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Efficient Power Conversion(EPC)、飛行時間(Time-of-Flight)デモ・ボードを製品化、車載品質認定のeGaN技術を使って1.2 ns、最大電流28 Aのパルスでレーザーを駆動可能

Efficient Power Conversion(EPC)、飛行時間(Time-of-Flight)デモ・ボードを製品化、車載品質認定のeGaN技術を使って1.2 ns、最大電流28 Aのパルスでレーザーを駆動可能

EPC9144に搭載したEPC(Efficient Power Conversion)の超高速遷移eGaN® FETは、1.2 ns以下の短いパルス幅で最大28 Aの大電流パルスを供給できるので、飛行時間ToF(Time-of-Flight)型システムやフラッシュLidar(光による検出と距離の測定)システムの正確度、精度、処理速度を向上させます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は1月9日、15 V、28 Aの大電流パルスのレーザー・ダイオード・ドライバのデモ・ボード「EPC9144」を製品化したと発表しました。

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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaNパワー・トランジスタを発売 ―― 同等のシリコンよりも1/30と小型、500 kHzで効率97%を実現

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 VのeGaNパワー・トランジスタを発売 ―― 同等のシリコンよりも1/30と小型、500 kHzで効率97%を実現

EPC2051は、超小型のチップスケール・パッケージ封止で、37 Aのパルスを出力可能な耐圧100 V、最大オン抵抗25 mΩのパワー・トランジスタであり、電源システム設計者向けです。この新しいデバイスは、48 Vの電力変換器、LiDAR(光による検出と距離の測定)、LED(発光ダイオード)照明などのアプリケーションに最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年9月11日、最大オン抵抗 RDS(on)が25 mΩ、パルス出力電流37 Aで耐圧100 VのGaNトランジスタ「EPC2051」を発売しました。面積が1.1 mm2と小型で高効率の電力変換を実現します。

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EPC、耐圧350 VのeGaNパワー・トランジスタを発売:同等のシリコン品に比べて面積が1/20と小型

EPC、耐圧350 VのeGaNパワー・トランジスタを発売:同等のシリコン品に比べて面積が1/20と小型

EPC2050は、電源システム設計者向けの製品で、非常に小型のチップスケール・パッケージに収めた耐圧350 V、最大オン抵抗65 mΩ、最大パルス電流26 Aのパワー・トランジスタです。この新しいデバイスは、マルチレベル・コンバータ、電気自動車の充電、太陽光発電用インバータ、モーター駆動などのアプリケーションに最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年4月24日、最大オン抵抗 RDS(on)が65 mΩ、最大パルス出力電流26 Aで耐圧350 VのGaNトランジスタ「EPC2050」を発売しました。用途には、電気自動車(EV)の充電、太陽光発電用インバータ、モーター駆動、通信機器やサーバーの電源用の400 V入力、48 V出力の3レベルLLCコンバータなどのマルチレベル・コンバータ構成などがあります。

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Efficient Power Conversion(EPC)、クラス4のAirFuelアライアンス規格と完全に互換性のあるワイヤレス・パワーのデモ・キットを製品化、最大33 Wまで給電可能、携帯電話からノート・パソコンまでを同時に充電

Efficient Power Conversion(EPC)、クラス4のAirFuelアライアンス規格と完全に互換性のあるワイヤレス・パワーのデモ・キットを製品化、最大33 Wまで給電可能、携帯電話からノート・パソコンまでを同時に充電

低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンスで小型など、eGaN® FETの優れた特性は、高共鳴のAirFuelワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化に理想的です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年8月10日、クラス4の完全なワイヤレス・パワー充電キット「EPC9120」を製品化しました。このシステムは、6.78 MHz(最も低いISM帯)で動作し、最大33 Wを供給できます。このデモ・キットの目的は、高効率のワイヤレス・パワー伝送にeGaN FETを採用するための評価プロセスを単純化することです。EPC9120は、EPCの窒化ガリウム・トランジスタの高周波スイッチング能力を利用しているので、さまざまな動作条件の下で、80%〜90%の最大電力効率が得られるワイヤレス・パワー・システムを容易に実現できます。

