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2019年のデータセンター・パワー

2019年のデータセンター・パワー

2025年までにデータが175ゼタバイト以上になると予想されています。データセンターの建設と配置、および既存の旧式のもののアップグレード努力は、2020年に日本で開催されるオリンピックに加えて、人工知能(AI:artificial intelligence)や機械学習(ML:machine learning)の成長において本格的に始まる5Gの出現で急速に拡大しています(6Gは、将来の開発としてすでに議論されています)。

サイズ、効率、速度が重要なデータセンターのパワー・アーキテクチャにおいて、GaNが最適なパワー・トランジスタであるべきだということは、私にとって非常に理にかなっています。48 V入力のすべての回路構成で、最高の効率がGaNデバイスで達成されました。

米EDN誌
2019年6月
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GaNがシリコン・パワーMOSFETに正面攻撃へ

GaNがシリコン・パワーMOSFETに正面攻撃へ

今日のGaN FETは、サイズと特性が急速に向上しています。このベンチマーク・デバイスは、まだ、その理論上の性能限界から300倍も離れています。初期のGaNの採用者は、速度が必要でした。大きな例には、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)システム、ドローン、ロボット、4G / LTE基地局があります。この量は増えており、今やGaNパワー・デバイスの価格は、より遅く、より大きく、そして老朽化しているパワーMOSFETと同等レベルになっています。そして、GaNの正面攻撃の時が来ました!

独Bodo’s Power Systems
2019年6月
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Efficient Power Conversion(EPC)、eGaNパワー・デバイスをウエハーの形で提供すると発表

Efficient Power Conversion(EPC)、eGaNパワー・デバイスをウエハーの形で提供すると発表

EPC(Efficient Power Conversion)は、パワー・システムの統合を容易にするため、業界をリードする窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスをウエハーの形態で提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月4日、統合化を容易にするため、業界をリードするエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)・デバイスをウエハーの形で提供すると発表しました。当社のeGaN® FETとICはこれまで、切り出したチップを、はんだバーまたははんだバンプを備えたチップスケール・デバイスとして販売していました。

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GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計

GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計

eGaN FETとICは、その小型、超高速スイッチング、低オン抵抗によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータ設計を可能にします。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限する要因は接合部の温度です。このため、より効果的な熱設計が必要になります。eGaN FETとICのチップスケール・パッケージは、6面冷却、すなわち、チップの裏面、表面、側面から効果的に放熱します。この記事では、eGaNベースのコンバータの出力電流能力を強化するための高性能熱ソリューションを紹介します。

米EDN誌
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EPC:詰め込みの先へ

EPC:詰め込みの先へ

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、彼のGaNデバイスが性能と価格でシリコンを凌駕していると考えている、とRebecca Pool氏は報告しています。

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidowにとって、今年のPCIM Europe 2019はアプリケーションに絞られました。最終製品の中にある無数のエンハンス・モードGaN FETとICを示し、先進的なコンピューティングや自動車の48 V入力のDC-DC電力変換のために、同社は大きな役割を果たしています。

英Compound Semiconductor誌
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PCIM Europe:パワーがイノベーションの中核にある展示会

PCIM Europe:パワーがイノベーションの中核にある展示会

今年のパワー・エレクトロニクス機器の国際展示会PCIM Europeには、1万2000人を超える記録的な訪問者が訪れました。半分以上(54%)がドイツ国外から参加しました。彼らは、500を超える出展者を見に来ました。主題は多様で広範囲にわたっていましたが、いくつかのテーマが際立ちました。特に、GaNとSiCが注目を集めました。Efficient Power Conversion(EPC)は、GaNがすでに製品化されている潜在力を示し、同社が2009年に発表したeGaN FET技術の例を数多く取り揃えていました。

英オンライン・ニュースElectronic Specifier
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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧80 Vの車載品質eGaN FETのEPC2214を製品化、Lidarシステムが一段と「良く見える」

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧80 Vの車載品質eGaN FETのEPC2214を製品化、Lidarシステムが一段と「良く見える」

Efficient Power Conversion(EPC)は、高分解能Lidar(光による検出と距離の測定)システム向けに最適化された耐圧80 Vの窒化ガリウム・トランジスタEPC 2214を製品化し、車載品質の規格AEC Q 101認定の製品ファミリーを拡張します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年4月16日、自動車産業やその他の過酷な環境におけるLidar(光による検出と距離の測定)システム向けに設計した耐圧80 Vの「EPC2214」がAEC Q101認定を取得したと発表しました。

