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Efficient Power Conversion(EPC)、当社のeGaN FETとルネサス エレクトロニクスの新しいDC-DCコントローラを搭載した48 V入力、12V出力のデモ・ボードを製品化:GaNはシリコンと同じくらい使いやすい

Efficient Power Conversion(EPC)、当社のeGaN FETとルネサス エレクトロニクスの新しいDC-DCコントローラを搭載した48 V入力、12V出力のデモ・ボードを製品化:GaNはシリコンと同じくらい使いやすい

ルネサス エレクトロニクスのデュアル同期整流型GaNバック・コントローラとEPC(Efficient Power Conversion)の超高効率eGaN® FETの組み合わせによって、シリコンと同じBOM(部品表)サイズとコストで高い電力密度と効率が実現できます。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2月9日、わずか33 mm✕22.9 mm✕9 mm(1.3✕0.9✕0.35インチ)と小さな1/16ブリック・サイズの300 WのDC-DCデモ・ボード「EPC9157」を製品化しました。このデモ・ボードEPC9157は、ルネサス エレクトロニクスの80 Vのデュアル同期整流型バック・コントローラISL81806と、EPCの最新世代eGaN FETであるEPC2218とを統合し、25 Aで、48 V入力から12 Vの安定化出力への変換で95%を超える効率を実現できます。

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米Monolithic Power Systems(MPS)とEfficient Power Conversion(EPC)、高密度コンピューティングやデータセンター向けに48 V入力、6 V出力のLLCモジュール・ファミリーを製品化、DC-DC電力変換を再定義へ

米Monolithic Power Systems(MPS)とEfficient Power Conversion(EPC)、高密度コンピューティングやデータセンター向けに48 V入力、6 V出力のLLCモジュール・ファミリーを製品化、DC-DC電力変換を再定義へ

米MPS(Monolithic Power Systems)のコントローラとEPCの超効率eGaN® FETの組み合わせによって、高効率、低コストのLLC DC-DC変換において、1700 W / 立方インチと最高クラスの電力密度を実現可能にします。

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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)統合パワー段を搭載した300 Wの双方向1/16ブリックを製品化、高密度コンピューティングやデータセンター向け

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)統合パワー段を搭載した300 Wの双方向1/16ブリックを製品化、高密度コンピューティングやデータセンター向け

パワー段ePower™ StageのEPC2152は、パワー・モジュールのEPC9151で実証された高電力密度、低コストのDC-DC変換向けに、より高い性能とより小型なソリューションを実現可能にします。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は12月15日、わずか33 mm×22.9 mm(1.3×0.9インチ)と非常に小型の1/16ブリック形状の300 Wの双方向DC-DC電圧レギュレータ「EPC9151」を製品化したと発表しました。パワー・モジュールのEPC9151は、EPCのePower™ Stage集積回路であるEPC2152と、米マイクロチップ・テクノロジーのデジタル・シグナル・コントローラ(DSC)であるdsPIC33CKを搭載し、48 Vから12 Vへの降圧(または、12 Vから48 Vへの昇圧)の300 W のコンバータ設計で、効率95%以上が得られます。このスケーラブルな2相設計に、相を追加すれば、さらに電力を増やすことができます。

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Efficient Power Conversion(EPC)、最高クラスの同期整流性能と、ハイエンド・サーバーや民生用電子機器向け電源のアプリケーションを獲得できるコストを実現可能な170 VのeGaN FETを発売

Efficient Power Conversion(EPC)、最高クラスの同期整流性能と、ハイエンド・サーバーや民生用電子機器向け電源のアプリケーションを獲得できるコストを実現可能な170 VのeGaN FETを発売

EPCは、170 V、6.8 mΩのeGaN® FETであるEPC2059を製品化し、高性能の48 V同期整流用に、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で、信頼性が高く、低コストのデバイスを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は11月10日、eGaN FET の「EPC2059」(6.8 mΩ、170 V)を発売し、既製品の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。このデバイスは、幅広い電力レベルと価格帯に適した100 V〜200 Vソリューション・ファミリーの最新の製品です。これらは、48 V〜56 Vのサーバーやデータセンター向け製品の需要の高まり、および、ゲーム用パソコンなどのハイエンド・コンピューティング、液晶/LED(発光ダイオード)のテレビ、LED照明といった一連の民生用電子機器の電源用途に対応するように設計されています。