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Efficient Power Conversion(EPC)、当社のeGaN技術が性能とコストの両方で飛躍的な進歩を遂げたと発表

Efficient Power Conversion(EPC)、当社のeGaN技術が性能とコストの両方で飛躍的な進歩を遂げたと発表

EPC社は、eGaN®FETのEPC2045とEPC2047を製品化し、前世代のeGaNトランジスタに対してチップ面積を半分にした上で、大幅な高性能化を実現しています。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年3月15日、「EPC2045」(オン抵抗7 mΩ、耐圧100 V)と「EPC2047」(10 mΩ、200 V)を製品化し、市販の窒化ガリウム・トランジスタのコストを下げると同時に、性能を向上したと発表しました。EPC2045のアプリケーションには、48 V入力から負荷への1段のオープン・ラック・サーバー・アーキテクチャPOL(負荷点)コンバータ、USB-C、LiDAR(光による検出と距離の測定)などがあります。200 VのEPC2047の例には、無線充電、マルチレベルのAC-DC電源、ロボット、太陽光発電用マイクロインバータなどがあります。

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Efficient Power Conversion(EPC)、オン抵抗7 mΩ、耐圧200 V、および5 mΩ、150 Vの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを発売、シリコンとの特性の差を広げる

Efficient Power Conversion(EPC)、オン抵抗7 mΩ、耐圧200 V、および5 mΩ、150 Vの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを発売、シリコンとの特性の差を広げる

eGaN®パワー・トランジスタは、電力変換特性のバーを上げ続けています。低いオン抵抗、低い容量、大電流、および優れた熱特性によって、高い電力密度のコンバータを実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年5月28日、電力変換特性のバーを上げるeGaN FETを2品種発売しました。2品種とも最大動作温度は150℃で、パルス電流能力は200 A(耐圧150 Vの「EPC2033」)と140 A(200 Vの「EPC2034」)です。用途は、DC-DCコンバータ、DC-DCコンバータやAC- DCコンバータの同期整流、モーター駆動、LED(発光ダイオード)照明、産業用オートメーションなどです。

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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム・トランジスタのモノリシック・ハーフブリッジを発売、48 V入力で、12 V、20A出力のコンバータでシステム効率97%

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム・トランジスタのモノリシック・ハーフブリッジを発売、48 V入力で、12 V、20A出力のコンバータでシステム効率97%

EPC社は、窒化ガリウム・パワー・トランジスタ製品の賞を授与されたファミリーを拡張し、ハーフブリッジ構成の耐圧60 VのEPC2102と80 VのEPC2103を製品化しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年1月22日、エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ2品種、耐圧60 Vの「EPC2102」と耐圧80 Vの「EPC2103」を発売しました。

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Efficient Power Conversion(EPC)、高周波用途向けに、耐圧450 Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタを発売

Efficient Power Conversion(EPC)、高周波用途向けに、耐圧450 Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタを発売

eGaN® FETのEPC2027は、立ち上がり時間が4 nsと高速の耐圧450 Vのパワー・トランジスタで、高周波のDC-DCコンバータや医療用診断装置の用途に最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年1月14日、より高い効率と電力密度を実現するために高速スイッチングが要求される用途での使用に最適な耐圧450 Vのノーマリオフ(エンハンスメント・モード)のパワー・トランジスタ「EPC2027」を発売しました。超高速DC-DCコンバータ、医療用診断装置、太陽光発電用インバータ、LED(発光ダイオード)照明など、高電圧、高速スイッチングによって特性が強化される用途に最適です。

