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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)のパワー・トランジスタと集積回路に関する人気のビデオ・ポッドキャスト・シリーズの更新を発表

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)のパワー・トランジスタと集積回路に関する人気のビデオ・ポッドキャスト・シリーズの更新を発表

EPCは、テキスト『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』の第3版に基づいて、窒化ガリウムのFETとICを使うLidar、DC-DC変換、ワイヤレス・パワーなどの理論、設計の基本、およびアプリケーションに関する14部構成の教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズの前半を更新しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月31日、人気のあるビデオ・ポッドキャスト・シリーズ「GaNの利用法」を更新し公開したと発表しました。これらの更新したビデオは、最近発行された第3版のテキストGaN Transistors for Efficient Power Conversionに基づいています。この14部構成の教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズは、パワー・システムの設計技術者に、窒化ガリウム・ベースのトランジスタと集積回路を使って、より高効率な電力変換システムを設計する方法に関する技術的な基礎とアプリケーションに焦点を当てたツール・セットを提供するように構成されています。

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eGaN FETの利点を完全に活用するための実践的なレイアウト技術

eGaN FETの利点を完全に活用するための実践的なレイアウト技術

電子機器のトレンドは、特性を向上させながら継続的に小型化を進めることです。シリコンMOSFET技術が、その理論限界にどんどん近づくと共に、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)FETが、パワーFETのスイッチング特性を一段と改善するために登場し、これによって、サイズを縮小し、効率を高めることによって、電力密度を新しい次元に高めることが可能です。この記事では、EPC社のeGaN FETの利点を完全に活用するために必要なレイアウトの推奨技術を探ります。

By: Ivan Chan、David Reusch博士
米EEWeb:米Modern Printed Circuits誌
2015年8月
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GaNの利用法:eGaN FETの駆動とレイアウトの考察

このシリーズの前の回では、eGaN® FETの利点、および、シリコンMOSFETで可能とする以上の高い効率と高いスイッチング速度が得られるこのデバイスの可能性について議論しました。この回では、eGaN FETで達成可能な特性を得るために、ドライバとレイアウトの考察について議論します。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2013年8月

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eGaN FET対シリコンのパワー決戦Volume 13、Part 2:最適なプリント回路基板のレイアウト

eGaN FET ベースのPOL(負荷点)バック・コンバータ用プリント回路基板のレイアウトを最適化することは、寄生成分を低減するので、従来のMOSFETベースの設計に比べて、効率の向上、スイッチング速度の高速化、デバイスの電圧オーバーシュートの低減につながります。

By David Reusch博士、Efficient Power Conversionのアプリケーション部門ディレクタ

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eGaN FET対シリコンのパワー決戦Volume 13、Part 1:寄生成分が特性に与える影響

シリコンMOSFETが可能とするよりも効率とスイッチング周波数を高くできるeGaN® FETのようなエンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスの能力が、さまざまな用途で使われています。eGaN FETによって提供されるスイッチングの性能指数(FOM:figure of merit)の改善によって、高い性能を得るためには、パッケージやプリント回路基板のレイアウトの寄生成分が重要になります。この記事の最初のパートでは、スイッチング周波数1 MHz、入力電圧12 V、出力電圧1.2 V、最大出力電流20 Aで動作するeGaN FETおよびMOSFETに基づくPOL(負荷点)コンバータに対して、特性に及ぼす寄生インダクタンスの影響を検討します。

By David Reusch博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門ディレクタ

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