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サーバーや自動車における48 VのDC / DC電力変換向けGaNを強化

サーバーや自動車における48 VのDC / DC電力変換向けGaNを強化

EPC(Efficient Power Conversion)は最近、48 Vのサーバーや自動車のニーズに対応できる100 Vの新しいGaNデバイス2種を製品化しました。私は、プロセッサだけでなく、自動車システムやエネルギー蓄積システム(私の記事である双方向DC / DC電源:私たちはどちらに行くのか?、を参照してください)の双方向電源に対する48 Vサーバー電源ソリューションを、近々、公開される米EDN誌だけの記事で調べる予定です。GaNパワー・トランジスタは、この種のアーキテクチャの一部として「必須」です。私の視点からすると、これ以上良い選択肢はありません。

米Planet Analog誌
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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN FETファミリーを拡張、48 V入力の DC-DC変換に最高クラスの性能とコストを提供へ

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN FETファミリーを拡張、48 V入力の DC-DC変換に最高クラスの性能とコストを提供へ
EPCは、すでに製品化したEPC2045、EPC2052、EPC2051に加えて、耐圧100 V、最大オン抵抗3.8 mΩのeGaN® FETであるEPC2053を製品化し、GaNトランジスタの100 Vファミリーを拡張しました。48 V入力の高性能DC-DC変換を、より高効率、より小型、より低コストで実現できます。 エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年4月3日、eGaN FET「EPC2053」(最大オン抵抗3.8 mΩ、耐圧100 V)を製品化したと発表しました。窒化ガリウム・トランジスタの市販品のコストを低価格化し、性能を向上しました。 続きを読む

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN® パワー・トランジスタを発売、48 V入力の DC-DC、モーター駆動、Lidarなどの用途向け

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN® パワー・トランジスタを発売、48 V入力の DC-DC、モーター駆動、Lidarなどの用途向け

EPC2052は、非常に小型のチップスケール・パッケージに収め、74 Aのパルス出力が可能な耐圧100 V、最大オン抵抗13.5mΩのパワー・トランジスタを発売しました。48 V入力、12 V出力の DC-DCパワー・コンバータにおいて、これらの新世代eGaN FETは、500 kHzで効率97%以上、1 MHzで96%以上を実現できました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年3月15日、最大オン抵抗RDS(on)が13.5 mΩで、高効率電力変換用に74 Aのパルス電流を出力でき、実装面積がわずか2.25 mm2と小型の耐圧100 VのGaNトランジスタ「EPC2052」を発売しました。

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48 Vバスからグラフィックス・プロセッサへの電力供給

48 Vバスからグラフィックス・プロセッサへの電力供給

新しいコンバータ構成とパワー・トランジスタが、次世代人工知能(AI)のプラットフォームを動かすだろう電源のサイズを小型化し、効率を高めると断言できます。48 V入力のすべての回路構成において、最高の効率はGaNデバイスを使うことによって得られます。これは、容量が小さくサイズが小さいためです。GaNパワー・トランジスタの最近の低価格化に伴って、シリコン・ベースのコンバータとのコスト比較は今、すべての最先端のソリューションにおいてGaNが非常に優勢になりました。

米オンライン・ニュースPower Electronic Tips
2019年3月
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Efficient Power Conversion(EPC)、APEC 2019でeGaN技術を使った高電力密度DC-DC変換および複数の高周波アプリケーションにおける業界最先端の性能を展示へ

Efficient Power Conversion(EPC)、APEC 2019でeGaN技術を使った高電力密度DC-DC変換および複数の高周波アプリケーションにおける業界最先端の性能を展示へ

EPCは、GaN技術の優れた性能が、コンピュータ、通信、自動車などの業界全体の電力供給をどのように変えているかを示すライブ・デモを実施する予定です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は、当社のチームが2019年3月6日、3月17日~21日に米国カリフォルニア州アナハイムで開催されるAPEC 2019 で、窒化ガリウム(GaN)技術とその応用に関する11件の技術発表を行うと発表しました。さらに、eGaN技術によって実現されるユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを展示する予定です。

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GaNの力と進化、パート6:GaN技術の採用とロードマップ

GaNの力と進化、パート6:GaN技術の採用とロードマップ

この連載の最後の記事では、GaNがシリコンを置き換えるための要件をどのように満たしているかを調べます。GaNの採用率が爆発的に拡大するにつれて、GaNは、わずか数年の短い間に多くの進歩を遂げましたが、それでもまだ理論的な性能限界にはほど遠いので、引き続き達成できる大きな改善があることを忘れないでくださいことが大切です。やがて、GaNオン・シリコンの性能およびコスト上の利点によって、現在、シリコン・ベースのデバイスを使っている大部分の用途において、より小型、より高速、より安価、より高信頼性のGaN技術に変換されることになるでしょう。