EPC2027は耐圧450 V で、オン抵抗RDS(on)の最大値が400 mΩ、出力電流は4 Aです。効率的な放熱と組み立ての単純化のために、はんだバーを備え、パッシベーションしたチップの形で提供されます。EPC2027は、電力密度を高めるために、面積が1.95mm×1.95mmと小型です。

「オフラインの(独立して動作する)アダプタやインバータは、ますます小型、軽量、高出力密度に向かって開発が進んでおり、より高い電圧、より速いスイッチング速度に対する要求が高まっています。耐圧450 VのEPC2027によって、電源設計者は、効率を高め、実装面積を小さくするために、オフラインの電力変換システムのスイッチング周波数を高くすることができます」とEPC社の共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語っています。

開発基板

EPC2027を搭載した開発基板「EPC9044」は、ゲート・ドライバ、ゲート駆動用電源回路、バイパス・コンデンサも搭載したハーフブリッジ構成の基板です。この基板の面積は2インチ×1.5インチ(1インチは2.54cm)で、最適なスイッチング特性が得られるようにレイアウトされており、eGaN®FETであるEPC2027の評価を容易にするために、すべての重要な部品を搭載しています。

価格と購入方法

eGaN FETのEPC2027の1000個購入時の単価は5.81米ドルです。

開発基板EPC9044の単価は137.75ドルです(いずれも米国での参考価格)。

いずれも、Digi-Key社のウエブ(http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja)で購入でき、即時に配送されます。

eGaN FETの設計情報とサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]

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Efficient Power Conversion(EPC)、通信、産業、医療の用途向けに、入力が広く20A出力のGaNベースのバック・コンバータのデモ・ボードを製品化

Efficient Power Conversion(EPC)、通信、産業、医療の用途向けに、入力が広く20A出力のGaNベースのバック・コンバータのデモ・ボードを製品化

EPC9118は、最大48 V、および、それ以上の電源電圧で、高周波スイッチング可能なeGaN® FETを使う電力変換の小型化と高効率化を容易に実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年10月21日、完全に機能するバック(降圧)型電力変換のデモ回路「EPC9118」を製品化しました。この基板は、30 V~60 Vの入力から5 Vを出力し、最大出力電流20 Aで400 kHzで動作するバック・コンバータです。エンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC2001とEPC2015、および、バック・コントローラLTC3891を搭載しています。このバック・コンバータの設計は、通信、産業、医療の用途における分散型電源ソリューションに最適です。

デモ・ボードのEPC9118は、完全なパワー段(2個のeGaN FET、ドライバ、コイル、および、入力/出力のコンデンサなどで構成)を面積1インチ×1.3インチ(1インチは2.54cm)にレイアウトし、eGaN FETと従来のMOSFETコントローラを一緒に使って得られる特性を調べられます。EPC9118の基板面積は2.5インチ角で、最適化された制御ループを備えた完全な閉ループのバック・コンバータを搭載しています。

サイズが小さいにもかかわらず、この基板は、36 V入力、5 V出力で20 Aを供給することができ、ピーク電力効率は93%以上です。設計エンジニアを支援するために、EPC9118は、簡単に設定でき、波形測定と効率計算を単純化するために、さまざまなプローブ・ポイントを備えています。

設定手順、回路図、特性曲線、BOM(部品表)を含むクイック・スタート・ガイドは、http://epc-co.com/epc/jp/製品/デモ・ボード/EPC9118.aspxで入手できます。

デモ・ボードEPC9118の単価は237.19米ドル(米国での参考価格)で、Digi-Key社のウエブ(http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja)で購入でき、即時に配送されます。

eGaN FETの設計情報とサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]

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Efficient Power Conversion(EPC)、「すぐに入手可能」な高性能窒化ガリウム・パワー・トランジスタで、成熟したパワーMOSFETとの特性の差を拡大

eGaN® パワー・トランジスタは、電力変換特性の水準を高くし続けています。低オン抵抗(内部抵抗)、低容量、大電流、および優れた熱特性が、効率98%以上の電力変換を可能にします。

