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Efficient Power Conversion(EPC)と米マイクロチップ・テクノロジー、高密度コンピューティングやデータセンター向けの48 V入力、12 V 出力で300 Wの1/16ブリックDC-DCコンバータのデモ・ボードを開発

Efficient Power Conversion(EPC)と米マイクロチップ・テクノロジー、高密度コンピューティングやデータセンター向けの48 V入力、12 V 出力で300 Wの1/16ブリックDC-DCコンバータのデモ・ボードを開発

米マイクロチップ・テクノロジーのデジタル信号コントローラとEPC(Efficient Power Conversion)の超高効率eGaN® FETの組み合わせによって、高効率、低コストのDC-DC変換に対して最高クラスの電力密度730 W / 立方インチが可能になります。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は7月14日、1/16ブリック・サイズの300 WのDC-DC電圧レギュレータ「EPC9143」を製品化したと発表しました。このパワー・モジュールEPC9143は、米マイクロチップ・テクノロジーのデジタル信号コントローラ(DSC)のdsPIC33CKとEPCの最新世代のeGaN FETであるEPC2053を統合し、25 Aにおける48 V入力から12 V出力への変換で効率96%を実現しています。スイッチング周波数500 kHzにおいて、面積がわずか33 mm×22.9 mm(1.3×0.9インチ)と非常に小型の1/16ブリックの形状で300 Wが得られます。このスケーラブルな2フェーズ設計に、さらにフェーズを追加して、電力を増やすことができます。マイクロチップのデジタル・コントローラの柔軟性によって、入力電圧を8 V〜72 Vの範囲、出力電圧を3.3 V〜25 Vの範囲で調整できます。

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Efficient Power Conversion(EPC)、ユーザーのアプリケーションに搭載した高電力密度eGaN FETとePower Stage ICを展示へ:PCIM Europe 2020 Digital Daysで

Efficient Power Conversion(EPC)、ユーザーのアプリケーションに搭載した高電力密度eGaN FETとePower Stage ICを展示へ:PCIM Europe 2020 Digital Daysで

Efficient Power Conversion(EPC)は、最新のePower™ Stage ICファミリーの製品をPCIM Europe 2020 Digital Daysで展示し、GaN技術の優れた性能が、コンピューティング、通信、ロボット、輸送への電力供給をどのように変えているかを示します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月24日、当社のチームが、7月7〜8日に開催されるPCIM Europe 2020 Digital Daysで3件の技術プレゼンテーションを行い、窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションに関する2件のパネル・ディスカッションに参加すると発表しました。さらに、イベントの仮想展示にも参加し、eGaN技術を迅速に採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを出展します。

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超薄型降圧コンバータの設計:多相対マルチレベル

超薄型降圧コンバータの設計:多相対マルチレベル

過去10年間で、コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、および、その他の民生用電子機器システムは、より薄くなると同時に、より大電力にもなりました。結果として、これらの市場は、より大きな電力密度を備えたより薄型の電源ソリューションに対する需要を拡大し続けています。この記事では、さまざまな非絶縁型DC-DC降圧構成を、48 V〜20 V、250 Wの超薄型電源ソリューションに採用することの実現可能性について検討します。

米How2Power誌
2020年5月
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GaNと48 V:どこに行くのか、どこに行こうとしているのか?

GaNと48 V:どこに行くのか、どこに行こうとしているのか?

3年前、中耐圧のeGaN FETの製造コストは、同等の定格のパワーMOSFETのコストを下回りました。当時、EPCはeGaN FETの性能とコスト上の利点を利用して、入力または出力の電圧が約48 Vのアプリケーションを積極的に追求することにしました。具体的には、自動車やコンピュータのアプリケーションでは、パワー・システムにおいて、48 V変換が新しいアーキテクチャ、新しい標準になりつつあります。

米Power Systems Design誌
2020年3月31日
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Efficient Power Conversion(EPC)、ePower Stage ICファミリーを製品化、電力変換を再定義へ

Efficient Power Conversion(EPC)、ePower Stage ICファミリーを製品化、電力変換を再定義へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、DC-DC変換、モーター駆動、D級オーディオなどの高電力密度アプリケーション向けに、高性能で小型のソリューションを提供する最初の新しい集積回路(IC)ファミリーを製品化します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月17日、高密度コンピューティング用途やイーモビリティ用モーター駆動で使われる48 V入力のDC-DC変換向けに設計した耐圧80 V、12.5 Aのパワー段集積回路を製品化しました。

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窒化ガリウムの新機能?

窒化ガリウムの新機能?

