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台湾のjjPlus社が情報技術の展示会Computex 2019で次世代ワイヤレス・パワーやWiFiソリューションを展示へ

台湾のjjPlus社が情報技術の展示会Computex 2019で次世代ワイヤレス・パワーやWiFiソリューションを展示へ

無線技術を使って、jjPlusと共に、あなたのソリューションの潜在能力を最大限に引き出しましょう!

高品質の無線通信やワイヤレス・パワーの組み込みソリューションの設計メーカーである台湾のjjPLus社は5月21日、5月28日~6月1日に台湾の台北で開催されるCOMPUTEX 2019の会場Nangang Exhibition Center(南港展覧館)のホール1、ブース番号K1024で、次世代のワイヤレス・パワー伝送および新しいWiFiソリューションを展示すると発表しました。

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APEC 2019のビデオ

APEC 2019のビデオ

Efficient Power Conversionは、GaNベースのデバイス開発の最前線にいます。このビデオでは、EPCのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)がAlix Paultre氏と、GaNベースのデバイスが提供する利点を強調したこの展示会におけるさまざまなデザイン・インについて話します。

米Embedded Computer Design誌
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eGaN FETの電力変換向けに拡張するエコシステム

eGaN FETの電力変換向けに拡張するエコシステム

近年、GaNベースの電力変換は、従来のSiトランジスタを上回るeGaN FETの本質的な利点によって人気が高まっています。コンバータの設計をSiからGaNに移行すると、システム内のすべての部品を検討が要求される多くのシステム・レベルの改良が行われます。この傾向は、GaNベースの設計をサポートするパワー・エレクトロニクスのエコシステムの拡張に拍車を掛けて続けることになります。

米ニュース・サイトPower Systems Designs
By Edward A. Jones, Michael de Rooij, and David Reusch
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分類: 記事

Efficient Power Conversion(EPC)、当社のエキスパートたちが中国の技術者に加わって、単なるMOSFETの置き換えだけでなく、GaN FETとICの性能を最大化することによって新しい設計を革新

Efficient Power Conversion(EPC)、当社のエキスパートたちが中国の技術者に加わって、単なるMOSFETの置き換えだけでなく、GaN FETとICの性能を最大化することによって新しい設計を革新

EPCは、GaN技術の優れた性能が、無線充電、DC / DC、LiDAR(光による検出と距離の測定)、自動車など、業界全体の電力供給をいかに変えているかを示すライブ・デモを実施します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年3月8日当社のエグゼクティブと技術チームが、3月14日〜16日に中国の深圳と上海で開催される3つの業界イベントに参加し、顧客を獲得するための技術者たちの革新的な設計において、GaN FETとICの性能を最大化する方法について説明し、デモします。

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Efficient Power Conversion(EPC)、高周波GaN FETとゲート・ドライバを組み合わせたeGaN ICを2品種発表、高効率化、小型化、低コスト化が実現可能

Efficient Power Conversion(EPC)、高周波GaN FETとゲート・ドライバを組み合わせたeGaN ICを2品種発表、高効率化、小型化、低コスト化が実現可能
GaNベースのモノリシック集積化ソリューションのEPC2112とEPC2115は、パワー・システム設計者に非常に小さなサイズで効率を高められる能力を提供します。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年3月7日、ドライバも集積したエンハンスメント・モードのモノリシックGaNパワー・トランジスタ「EPC2112」と「EPC2115」の2品種を発売しました。EPC2112は、耐圧200 V、最大オン抵抗40 mΩのeGaN® FETとゲート・ドライバを集積しています。EPC2115は、耐圧150 V、最大オン抵抗70 mΩのデュアルeGaN FETとゲート・ドライバを集積しています。2品種とも最高7 MHzで動作可能で、インダクタンスが小さく、2.9 mm × 1.1 mmと超小型の表面実装BGA(ボール・グリッド・アレイ)パッケージのパッシベーションしたチップで提供します。 続きを読む

Efficient Power Conversion(EPC)、GaNパワー・モジュールを製品化、48 V入力、12 V出力のDC-DC向けに電力密度1400 W / 立方インチ以上を実現、POL(負荷点)変換で最高10 MHzで動作