このニュースをツイートするために、http://bit.ly/EPCXLPR1407を#GaNFETと共にあなたのTwitterハンドル名にコピー・アンド・ペーストしてください。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年7月8日、新しい世代のパワー・トランジスタ6品種と、これらに対応する開発基板を発売しました。これらのパワー・トランジスタは、耐圧が30 V~200 Vの範囲で、オン抵抗(内部抵抗)を非常に低減しているので、大電力密度のDC-DCコンバータ、POL(負荷点)コンバータ、DC- DCおよびAC- DCコンバータの同期整流、モーター駆動、LED(発光ダイオード)照明、産業用オートメーションなどの用途で出力電流能力を大きく増加させることができます。

新しいeGaN FET製品と用意した開発基板

EPC社の型番 耐圧 オン抵抗の最大値
(ゲート-ソース間電圧
VGS = 5 V)
パルスのピーク・ドレイン
電流 ID(最大値、25°C,
Tpulse = 300 µs)
最大接合部
温度
ハーフブリッジ構成の開発基板
          標準 低デューティ比
EPC2023 30 V 1.3 mΩ 590 A 150°C EPC9031 EPC9018
EPC2024 40 V 1.5 mΩ 550 A 150°C続きを読む

Efficient Power Conversion(EPC)、高周波窒化ガリウム(eGaN)FET搭載の6.78 MHzで動作する高効率ワイヤレス・パワー伝送のデモ・システムを製品化

低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンス、小型などのeGaN® FETの優れた特性は、高共鳴のワイヤレス給電規格 Rezence (A4WP) 準拠のワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化に最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年6月27日、革新的で高性能な回路構成であるゼロ電圧スイッチング(ZVS)のD級によるワイヤレス・パワー伝送向けデモ・ボードを製品化しました。このアンプ(給電)基板 EPC9506EPC9507は、75%以上の効率が得られるワイヤレス・パワー・システムを容易に実現するために、EPC社の窒化ガリウム・トランジスタの高周波スイッチング能力を利用しています。

ワイヤレス・パワー伝送

高共鳴ワイヤレス・パワー伝送は、ここ数年にわたって、特に、携帯機器の充電をターゲットとする用途向けに人気が高まっています。最終用途は多様で、充電式モバイル・デバイスから急速に進展し、延命医療への導入へ、そして安全性が重要な危険な環境へと広がっています。

無線エネルギー伝送システムの要求は、高効率、低プロファイル、変化する動作条件に対する丈夫さ、場合によっては、軽量化などがあります。これらの要求には、かさばるヒートシンク(冷却器)を使わずに高いスイッチング速度で動作し、かつ高効率化する設計が必要になります。この設計は、カップリングや負荷変動の広い範囲にわたって動作することができなければなりません。eGaN FETの高速スイッチング特性は、高共鳴の電力伝送用に最適です。

アンプ・デモ・ボード(EPC9506 / EPC9507)

EPC9506EPC9507、高効率、A4WP準拠、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)で、最高6.78 MHzまで動作し、直流負荷に最大35W供給可能な電圧モードのD級ワイヤレス・パワー伝送アンプ(給電)基板です。この基板は、eGaN FETである耐圧40 VのEPC2014 (EPC9506)および耐圧100 VのEPC2007(EPC9507)を搭載しています。この2つの基板は、ハーフブリッジ構成(シングルエンド構成向け)、またはフルブリッジ構成(差動構成向け)のいずれかで動作するように構成され、固定周波数での回路基板の動作を確実にするゲート・ドライバ(1個または複数)と発振器も搭載しています。

価格と購入方法

デモ・ボードEPC9506EPC9507の単価は、いずれも418.95米ドルです(米国での参考価格)。Digi-Key社のウエブ(http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja)で購入でき、即時に配送されます。

