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GaNと48 V:どこに行くのか、どこに行こうとしているのか?

GaNと48 V:どこに行くのか、どこに行こうとしているのか?

3年前、中耐圧のeGaN FETの製造コストは、同等の定格のパワーMOSFETのコストを下回りました。当時、EPCはeGaN FETの性能とコスト上の利点を利用して、入力または出力の電圧が約48 Vのアプリケーションを積極的に追求することにしました。具体的には、自動車やコンピュータのアプリケーションでは、パワー・システムにおいて、48 V変換が新しいアーキテクチャ、新しい標準になりつつあります。

米Power Systems Design誌
2020年3月31日
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EPC、耐圧350 VのeGaNパワー・トランジスタを発売:同等のシリコン品に比べて面積が1/20と小型

EPC、耐圧350 VのeGaNパワー・トランジスタを発売:同等のシリコン品に比べて面積が1/20と小型

EPC2050は、電源システム設計者向けの製品で、非常に小型のチップスケール・パッケージに収めた耐圧350 V、最大オン抵抗65 mΩ、最大パルス電流26 Aのパワー・トランジスタです。この新しいデバイスは、マルチレベル・コンバータ、電気自動車の充電、太陽光発電用インバータ、モーター駆動などのアプリケーションに最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年4月24日、最大オン抵抗 RDS(on)が65 mΩ、最大パルス出力電流26 Aで耐圧350 VのGaNトランジスタ「EPC2050」を発売しました。用途には、電気自動車(EV)の充電、太陽光発電用インバータ、モーター駆動、通信機器やサーバーの電源用の400 V入力、48 V出力の3レベルLLCコンバータなどのマルチレベル・コンバータ構成などがあります。

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