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GaNパワー・デバイスの採用で新機軸、PCIM Europeのポディウム・セッションで

GaNパワー・デバイスの採用で新機軸、PCIM Europeのポディウム・セッションで

先行している代表的なGaNパワー・メーカー(EPC社、米トランスフォーム社、カナダGaN Systems社、独インフィニオン社、米Navitas社)は、主流の量産アプリケーションに技術を移行させるときに重要な開発の詳細を発表しました。この5社の講演で発表された情報に基づいて、GaNパワー・デバイスの採用が劇的に拡大すると期待される3つの大きな理由があります。

Bodo’s Power Systems誌
2016年6月1日
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Si対GaN対SiC:私の電源設計には、どのプロセス、どのサプライヤがベストですか?

By: Steve Taranovich、米EDN誌
2013年3月15日

パワー素子におけるリーダーシップを狙ったレースが進化し続けると、2013年半ばから、約半ダースのGaN、Si、SiCのサプライヤが、プロセスの強化、新しいアーキテクチャ、および、新しい選択肢とツールを業界にもたらすだろう最新の機能を明らかにすると業界の専門家は、述べています。 http://www.edn.com/design/power-management/4409627/1/Si-vs--GaN-vs--SiC--Which-process-and-supplier-are-best-for-my-power-design-

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GaNオン・シリコンに基づくFETが新しい用途を育てる

過去数年間、確立したシリコンMOSFETの座を奪う窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・トランジスタに関する話がたくさんありました。新たに出現した窒化ガリウム・オン・シリコン(GaNオン・シリコン)・ベースのパワーFETが、主流の電力変換の領域に参入するまでに、いくらかの時間がかかるかもしれません。しかし、その間に、新たに出現した用途のうちの一握りは、この有望なパワー技術の背中をポンと押す態勢を整えています。信頼性が高く商業的に利用可能なことに加えて、これらの新しい用途を育てているユニークなGaNの特性がいくつかあります。

Ashok Bindra
米How2Power Today誌
2012年12月

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Accelerated development of eGaN FETs as silicon MOSFET come to the end of the road

With eGaN® FETs' high-performance capabilities, we have seen rapid adoption in applications for efficient DC/DC conversion, POL converters, Class D audio amplifier and high frequency circuits. Texas Instruments’ introduction of the industry's first 100V, half-bridge GaN FET driver (LM5113), optimized for use with enhancement-mode GaN (eGaN) field-effect transistors (FETs),has further propelled such an accelerated adoption pace in applications like high-performance telecom power supplies, networking and datacom centers.

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EDN China April 2012 Print Issue

EDN China April 2012

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Dedicated Driver Squeezes Optimal Performance Out Of Enhancement-Mode GaN FETs

We know Efficient Power Conversion (EPC) has commercialized enhancement-mode GaN-on-Si FETs, or eGaN FETs as EPC calls them, for more than a year now. Concurrently, it has been working with partners to realize dedicated drivers for its eGaN FETs, which offer lower RDS(ON) at higher voltages, lower gate charge, and no reverse recovery loss (QRR)—all these properties from a smaller die size than silicon. In essence, by comparison to silicon MOSFETs, the eGaN FETs offer a dramatic reduction in figures of merit or FOM.

By Ashok Bindra
How2Power
June, 2011

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Darnell Power forum looks at GaN transistor technology

The weather was perfect in Chi-town at the Darnell Power Forum but the technologies were hot including a talk by Alex Lidow CEO of Efficient Power Conversion Corp., who discussed why the power industry should consider GaN for improving performance.

By Paul O’Shea
EEBEAT
September 14, 2010

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GaN community grows: ex-IR CEO launches GaN-based power transistors

The enhancement mode -normally OFF- GaN technology was explicitly developed to replace power MOSFETs. Says Alex Lidow, EPC’s co-founder and CEO, enhancement mode - rather than depletion mode - is essential for GaN to become a broad-scale silicon power MOSFET replacement.

By Margery Conner
EDN
March 5, 2010

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Enhancement Mode Gallium Nitride MOSFET Delivers Impressive Performance

A breakthrough in processing gallium nitride (GaN) on a silicon substrate has produced enhancement-mode FETs with high conductivity and hyperfast switching. Its cost structure and fundamental operating mechanism are similar to silicon-only MOSFET alternate.

Article By Sam Davis, Editor in Chief
Power Electronics Technology
March 1, 2010

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