近々:EPC社の新しいZVSのD級ワイヤレス・パワー伝送システムのデモ・キット

今回のスタンドアロンのアンプ(給電)基板の製品化に加えて、EPC社は、近々、完全なシステム・デモ・キットのファミリーを製品化します。この完全なキットには、アンプ(給電)基板、クラス3のA4WP準拠の給電コイル(送信コイル)、整流器と直流平滑コンデンサを備えたカテゴリ3のA4WP準拠のデバイス・コイルが含まれています。

追加情報

EPC9506EPC9507、および今後の完全なキットのデモ・システムを含む無線エネルギー伝送についての詳細情報に興味がある場合、http://epc-co.com/epc/Contact/RequestMeeting.aspxでEPC社に連絡してください。EPC社のフィールド・アプリケーション・エンジニアによる訪問日程を調整します。

EPC社のeGaN FETのこのほかの用途や設計情報は、以下のウエブサイトをご覧ください。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレ 続きを読む

Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、大電流、高降圧比のバック・コンバータ向け開発基板を製品化

開発基板EPC9016は、40V、33Aのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)FETの並列動作が特徴で、電流供給能力を67%増やし、最適レイアウト技術が効率を最大化します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年4月17日、eGaN FETを使う大電流、高降圧比のバック型中間バス・コンバータ(IBC)向けにハーフブリッジ構成の開発基板「EPC9016」を製品化しました。この用途では、1個のハイサイド(制御)用電界効果トランジスタ(FET)と比べて、並列接続された2個のローサイド(同期整流)用FETが、はるかに長い期間導通します。

eGaN FETは、シリコンMOSFETと比べて、電流分割能力が優れているので、並列動作に理想的です。この開発基板は、極めて低いインダクタンスのパッケージに基づいた最適なレイアウトに関するEPCの開発を拡張したものです。ここで使った 最適レイアウト 技術は、電圧のオーバーシュートやEMI(電磁干渉)雑音を低減すると同時に、効率を高めます。

開発基板EPC9016は、耐圧40V、最大出力電流33Aのハーフブリッジ構成のeGaN FET(EPC2015)を、ゲート駆動ICのLM5113と共に搭載しています。このハーフブリッジ構成は、1個のハイサイド・デバイスと並列接続した2個のローサイド・デバイスを備え、非絶縁型の通信インフラ向けのPOL(負荷点)コンバータやバック・コンバータなどの高降圧比のバック・コンバータに最適です。

開発基板は、面積2インチ×1.5インチで、最適なスイッチング特性を得るために、すべての重要な部品を搭載し、最適にレイアウトしてあります。波形測定や効率計算を簡単にできるように、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。

開発基板EPC9016には、参照および取り扱いのためのクイック・スタート・ガイド( http://epc-co.com/epc/jp/製品/デモ・ボード/EPC9016.aspx)が含まれています。

開発基板EPC9016の単価は、130米ドルです(米国での参考価格)。Digi-Key社のウエブ(http://www.digikey.com/suppliers/us/efficient-power-conversion.page?&lang=en)で購入でき、即時に配送されます。

eGaN FETの設計情報とサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

電子メールでEPCの最新情報を受け取るための登録: http://bit.ly/EPCupdates で、または22828に「EPC」とテキスティング。
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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、市場をリードするeGaN® FET搭載の開発基板が中国業界誌の賞を受賞

賞を授与された開発基板EPC9005は、耐圧40VのeGaN FET であるEPC2014に基づき、高周波スイッチングの電力変換システムの迅速な設計を促進します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com、www.epc-co.com.cn)は2013年11月22日、開発基板EPC9005が中国の業界誌2誌の賞、すなわち、Electronics Product China誌のトップ10パワー・プロダクト・アワード2013の最適化開発賞と、EDN China誌の中国イノベーション・アワード2013の優秀製品賞を受賞したと発表しました。

