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GaN HEMTは、主要な成長用途でMOSFETよりも優れています

GaN HEMTは、主要な成長用途でMOSFETよりも優れています

シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。シリコンMOSFETは、パワー・エレクトロニクスの理論上の限界に達しており、基板スペースが限られているため、パワー・システムの設計者は代替品を必要としています。窒化ガリウム(GaN)は、高電子移動度トランジスタ(HEMT)半導体であり、新たに出現したアプリケーションに真の付加価値を提供しています。

米EETimes誌
2020年8月
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宇宙ミッション向けGaNトランジスタ

宇宙ミッション向けGaNトランジスタ

GaNパワー・トランジスタは、極めて厳しい宇宙ミッションをサポートするためのパワーやRFの用途に対して理想的な選択肢です。米EPC Space社は、新しいeGaN®ソリューションによって宇宙の商用衛星の厳しい用途向けに特別に設計されたデバイスに対して、耐放射線特性やSEE(シングル・イベント効果)の耐性を保証します。これらのデバイスは、非常に高い電子移動度と、非常に低いオン抵抗RDS(on)値と共に小さい温度係数を備えています。

米EETimes誌
2020年7月
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エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・パワー・デバイスの放射線特性

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・パワー・デバイスの放射線特性

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)技術は、これまで実現できなかった高周波、高効率、高電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。 eGaNデバイスは、シリコンMOSFETと比べて、優れた耐放射線性も示します。

独Bodo’s Power Systems
2020年6月
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Efficient Power Conversion(EPC)と米VPT社、合弁会社EPC Space社を設立:ミッション・クリティカルな用途向けの耐放射線パワー・エレクトロニクス市場を狙う

Efficient Power Conversion(EPC)と米VPT社、合弁会社EPC Space社を設立:ミッション・クリティカルな用途向けの耐放射線パワー・エレクトロニクス市場を狙う

合弁企業であるEPC Space社は、先進的な高信頼性の窒化ガリウム(GaN)電力変換ソリューションを環境が厳しい宇宙やその他の高信頼性環境に提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)と米 HEICO社(NYSE:HEI.A)(NYSE:HEI)傘下の米VPT社は6月16日、衛星や高信頼性用途向けパッケージに封止し、テストし、認定された耐放射線特性を強化した(Rad Hard)GaNオン・シリコンのトランジスタとICの設計と製造に焦点を当てた合弁会社EPC Space社を設立したと発表しました。

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宇宙におけるGaN

宇宙におけるGaN

この記事では、宇宙空間への旅行を可能にした宇宙船の忘れられた、または、ほとんど気づかれていない部分、つまり、宇宙船のパワー・マネージメント(電源管理)について説明しました。窒化ガリウム(GaN)、炭化ケイ素(SiC)、さらに、ダイヤモンドなどのワイド・バンドギャップ半導体は、シリコンの発見以来、将来の電子部品の最も有望な材料と期待されています。これらの技術は、その設計に依存する電力能力(直流およびマイクロ波)、放射線耐性、高温および高周波の動作、光学特性、さらには低雑音能力という点で大きな利点があります。したがって、ワイド・バンドギャップ部品は、次世代の宇宙搭載システムの開発にとって戦略的に重要です。eGaNデバイスは、宇宙産業で急速に存在感が大きくなっており、NASA、および、Artemis(アルテミス:Advanced Relay and Technology Mission、欧州宇宙機関が開発した衛星間光通信などの高度な通信技術の実証を目的とした試験用の静止データ中継衛星)のような将来のプログラムや世界中の国々での宇宙への取り組みを追求するこの他のプログラムにおける商業的な請負業者によって、このデバイスの多くの用途が生まれてくるでしょう。

米Power Systems Design誌
2019年11月
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GaNが衛星の力になる

GaNが衛星の力になる

小型衛星は、地球低軌道(LEO)のミッションに対して、より費用効果の高いアプローチであり、世界中に低コストのインターネット・アクセスを提供することに貢献します。このアプリケーションでは、耐放射線特性を強化したパルス幅変調コントローラとGaN FETドライバとを組み合わせたGaN FETは、従来のシリコンの対応品と比べて、より高効率なスイッチング、より高い動作周波数、より低いゲート駆動電圧、より小さなソリューション・サイズを実現可能にします。

英Electronics Weekly誌
July, 20192019年7月 記事を読む

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米インターシル社、衛星用途向け窒化ガリウム電力変換ICで市場をリードする耐放射線ポートフォリオを拡張

米インターシル社、衛星用途向け窒化ガリウム電力変換ICで市場をリードする耐放射線ポートフォリオを拡張

カリフォルニア州ミルピタス発のPRNewswire:革新的なパワー・マネージメント(電源管理)と高精度アナログ・ソリューションのリーディング・プロバイダである米インターシル社(NASDAQ:ISIL)は本日、衛星や他の過酷な環境のアプリケーション向けに、窒化ガリウム(GaN)の電力変換ICを含めた市場をリードする耐放射線ポートフォリオを拡張する計画を発表しました。

米PR Newswire誌
2016年5月25日
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米Freebird Semiconductor社とEPC社、衛星や過酷な環境の用途向けに耐放射線特性を強化した窒化ガリウムの電力変換システムの開発で協業

米Freebird Semiconductor社とEPC社、衛星や過酷な環境の用途向けに耐放射線特性を強化した窒化ガリウムの電力変換システムの開発で協業

Freebird Semiconductor社とEfficient Power Conversion(EPC)社は、eGaN®のパワー・トランジスタや集積回路を利用して、Freebird社が宇宙や過酷な環境の用途で信頼性高く使える製品を開発することで合意しました。

米Freebird Semiconductor社(本社:マサチューセッツ州ノース・アンドーバー)は2016年4月14日、エンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタのリーディング・プロバイダであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)と、EPC社のeGaN®技術を利用して、宇宙や過酷な環境の用途で信頼性高く使用できる製品を開発するための契約を締結したと発表しました。

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