米Power Systems Design誌
2019年2月
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Efficient Power Conversion(EPC)、アジア・チームを強化、ユーザーのソリューションでイノベーション力を引き出す

Efficient Power Conversion(EPC)、アジア・チームを強化、ユーザーのソリューションでイノベーション力を引き出す

Efficient Power Conversion(EPC)は、DC-DC、LiDAR(光による検出と距離の測定)、ワイヤレス・パワーなどのアプリケーションに対する顧客基盤を拡大するための支援策の一環として、アジア太平洋地域の21地域のユーザーと密接な新しいメンバーと共にアジア・ベースのチームを拡大します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年11月28日、アジアにおける販売拡大を加速するために、アジア太平洋地域におけるセールスやFAE(フィールド・アプリケーション・エンジニア)のチームを拡大すると発表しました。これによって、拡大している顧客基盤をサポートし、新規事業の獲得を増やし、新しい市場機会を捉えることが狙いです。

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Efficient Power Conversion(EPC)、GaNパワー・モジュールを製品化、48 V入力、12 V出力のDC-DC向けに電力密度1400 W / 立方インチ以上を実現、POL(負荷点)変換で最高10 MHzで動作

Efficient Power Conversion(EPC)、GaNパワー・モジュールを製品化、48 V入力、12 V出力のDC-DC向けに電力密度1400 W / 立方インチ以上を実現、POL(負荷点)変換で最高10 MHzで動作
Efficient Power Conversionのパワー・モジュールEPC9204とEPC9205は、高周波でスイッチングできるeGaN®パワー・トランジスタと集積回路を使ったDC-DC電力変換で実現された超小型化と効率向上を実証します。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年3月6日、48 V入力からPOL(負荷点)電源アーキテクチャへの効率を高められるDC-DC変換用の新しいGaNパワー・モジュール2品種を発表しました。その1品種の「EPC9205」は、48 V入力から12 V出力に変換する用途向けの高電力密度のプリント回路基板ベースのパワー・モジュールで、もう1品種の「EPC9204」は、超薄型のプリント回路基板ベースのパワー・モジュールで、20 V入力からPOLへの変換に対応しています。 続きを読む

Efficient Power Conversion(EPC)、48 V入力、12 V出力のGaNベースの安定化した電源開発基板を製品化、1立方インチ当たり1250 W以上で効率96%以上を実現

Efficient Power Conversion(EPC)、48 V入力、12 V出力のGaNベースの安定化した電源開発基板を製品化、1立方インチ当たり1250 W以上で効率96%以上を実現

Efficient Power Conversionの5相開発基板EPC9130は、高速でスイッチングできるeGaN®パワー・トランジスタを使って実現された電力変換で超小型化と効率向上を実証します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年3月5日、48 V入力、12 V出力の完全に安定化された非絶縁型開発基板「EPC9130」を製品化しました。この開発基板は、1相当たりの出力電流が12 Aの5相構成で、最大出力電流は60 Aなので、出力電力は700 W以上が得られます。EPC9130は、1250 W /立方インチを超える極めて高い電力密度と96%以上の効率を実現しています。

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48 Vから1 Vへの変換:ダイレクト・ツー・チップ電源の復活

48 Vから1 Vへの変換:ダイレクト・ツー・チップ電源の復活

ドイツのニュルンベルクで開催された先週のPCIM Europe会議では、48 Vから1 Vへの直接電力変換アーキテクチャが重要なトピックでした。「48 V入力、1 V出力のダイレクトDC-DCコンバータにGaNスイッチを使うと、今日の最高のシリコン・ベースの設計と比べて、システム性能を30%向上させることができます」とEfficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)はコメントしています。

米PowerPulse
2017年5月31日
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効率改善のためのデータセンターの次世代電源ソリューション

効率改善のためのデータセンターの次世代電源ソリューション

クロード・シャノンが1と0、すなわち基本的な2進数に情報の伝達を削減し、1948年に『通信の数学的理論』を書いたとき、すべてが始まりました。その理論は、現実世界の雑音に満ちた環境で誤りなしにデータを伝送する能力につながりました。シャノンは、2016年4月30日に100歳になっていたでしょう。

米EDN Network誌
Steve Taranovich
2016年4月16日
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