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EPC:詰め込みの先へ

EPC:詰め込みの先へ

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、彼のGaNデバイスが性能と価格でシリコンを凌駕していると考えている、とRebecca Pool氏は報告しています。

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidowにとって、今年のPCIM Europe 2019はアプリケーションに絞られました。最終製品の中にある無数のエンハンス・モードGaN FETとICを示し、先進的なコンピューティングや自動車の48 V入力のDC-DC電力変換のために、同社は大きな役割を果たしています。

英Compound Semiconductor誌
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高速GaNトランジスタの測定技術の評価

高速GaNトランジスタの測定技術の評価

GaNトランジスタが提供するスイッチング速度の向上には、優れた測定技術と、高速波形の重要な詳細を把握するための優れた技術が必要です。この記事では、高性能GaNトランジスタを正確に評価するために、ユーザーの要求と測定技術のための測定装置を活用する方法を中心に説明します。さらに、非接地基準の波形で使うための高い帯域幅の差動プローブも評価します。

米ニュース・サイトEDN Network
By Suvankar Biswas , David Reusch & Michael de Rooij
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Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN FETと高速同期ブートストラップ構成を利用した15 MHz動作のハーフブリッジ開発基板を製品化

Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN FETと高速同期ブートストラップ構成を利用した15 MHz動作のハーフブリッジ開発基板を製品化
EPC社の新しい開発基板は、バック(降圧型)・コンバータ、またはZVSのD級アンプのいずれかに構成することができ、eGaN FETの同期ブートストラップで強化されたゲート駆動を利用して高周波での損失の低減を実現できます。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2016年3月30日、開発基板3品種(EPC9066、EPC9067、EPC9068)を製品化しました。いずれもバック(降圧型)・コンバータ、またはZVS(ゼロ電圧スイッチング)のD級アンプとして構成できます。これらの基板は、電源システムの設計者が、窒化ガリウム・トランジスタの優れた特性を簡単に評価する方法を提供するので、設計者は、自分の製品を迅速に量産に移行することができます。今回の3種の基板はすべて、最高15 MHzまでの高周波動作時の効率を高めるために、逆回復電荷(QRR)がゼロの同期ブートストラップ整流器で強化されたゲート・ドライバを備えていることが特徴です。各基板は、バック型やZVSのD級アンプの構成において、最大で2.7 Aの出力電流を供給することができます。損失の低減は、全電流範囲にわたって実現されます。 続きを読む

Efficient Power Conversion(EPC)、通信、産業、医療の用途向けに、入力が広く20A出力のGaNベースのバック・コンバータのデモ・ボードを製品化

Efficient Power Conversion(EPC)、通信、産業、医療の用途向けに、入力が広く20A出力のGaNベースのバック・コンバータのデモ・ボードを製品化
EPC9118は、最大48 V、および、それ以上の電源電圧で、高周波スイッチング可能なeGaN® FETを使う電力変換の小型化と高効率化を容易に実現できます。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年10月21日、完全に機能するバック(降圧)型電力変換のデモ回路「EPC9118」を製品化しました。この基板は、30 V~60 Vの入力から5 Vを出力し、最大出力電流20 Aで400 kHzで動作するバック・コンバータです。エンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC2001とEPC2015、および、バック・コントローラLTC3891を搭載しています。このバック・コンバータの設計は、通信、産業、医療の用途における分散型電源ソリューションに最適です。 デモ・ボードのEPC9118は、完全なパワー段(2個のeGaN FET、ドライバ、コイル、および、入力/出力のコンデンサなどで構成)を面積1インチ×1.3インチ(1インチは2.54cm)にレイアウトし、eGaN ... 続きを読む

Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN FET搭載の効率96%、1 MHzのバック・コンバータのデモ・ボードを製品化

EPC9107は、高周波スイッチング用eGaNパワー・トランジスタを使って構成した電力変換において、サイズの削減と効率の向上を実現します。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年6月19日、完全な機能を備えたバック(降圧)型電力変換のデモ回路「EPC9107」を製品化しました。この基板は、9 V~28 Vの範囲の入力を3.3 Vに変換し、最大出力電流15 A、1 MHz動作のバック・コンバータです。米テキサス・インスツルメンツ社の耐圧100 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバEPC2015と連携するeGaN FET(LM5113)を使っています。このeGaN専用ドライバと組み合わせたとき、EPC9107は、高周波スイッチング用eGaN FETによるサイズの削減と特性の実力を実証します。 デモ・ボードEPC9107は、面積が3インチ(1インチは2.54cm)角で、最適化された制御ループを備えた完全な閉ループのバック・コンバータが搭載されています。eGaN FET、ドライバ、コイル、入/出力コンデンサを含む完全なパワー段は、eGaNドライバLM5113と共にeGaN ... 続きを読む

The eGaN FET-Silicon Power Shoot-Out: Part 2 – Drivers, Layout

eGaN FETs differ from silicon MOSFETs in part because of their significantly faster switching speeds. In the second article of this series, we explore the different requirements for gate drive, layout, and thermal management.

By Johan Strydom PHD, Director of Application Engineering, EPC
Power Electronics Technology
January 1, 2011

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