Alex Lidow(アレックス・リドウ)は、Efficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)です。おそらく窒化ガリウムの最も著名な提唱者であり、2009年に最初のGaNトランジスタを製品化しました。10年にわたる製品販売を踏まえて、独DESIGN&ELEKTRONIK誌の編集者であるRalf Higgelkeが彼に会い、その分野の最新の進歩について話しました。

独DESIGN&ELEKTRONIK誌
2020年2月20日
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電力変換用GaN

電力変換用GaN

シリコンが理論的な限界に近づいているため、新しい設計では、GaNデバイスの採用が継続的に進展しています。GaNデバイスは、その進化の初期段階にあり、性能と統合の進展によって、多くの製品が登場しています。

英Electronics Weekly誌
2019年12月
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GaNの先行き

GaNの先行き

GaNのパワー・トランジスタとICの使わずに済ますことは、ますます難しくなってきています、とAlex Lidow(アレックス・リドウ)は言っています。eGaN FETなどのGaNオン・シリコンのパワー・トランジスタを通信、自動車、医療、コンピュータで使う多くの理由があります。小型、高速、低コスト、高集積のGaNオン・シリコン・デバイスは、電力変換のすべての用途で設計者の信用と信頼を得るために10年を費やしてきました。

英Electronic Specifier誌
2019年11月20日
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受賞したGaNアプリケーションに関するAlex Lidowへのエグゼクティブ・インタビュー

受賞したGaNアプリケーションに関するAlex Lidowへのエグゼクティブ・インタビュー

ドイツのミュンヘンでの12月のパワー会議に先立ち、Bodo Arlt氏は、現在、GaN市場がどこにあり、将来の潜在的なアプリケーションがどこにあるとみているかについて、Alex Lidow(アレックス・リドウ)の見通しを聞く機会を得ました。Lidow博士は、Efficient Power Conversion(EPC)のCEO(最高経営責任者)で共同設立者です。

独Bodo’s Power Systems
2019年11月
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Efficient Power Conversion(EPC)、欧州のシニアFAEマネージャにMarco Palma が就任

Efficient Power Conversion(EPC)、欧州のシニアFAEマネージャにMarco Palma が就任

Efficient Power Conversion(EPC)は、欧州の幅広いユーザーをサポートするために、技術的リーダーシップ・チームを拡大し、 DC-DCLidar(光による検出と距離の測定)Lidar(光による検出と距離の測定)、モーター制御などのアプリケーション向けeGaN® FETと集積回路の採用支援を強化します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は10月29日、加速する設計活動をサポートし、欧州のEPCのユーザーにその地域での技術サポートを提供するため、経験豊富なエキスパートであるMarco Palmaが欧州のシニアFAEマネージャとしてEPC技術リーダーシップ・チームに加わったと発表しました。

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2019年のデータセンター・パワー

2019年のデータセンター・パワー

2025年までにデータが175ゼタバイト以上になると予想されています。データセンターの建設と配置、および既存の旧式のもののアップグレード努力は、2020年に日本で開催されるオリンピックに加えて、人工知能(AI:artificial intelligence)や機械学習(ML:machine learning)の成長において本格的に始まる5Gの出現で急速に拡大しています(6Gは、将来の開発としてすでに議論されています)。

サイズ、効率、速度が重要なデータセンターのパワー・アーキテクチャにおいて、GaNが最適なパワー・トランジスタであるべきだということは、私にとって非常に理にかなっています。48 V入力のすべての回路構成で、最高の効率がGaNデバイスで達成されました。

米EDN誌
2019年6月
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GaNがシリコン・パワーMOSFETに正面攻撃へ

GaNがシリコン・パワーMOSFETに正面攻撃へ

今日のGaN FETは、サイズと特性が急速に向上しています。このベンチマーク・デバイスは、まだ、その理論上の性能限界から300倍も離れています。初期のGaNの採用者は、速度が必要でした。大きな例には、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)システム、ドローン、ロボット、4G / LTE基地局があります。この量は増えており、今やGaNパワー・デバイスの価格は、より遅く、より大きく、そして老朽化しているパワーMOSFETと同等レベルになっています。そして、GaNの正面攻撃の時が来ました!

独Bodo’s Power Systems
2019年6月
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Efficient Power Conversion(EPC)、eGaNパワー・デバイスをウエハーの形で提供すると発表

Efficient Power Conversion(EPC)、eGaNパワー・デバイスをウエハーの形で提供すると発表

EPC(Efficient Power Conversion)は、パワー・システムの統合を容易にするため、業界をリードする窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスをウエハーの形態で提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月4日、統合化を容易にするため、業界をリードするエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)・デバイスをウエハーの形で提供すると発表しました。当社のeGaN® FETとICはこれまで、切り出したチップを、はんだバーまたははんだバンプを備えたチップスケール・デバイスとして販売していました。

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GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計

GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計

eGaN FETとICは、その小型、超高速スイッチング、低オン抵抗によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータ設計を可能にします。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限する要因は接合部の温度です。このため、より効果的な熱設計が必要になります。eGaN FETとICのチップスケール・パッケージは、6面冷却、すなわち、チップの裏面、表面、側面から効果的に放熱します。この記事では、eGaNベースのコンバータの出力電流能力を強化するための高性能熱ソリューションを紹介します。

米EDN誌
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EPC:詰め込みの先へ

EPC:詰め込みの先へ

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、彼のGaNデバイスが性能と価格でシリコンを凌駕していると考えている、とRebecca Pool氏は報告しています。

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidowにとって、今年のPCIM Europe 2019はアプリケーションに絞られました。最終製品の中にある無数のエンハンス・モードGaN FETとICを示し、先進的なコンピューティングや自動車の48 V入力のDC-DC電力変換のために、同社は大きな役割を果たしています。

英Compound Semiconductor誌
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PCIM Europe:パワーがイノベーションの中核にある展示会

PCIM Europe:パワーがイノベーションの中核にある展示会

今年のパワー・エレクトロニクス機器の国際展示会PCIM Europeには、1万2000人を超える記録的な訪問者が訪れました。半分以上(54%)がドイツ国外から参加しました。彼らは、500を超える出展者を見に来ました。主題は多様で広範囲にわたっていましたが、いくつかのテーマが際立ちました。特に、GaNとSiCが注目を集めました。Efficient Power Conversion(EPC)は、GaNがすでに製品化されている潜在力を示し、同社が2009年に発表したeGaN FET技術の例を数多く取り揃えていました。

英オンライン・ニュースElectronic Specifier
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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧80 Vの車載品質eGaN FETのEPC2214を製品化、Lidarシステムが一段と「良く見える」

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧80 Vの車載品質eGaN FETのEPC2214を製品化、Lidarシステムが一段と「良く見える」

Efficient Power Conversion(EPC)は、高分解能Lidar(光による検出と距離の測定)システム向けに最適化された耐圧80 Vの窒化ガリウム・トランジスタEPC 2214を製品化し、車載品質の規格AEC Q 101認定の製品ファミリーを拡張します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年4月16日、自動車産業やその他の過酷な環境におけるLidar(光による検出と距離の測定)システム向けに設計した耐圧80 Vの「EPC2214」がAEC Q101認定を取得したと発表しました。

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サーバーや自動車における48 VのDC / DC電力変換向けGaNを強化

サーバーや自動車における48 VのDC / DC電力変換向けGaNを強化

EPC(Efficient Power Conversion)は最近、48 Vのサーバーや自動車のニーズに対応できる100 Vの新しいGaNデバイス2種を製品化しました。私は、プロセッサだけでなく、自動車システムやエネルギー蓄積システム(私の記事である双方向DC / DC電源:私たちはどちらに行くのか?、を参照してください)の双方向電源に対する48 Vサーバー電源ソリューションを、近々、公開される米EDN誌だけの記事で調べる予定です。GaNパワー・トランジスタは、この種のアーキテクチャの一部として「必須」です。私の視点からすると、これ以上良い選択肢はありません。

米Planet Analog誌
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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN FETファミリーを拡張、48 V入力の DC-DC変換に最高クラスの性能とコストを提供へ

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN FETファミリーを拡張、48 V入力の DC-DC変換に最高クラスの性能とコストを提供へ

EPCは、すでに製品化したEPC2045EPC2052EPC2051に加えて、耐圧100 V、最大オン抵抗3.8 mΩのeGaN® FETであるEPC2053を製品化し、GaNトランジスタの100 Vファミリーを拡張しました。48 V入力の高性能DC-DC変換を、より高効率、より小型、より低コストで実現できます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年4月3日、eGaN FET「EPC2053」(最大オン抵抗3.8 mΩ、耐圧100 V)を製品化したと発表しました。窒化ガリウム・トランジスタの市販品のコストを低価格化し、性能を向上しました。

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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN® パワー・トランジスタを発売、48 V入力の DC-DC、モーター駆動、Lidarなどの用途向け

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaN® パワー・トランジスタを発売、48 V入力の DC-DC、モーター駆動、Lidarなどの用途向け

EPC2052は、非常に小型のチップスケール・パッケージに収め、74 Aのパルス出力が可能な耐圧100 V、最大オン抵抗13.5mΩのパワー・トランジスタを発売しました。48 V入力、12 V出力の DC-DCパワー・コンバータにおいて、これらの新世代eGaN FETは、500 kHzで効率97%以上、1 MHzで96%以上を実現できました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年3月15日、最大オン抵抗RDS(on)が13.5 mΩで、高効率電力変換用に74 Aのパルス電流を出力でき、実装面積がわずか2.25 mm2と小型の耐圧100 VのGaNトランジスタ「EPC2052」を発売しました。

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