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GaNとSiCのための信頼性の向上

GaNとSiCのための信頼性の向上

これらのチップが根付いている理由と、まだ対処する必要があるもの。窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)のパワー・デバイスのサプライヤは、いくつかの新しい印象的な仕様で製品の次の波を広げています。しかし、これらのデバイスがシステムに組み込まれる前に、それらが信頼できることを証明する必要があります。

米Semiconductor Engineering
2020年6月
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Efficient Power Conversion(EPC)、ワイド・バンドギャップのパワー半導体デバイスの特性評価を英国工学技術学会(The Institution of Engineering and Technology)が出版したと発表

Efficient Power Conversion(EPC)、ワイド・バンドギャップのパワー半導体デバイスの特性評価を英国工学技術学会(The Institution of Engineering and Technology)が出版したと発表

著者らの長年の豊富な経験に基づいたワイド・バンドギャップ(WBG)・デバイス特性の権威ある概論です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年9月21日、英国工学技術学会(The Institution of Engineering and Technology)が出版した書籍Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices をEPCのシニア・アプリケーション・エンジニアのEdward A. Jones博士が共著したと発表しました。この本は、特に、炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)のパワー半導体の利用に基づくワイド・バンドギャップ(WBG)・デバイスの静特性と動特性の両方に関心がある研究者、専門とする学生、および実践する技術者を支援するために不可欠な内容を提供します。この本では、実際のアプリケーションの実践的な考察を説明し、記述された方法論の適用例も示します。

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