ニュース

新製品発表、アプリケーション関連情報など、EPCからの最新ニュースと最新情報を得るために、今、登録してください。 EPCからの電子メール配信に登録する か、22828に「EPC」とテクスティングしてください

高密度サーバー向けGaN

高密度サーバー向けGaN

窒化ガリウム(GaN)デバイスは、小さな形状で高性能を提供し、効率を高め、48 Vの電力変換用途のシステム・コストを削減します。それらは、高密度コンピューティングや多くの新しい自動車用パワー・システムの設計に大量に採用されています。

英Electronic Specifier誌
2021年2月
記事を読む

続きを読む
分類: 記事

Efficient Power Conversion(EPC)、当社のeGaN FETとルネサス エレクトロニクスの新しいDC-DCコントローラを搭載した48 V入力、12V出力のデモ・ボードを製品化:GaNはシリコンと同じくらい使いやすい

Efficient Power Conversion(EPC)、当社のeGaN FETとルネサス エレクトロニクスの新しいDC-DCコントローラを搭載した48 V入力、12V出力のデモ・ボードを製品化:GaNはシリコンと同じくらい使いやすい

ルネサス エレクトロニクスのデュアル同期整流型GaNバック・コントローラとEPC(Efficient Power Conversion)の超高効率eGaN® FETの組み合わせによって、シリコンと同じBOM(部品表)サイズとコストで高い電力密度と効率が実現できます。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2月9日、わずか33 mm✕22.9 mm✕9 mm(1.3✕0.9✕0.35インチ)と小さな1/16ブリック・サイズの300 WのDC-DCデモ・ボード「EPC9157」を製品化しました。このデモ・ボードEPC9157は、ルネサス エレクトロニクスの80 Vのデュアル同期整流型バック・コントローラISL81806と、EPCの最新世代eGaN FETであるEPC2218とを統合し、25 Aで、48 V入力から12 Vの安定化出力への変換で95%を超える効率を実現できます。

続きを読む

GaNと48 V:どこに行くのか、どこに行こうとしているのか?

GaNと48 V:どこに行くのか、どこに行こうとしているのか?

3年前、中耐圧のeGaN FETの製造コストは、同等の定格のパワーMOSFETのコストを下回りました。当時、EPCはeGaN FETの性能とコスト上の利点を利用して、入力または出力の電圧が約48 Vのアプリケーションを積極的に追求することにしました。具体的には、自動車やコンピュータのアプリケーションでは、パワー・システムにおいて、48 V変換が新しいアーキテクチャ、新しい標準になりつつあります。

米Power Systems Design誌
2020年3月31日
記事を読む

続きを読む
分類: 記事

EPC、耐圧350 VのeGaNパワー・トランジスタを発売:同等のシリコン品に比べて面積が1/20と小型

EPC、耐圧350 VのeGaNパワー・トランジスタを発売:同等のシリコン品に比べて面積が1/20と小型

EPC2050は、電源システム設計者向けの製品で、非常に小型のチップスケール・パッケージに収めた耐圧350 V、最大オン抵抗65 mΩ、最大パルス電流26 Aのパワー・トランジスタです。この新しいデバイスは、マルチレベル・コンバータ、電気自動車の充電、太陽光発電用インバータ、モーター駆動などのアプリケーションに最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年4月24日、最大オン抵抗 RDS(on)が65 mΩ、最大パルス出力電流26 Aで耐圧350 VのGaNトランジスタ「EPC2050」を発売しました。用途には、電気自動車(EV)の充電、太陽光発電用インバータ、モーター駆動、通信機器やサーバーの電源用の400 V入力、48 V出力の3レベルLLCコンバータなどのマルチレベル・コンバータ構成などがあります。

続きを読む
RSS