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Efficient Power Conversion(EPC)、当社のeGaN FETとルネサス エレクトロニクスの新しいDC-DCコントローラを搭載した48 V入力、12V出力のデモ・ボードを製品化:GaNはシリコンと同じくらい使いやすい

Efficient Power Conversion(EPC)、当社のeGaN FETとルネサス エレクトロニクスの新しいDC-DCコントローラを搭載した48 V入力、12V出力のデモ・ボードを製品化:GaNはシリコンと同じくらい使いやすい

ルネサス エレクトロニクスのデュアル同期整流型GaNバック・コントローラとEPC(Efficient Power Conversion)の超高効率eGaN® FETの組み合わせによって、シリコンと同じBOM(部品表)サイズとコストで高い電力密度と効率が実現できます。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2月9日、わずか33 mm✕22.9 mm✕9 mm(1.3✕0.9✕0.35インチ)と小さな1/16ブリック・サイズの300 WのDC-DCデモ・ボード「EPC9157」を製品化しました。このデモ・ボードEPC9157は、ルネサス エレクトロニクスの80 Vのデュアル同期整流型バック・コントローラISL81806と、EPCの最新世代eGaN FETであるEPC2218とを統合し、25 Aで、48 V入力から12 Vの安定化出力への変換で95%を超える効率を実現できます。

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