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GaNの力と進化、パート5:eGaN FETとICを搭載した低コスト、高効率の12 V入力、1 V出力の POLコンバータの構築

GaNの力と進化、パート5:eGaN FETとICを搭載した低コスト、高効率の12 V入力、1 V出力の POLコンバータの構築

GaNデバイスが性能に貢献する例として、主流のアプリケーションの1つであり、伝統的なシリコンの用途である12 V入力、1 V出力のPOL(負荷点) DC / DCコンバータを検討します。全体で1 W当たり0.20米ドル以下のコスト、電力密度が少なくとも1000 W / 立方インチで、5 MHzにおいてピーク効率78%を実現する12 V入力、1 V、12 A出力のeGaN ICベースのコンバータを紹介します。

米Power Systems Design誌
2019年1月
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