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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)技術を使った最先端技術で、人工知能、ロボット、ドローン、自動運転車、高品質オーディオ・システムの設計法を学ぶビデオを公開

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)技術を使った最先端技術で、人工知能、ロボット、ドローン、自動運転車、高品質オーディオ・システムの設計法を学ぶビデオを公開

EPCは、窒化ガリウムのFETとICを使った人工知能(AI)の高密度コンピューティングや、ロボット、ドローン、クルマ向けLidar、D級オーディオなどの最先端アプリケーションと信頼性に焦点を当てた教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズの追加モジュールを公開しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月22日、人気のあるビデオ・ポッドキャスト・シリーズ「GaNの利用法」を更新し、公開したと発表しました。このシリーズの今回の公開に含まれる6本のビデオは、GaN技術を使って、AI(人工知能)サーバーや超薄型ノートパソコン向けの最先端DC-DCコンバータや、ロボット、ドローン、自動運転車向けのLidar(光による検出と距離の測定)、可能な限り最高品質のオーディオ・システムを設計することに役立つ実践的な例を提供します。

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2019年のデータセンター・パワー

2019年のデータセンター・パワー

2025年までにデータが175ゼタバイト以上になると予想されています。データセンターの建設と配置、および既存の旧式のもののアップグレード努力は、2020年に日本で開催されるオリンピックに加えて、人工知能(AI:artificial intelligence)や機械学習(ML:machine learning)の成長において本格的に始まる5Gの出現で急速に拡大しています(6Gは、将来の開発としてすでに議論されています)。

サイズ、効率、速度が重要なデータセンターのパワー・アーキテクチャにおいて、GaNが最適なパワー・トランジスタであるべきだということは、私にとって非常に理にかなっています。48 V入力のすべての回路構成で、最高の効率がGaNデバイスで達成されました。

米EDN誌
2019年6月
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EPC:詰め込みの先へ

EPC:詰め込みの先へ

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、彼のGaNデバイスが性能と価格でシリコンを凌駕していると考えている、とRebecca Pool氏は報告しています。

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidowにとって、今年のPCIM Europe 2019はアプリケーションに絞られました。最終製品の中にある無数のエンハンス・モードGaN FETとICを示し、先進的なコンピューティングや自動車の48 V入力のDC-DC電力変換のために、同社は大きな役割を果たしています。

英Compound Semiconductor誌
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サーバーや自動車における48 VのDC / DC電力変換向けGaNを強化

サーバーや自動車における48 VのDC / DC電力変換向けGaNを強化

EPC(Efficient Power Conversion)は最近、48 Vのサーバーや自動車のニーズに対応できる100 Vの新しいGaNデバイス2種を製品化しました。私は、プロセッサだけでなく、自動車システムやエネルギー蓄積システム(私の記事である双方向DC / DC電源:私たちはどちらに行くのか?、を参照してください)の双方向電源に対する48 Vサーバー電源ソリューションを、近々、公開される米EDN誌だけの記事で調べる予定です。GaNパワー・トランジスタは、この種のアーキテクチャの一部として「必須」です。私の視点からすると、これ以上良い選択肢はありません。

米Planet Analog誌
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48 Vバスからグラフィックス・プロセッサへの電力供給

48 Vバスからグラフィックス・プロセッサへの電力供給

新しいコンバータ構成とパワー・トランジスタが、次世代人工知能(AI)のプラットフォームを動かすだろう電源のサイズを小型化し、効率を高めると断言できます。48 V入力のすべての回路構成において、最高の効率はGaNデバイスを使うことによって得られます。これは、容量が小さくサイズが小さいためです。GaNパワー・トランジスタの最近の低価格化に伴って、シリコン・ベースのコンバータとのコスト比較は今、すべての最先端のソリューションにおいてGaNが非常に優勢になりました。

