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パワー半導体のパッケージを再考する時が来た

パワー半導体のパッケージを再考する時が来た

問題がパワー半導体、すなわちトランジスタ、ダイオード、または集積回路のパッケージに向けられると、常に、改善の要求は6つの分野に分類されます。

1. パッケージを小型化できますか?
2. パッケージのインダクタンスを減らすことができますか?
3. 導通損失が小さい製品を作ることができますか?
4. パッケージの熱効率を高めることができますか?
5. より低価格で製品を売ることができますか?
6. パッケージの信頼性の高くできますか?

この記事では、GaNオン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスのパッケージに焦点を当てます。これは、パワー・システムの設計者が、効率と電力密度を高めると同時に、システムのサイズとコストを削減するために最も強く求めていることです。

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48 Vバスからグラフィックス・プロセッサへの電力供給

48 Vバスからグラフィックス・プロセッサへの電力供給

新しいコンバータ構成とパワー・トランジスタが、次世代人工知能(AI)のプラットフォームを動かすだろう電源のサイズを小型化し、効率を高めると断言できます。48 V入力のすべての回路構成において、最高の効率はGaNデバイスを使うことによって得られます。これは、容量が小さくサイズが小さいためです。GaNパワー・トランジスタの最近の低価格化に伴って、シリコン・ベースのコンバータとのコスト比較は今、すべての最先端のソリューションにおいてGaNが非常に優勢になりました。

米オンライン・ニュースPower Electronic Tips
2019年3月
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GaNの力と進化、パート6:GaN技術の採用とロードマップ

GaNの力と進化、パート6:GaN技術の採用とロードマップ

この連載の最後の記事では、GaNがシリコンを置き換えるための要件をどのように満たしているかを調べます。GaNの採用率が爆発的に拡大するにつれて、GaNは、わずか数年の短い間に多くの進歩を遂げましたが、それでもまだ理論的な性能限界にはほど遠いので、引き続き達成できる大きな改善があることを忘れないでくださいことが大切です。やがて、GaNオン・シリコンの性能およびコスト上の利点によって、現在、シリコン・ベースのデバイスを使っている大部分の用途において、より小型、より高速、より安価、より高信頼性のGaN技術に変換されることになるでしょう。

米Power Systems Design誌
2019年2月
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GaNの力と進化、パート5:eGaN FETとICを搭載した低コスト、高効率の12 V入力、1 V出力の POLコンバータの構築

GaNの力と進化、パート5:eGaN FETとICを搭載した低コスト、高効率の12 V入力、1 V出力の POLコンバータの構築

GaNデバイスが性能に貢献する例として、主流のアプリケーションの1つであり、伝統的なシリコンの用途である12 V入力、1 V出力のPOL(負荷点) DC / DCコンバータを検討します。全体で1 W当たり0.20米ドル以下のコスト、電力密度が少なくとも1000 W / 立方インチで、5 MHzにおいてピーク効率78%を実現する12 V入力、1 V、12 A出力のeGaN ICベースのコンバータを紹介します。

米Power Systems Design誌
2019年1月
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GaNの力と進化、パート4:eGaN FETとICを使って手術用ロボットを精密に制御する

GaNの力と進化、パート4:eGaN FETとICを使って手術用ロボットを精密に制御する

このシリーズでは、窒化ガリウム(GaN)・オン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスの優れたスイッチング速度によって、多くの新しいアプリケーションがどうして可能になったかを説明しています。これらのアプリケーションには、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)、5G通信向け包絡線追跡、家庭やオフィス向け大面積ワイヤレス・パワーなどがあり、業界を変革しています。この記事では、GaNパワー・デバイスが手術用ロボットを精密に制御できるようにすることによって、医療をどのように変革しているかについて探ります。

米Power Systems Design誌
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