Efficient Power Conversion(EPC)、GaNパワー・モジュールを製品化、48 V入力、12 V出力のDC-DC向けに電力密度1400 W / 立方インチ以上を実現、POL(負荷点)変換で最高10 MHzで動作
Efficient Power Conversionのパワー・モジュールEPC9204とEPC9205は、高周波でスイッチングできるeGaN®パワー・トランジスタと集積回路を使ったDC-DC電力変換で実現された超小型化と効率向上を実証します。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年3月6日、48 V入力からPOL(負荷点)電源アーキテクチャへの効率を高められるDC-DC変換用の新しいGaNパワー・モジュール2品種を発表しました。その1品種の「EPC9205」は、48 V入力から12 V出力に変換する用途向けの高電力密度のプリント回路基板ベースのパワー・モジュールで、もう1品種の「EPC9204」は、超薄型のプリント回路基板ベースのパワー・モジュールで、20 V入力からPOLへの変換に対応しています。 続きを読む

なぜ、専門家がより安価でより良いlidarがすぐにそこにあると信じているのか

なぜ、専門家がより安価でより良いlidarがすぐにそこにあると信じているのか

この記事では、lidar(光による検出と距離の測定)技術について深く掘り下げます。この技術がどのように機能するかを説明し、商業的な自動運転車の要求条件を満たすlidarセンサーを構築しようとするときに、技術者が直面する課題についても説明します。

要するに、lidarのコストを下げるには、かなり難しいエンジニアリング業務がかかりますが、高品質のlidarのコストを1000米ドル以下、最終的には100ドル以下にするための根本的な障壁はないようです。つまり、lidarに依存する技術、究極的には自動運転車は、一般消費者の手の届くところにあるはずです。

米ニュース・サイトArs Techinca
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eGaN技術の信頼性と故障の物理:ゲート電圧ストレスの信頼性

eGaN技術の信頼性と故障の物理:ゲート電圧ストレスの信頼性

このシリーズの前回の論文では、EPCの eGaNウエハー・レベルのチップスケール・パッケージの熱機械的信頼性を取り巻く故障の物理に焦点を当てました。電圧バイアス下での潜在的な故障モードの基本的な理解も重要です。この論文では、窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)のゲート電極に対する電圧バイアスに関連する故障の物理の概要を説明します。ここでは、ゲート制御電圧を指定された限界以上にして、eGaN FETが予想寿命にわたってどのように動作するかを調べる場合について検討します。

米Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年11月29日
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eGaN技術の信頼性と故障の物理:はんだ接合部の歪み

eGaN技術の信頼性と故障の物理:はんだ接合部の歪み

このシリーズの最初の3回は、EPCのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)電界効果トランジスタ(FET)と集積回路(IC)のフィールド信頼性の実績とストレス・テストにおける品質を扱いました。文書にまとめられた優れたフィールド信頼性は、デバイスがアプリケーション内で遭遇するとみられる動作条件を網羅するストレス・テストを実施した結果です。同様に重要なのは、予想された動作条件(例えば、データシートのパラメータと安全動作領域)を超えてストレスが加えられたとき、eGaNデバイスにどのように不具合が起こるかの根本的な物理を理解することです。今回は、eGaNのウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ(WLCSP)の熱機械的な信頼性を中心とする故障の物理学を深く掘り下げるものになります。

米Planet Analog誌
Chris Jakubiec
2016年9月7日
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eGaN技術の信頼性と故障の物理のブログ3回目

eGaN技術の信頼性と故障の物理のブログ3回目

このシリーズの最初の2回では、Efficient Power Conversion(EPC)社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)FETと集積回路(IC)のフィールドにおける信頼性の実績を詳細に報告しました。ストレスに基づく品質試験で、顧客のアプリケーションにおける信頼性を確保することが可能であり、eGaNデバイスの優れたフィールド信頼性が実証されています。この回では、製品を品質認定する前に、EPC社のデバイスに実施されるストレス・テストを検討します。

米Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年7月9日
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eGaN技術の信頼性と故障の物理:eGaNのフィールド信頼性を試験

eGaN技術の信頼性と故障の物理:eGaNのフィールド信頼性を試験
Efficient Power Conversion(EPC)社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)のFETと集積回路(IC)は、LiDAR(光による検出と距離の測定)、無線充電、DC-DC変換、RF基地局の送信、衛星システム、オーディオ・アンプなどの多くの最終ユーザーのアプリケーションへの道筋を見つけています。 フィールドの信頼性は、顧客のアプリケーションに採用されているeGaN® FETとICの品質レベルを裏付ける究極の評価基準です。最初の採用については、量産出荷の6年間、および全体で170億デバイス時間以上の記録を含めて、eGaN FETのフィールド信頼性の概要を公表しました。その後の計算された故障件数(FIT:109時間の故障数)が約0.24 FITだったことは、これまでの優れたフィールド信頼性特性を示しています。 米Plant Analog誌 Chris Jakubiec 2016年5月1日 記事を読む 続きを読む
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