米オンライン・ニュースPower Electronic Tips
2019年3月
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eGaN FETとICを使った最も小型で最も高効率の48 V入力、5 V~12 V出力のDC-DCを実現

eGaN FETとICを使った最も小型で最も高効率の48 V入力、5 V~12 V出力のDC-DCを実現

最新のデータセンターで電源アーキテクチャが12 Vの電力バス分配から48 Vへと移行していることに伴って、48 V系の電力変換効率と電力密度の向上への要求が高まっています。この流れに沿って、eGaN® FETとICを使って設計されたDC-DCコンバータは、高効率化と高電力密度化のソリューションを実現できます。加えて、マイルドハイブリッド、ハイブリッド、およびプラグイン・ハイブリッドの電気自動車における48 V電源システムに対して、GaNトランジスタは、大きさ、重さ、および部品表(BOM)のコスト削減を提供することができます。

米Power Systems Design誌
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GaNベースのVRMハイブリッド・コンバータ、48 V入力、1〜2 V / 10 A出力の電力変換で95%の効率を達成

GaNベースのVRMハイブリッド・コンバータ、48 V入力、1〜2 V / 10 A出力の電力変換で95%の効率を達成

48 Vのバス・アーキテクチャの出現によって、窒化ガリウム(GaN)・トランジスタを使う新しいハイブリッド・コンバータを採用することができ、95%を超えるピーク効率と225 W / 立方インチの電力密度を達成することができます。省エネのために軽負荷時の効率が重要なデータセンターのアプリケーションにおいて大きな関心事であるコンバータの効率は、出力20%まで下げても90%以上と高く維持されています。

米オンラインのPowerPulse
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Efficient Power Conversion(EPC)、5 MHz、出力14 Aで、12 V入力、1.8 V出力のシステムの効率85%以上を実現できる高周波モノリシック窒化ガリウム・ハーフブリッジを製品化

Efficient Power Conversion(EPC)、5 MHz、出力14 Aで、12 V入力、1.8 V出力のシステムの効率85%以上を実現できる高周波モノリシック窒化ガリウム・ハーフブリッジを製品化

GaNハーフブリッジのEPC2111は、12 Vから1.8 Vに変換するPOL(負荷点)システム全体の効率を、スイッチング周波数5 MHz、出力14 Aで効率85%以上、スイッチング周波数10 MHzでは80%以上に向上できるソリューションを電源システム設計者に提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年6月1日、耐圧30Vのエンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジEPC2111」を製品化しました。2つのeGaN®パワーFETをワン・チップに集積することによって、プリント回路基板上で必要な相互接続のインダクタンスを排除でき、チップ間のスペースが不要になります。これによって、効率(特に高い周波数)と電力密度の両方が向上し、最終ユーザーの電力変換システムの組み立てコストが削減できます。EPC2111は、12 VからPOL(負荷点)への高周波のDC-DC変換に最適です

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48 Vから1 Vへの変換:ダイレクト・ツー・チップ電源の復活

48 Vから1 Vへの変換:ダイレクト・ツー・チップ電源の復活

ドイツのニュルンベルクで開催された先週のPCIM Europe会議では、48 Vから1 Vへの直接電力変換アーキテクチャが重要なトピックでした。「48 V入力、1 V出力のダイレクトDC-DCコンバータにGaNスイッチを使うと、今日の最高のシリコン・ベースの設計と比べて、システム性能を30%向上させることができます」とEfficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)はコメントしています。

米PowerPulse
2017年5月31日
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パワー・チップではあるが、私たちが知っているようなものではない

パワー・チップではあるが、私たちが知っているようなものではない

Max Smolaks氏は、電源系統のシリコンに代わる新しい材料である窒化ガリウムを歓迎しています。

過去35年間、ほとんどの電源は、パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、すなわち、電気をオン/オフしたり、状態を調整したりするために使われるシリコン製の電圧制御デバイスに依存していました。

