DC-DC変換のハンドブック『DC-DC Conversion Handbook』を発行、窒化ガリウム(GaN)トランジスタの優れた特性を完全に活用するための実用書
EPCのDC-DC Conversion handbookは、GaNパワー・トランジスタを用いたデータ通信機器や電力変換の用途において、効率や電力密度の向上を実現する方法を示す実用書です。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年9月16日、DC-DC変換のハンドブック『DC-DC Conversion Handbook』を発行しました。情報への需要は、これまでにない速さで拡大し、通信、コンピューティング、ダウンロードへの社会の飽くなき要求がこの需要を牽引しています。クラウド・コンピューティングや、モノがインターネットにつながるIoT(internet of things)、言うまでもなくYouTubeに毎分、300時間もの動画が上げられることなど、新しい技術が出現し、もっと多くの情報にもっと高速にアクセスしたいというこのトレンドには、減速の兆候は見られません。これが、この実用的な工学ハンドブック『DC-DC Conversion: A Supplement to GaN Transistors for Efficient Power Conversion』執筆への動機づけとなり、挑戦となりました。 続きを読む

eGaN FETの利点を完全に活用するための実践的なレイアウト技術

eGaN FETの利点を完全に活用するための実践的なレイアウト技術

電子機器のトレンドは、特性を向上させながら継続的に小型化を進めることです。シリコンMOSFET技術が、その理論限界にどんどん近づくと共に、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)FETが、パワーFETのスイッチング特性を一段と改善するために登場し、これによって、サイズを縮小し、効率を高めることによって、電力密度を新しい次元に高めることが可能です。この記事では、EPC社のeGaN FETの利点を完全に活用するために必要なレイアウトの推奨技術を探ります。

By: Ivan Chan、David Reusch博士
米EEWeb:米Modern Printed Circuits誌
2015年8月
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