英Data Center Dynamics誌
2017年4月19日
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GaNがシリコンのデータセンターのランチをじろじろ見る

GaNがシリコンのデータセンターのランチをじろじろ見る

ディープ・ラーニング(深層学習)の普及に伴い、データセンターの電力密度の問題が再び浮上し、特化したクラウド・サービスの新しいビジネス・チャンスが生まれ、ラック当たり30 kWのノースをサポートできる施設でホストされるので、電力変換分野の企業は、システムのエネルギー効率を高めて、この密度の問題に取り組むことができます。電力変換チップの半導体材料として、シリコンを窒化ガリウム(GaN)に置き換えることによって、はるかに小型でエネルギー効率の高いデバイスが得られ、より高速なスイッチングが可能になります。

米Data Center Knowledge
2017年2月
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スライドキャスト:ポストシリコンの世界でサーバー電源のアーキテクチャを再考

スライドキャスト:ポストシリコンの世界でサーバー電源のアーキテクチャを再考

このスライドキャストで、EPCのAlexander Lidow(アレクス・リドウ)は、いかに同社が窒化ガリウム(GaN)で技術革新をリードしているか、について説明します。電子機器の基盤としてのシリコンよりも一段と効率が高いGaNは、データセンターの膨大なエネルギーを節約し、ムーアの法則を超えてコンピュータ業界を後押しする可能性を秘めています。

米insideHPC誌
2016年7月20日
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効率改善のためのデータセンターの次世代電源ソリューション

効率改善のためのデータセンターの次世代電源ソリューション

クロード・シャノンが1と0、すなわち基本的な2進数に情報の伝達を削減し、1948年に『通信の数学的理論』を書いたとき、すべてが始まりました。その理論は、現実世界の雑音に満ちた環境で誤りなしにデータを伝送する能力につながりました。シャノンは、2016年4月30日に100歳になっていたでしょう。

米EDN Network誌
Steve Taranovich
2016年4月16日
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サーバーの電力効率向上のため探求

サーバーの電力効率向上のため探求

エネルギー・ハーベスティング(環境発電)やワイヤレス・パワー伝送のような魅力的なテーマが、来週のAPEC会議で「ゲスト出演」する可能性があります。GaNトランジスタの展開を注意深く見ましょう。しかし、現在の生活を支える「ブレッド・アンド・バター」を維持するためには、データセンターのエネルギー伝送効率の改善を推進することです。

米EE Times誌
By: Stephan Ohr、コンサルタント、半導体業界アナリスト
2016年3月16日
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ポストシリコンの世界でサーバーの電源アーキテクチャを再考

ポストシリコンの世界でサーバーの電源アーキテクチャを再考

私たちの社会の中で、情報への需要は、かつてない速度で拡大しています。より大量の情報に、より高速にアクセスしたいという傾向は、クラウド・コンピューティングや、あらゆるモノをインターネットでつなぐIoT(Internet of Things)のような技術の出現で、減速の兆しがありません。情報の高速な伝送を可能にするものは、ほとんどのデータが集中するラックやサーバーのラックにあります。

米EEWeb誌
Alex Lidow博士、David Reusch博士、John Glaser博士
2016年3月
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48Vから負荷電圧を得る

48Vから負荷電圧を得る

GaNトランジスタを搭載した低電圧DC/DCコンバータの特性を改善:。
一般に入手可能で費用対効果の高い窒化ガリウム(GaN)・パワー・トランジスタの出現は、パワー・エレクトロニクスの新たな時代の始まりです。入力電圧が約48 VDCで負荷電圧が1 VDCと低い既存のデータセンターや通信アーキテクチャのパワー・コンバータに、エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET(eGaN FET)デバイスを利用する大きな利点があります。高性能GaNパワー・トランジスタは、従来のSi MOSFETベースのアーキテクチャで得られる効率よりも高くでき、電力密度も高められるので、データセンターや通信システムを強化する新しいアプローチが可能になります。

米Power Systems Design誌
David Reusch博士、John Glaser博士
2016年1月25日
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