「Electronics Product China誌とEDN China誌から業界をリードする製品として認められたことを名誉に思います」と、EPCのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べました。さらに、「当社のEPC9005基板は、耐圧40VのeGaN FET であるEPC2014に基づき、高周波スイッチングの電力変換システムの迅速な設計を促進します。EPC9005は、十分に解説されたエンジニアリング・サポート資料が完備した既製品で、しかも簡単に接続できる開発基板です」とも語りました。

EPC9005は、面積2インチ×1.5インチで、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート・ドライバLM5113、電源、およびバイパス・コンデンサを使って、ハーフブリッジ構成の2個のeGaN FET(EPC2014)を搭載しています。この基板は、最適なスイッチング特性を得るように、すべての重要な部品を搭載し、レイアウトしてあります。簡単に波形測定や効率計算ができるように、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。

詳細は、下記を参照して、当社ウエブサイトをご覧ください:

Electronics Product China誌について

エレクトロニクス業界の主要な雑誌であるElectronics Product China誌は、大きな技術的進歩によって達成された製品、革新的な設計、価格/性能の本質的な向上を評価します。この年の受賞者のための贈呈式は、2013年9月12日に雑誌のパワー・コンファレンスの間に北京で開かれました。

EDN China誌のイノベーション・アワード

ICと関連製品の設計の偉業を認めるために、EDN誌の年間イノベーション・アワードは23年前に米国で始まりました。今日、それは北米でエレクトロニクスの設計技術に対する最も名誉ある賞のうちの1つになるほどに発展しました。EDN China誌 のイノベーション・アワードとして2005年に中国に導入され、受賞製品は地方市場で広く認知されるようになると共に、着実に、エレクトロニクス設計業界において、中国本土で最も先見性があり、評判の高い栄誉の1つとなりました。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

電子メールでEPCの最新情報を受け取るための登録: http://bit.ly/EPCupdates で、または22828に「EPC」とテキスティング。
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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]

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Efficient Power Conversion (EPC) Introduces Eighth Brick DC-DC Power Converter Demonstration Board Featuring (eGaN®) FETs

EPC9102 showcases the performance that can be achieved using the EPC2001 eGaN FETs and the LM5113 eGaN FET driver from Texas Instruments

EL SEGUNDO, Calif.—May, 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces the EPC9102, a fully functional eighth brick converter. This board is a 36 V – 60 V input to 12 V output, 375 kHz phase-shifted full bridge (PSFB) eighth brick converter with 17 A maximum output current. The EPC9102 uses the 100 V EPC2001 eGaN FETs in conjunction with the recently introduced LM5113 100V half-bridge gate driver from Texas Instruments. The LM5113 is the industry’s first driver to optimally drive and fully release the benefits of enhancement mode gallium nitride FETs. The EPC9102 demonstrates the performance capabilities of high switching frequency eGaN FETs when coupled with this eGaN driver.

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Efficient Power Conversion (EPC) Introduces Buck Power Conversion Demonstration Board Featuring (eGaN®) FETs

EPC9101 demonstrates size reduction and efficiency enhancement for buck power conversion achieved using high frequency switching eGaN power transistors

EL SEGUNDO, Calif.—October 2011 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces the EPC9101, a fully functional buck power conversion demonstration circuit. This board is an 8 V-19 V input to 1.2 V, 18 A maximum output current, 1MHz buck converter. It uses the EPC2014 and EPC2015 eGaN FETs in conjunction with the recently introduced National LM5113 100V half-bridge gate driver from Texas Instruments. The LM5113 is the industry’s first driver designed specifically for enhancement mode gallium nitride FETs. The EPC9101 demonstrates the reduced size and performance capabilities of high switching frequency eGaN FETs when coupled with this dedicated eGaN driver.

The power stage footprint of the EPC9101 circuit is only 8mm x 16mm (about 0.2 square inches) and about 8mm high when taking components from both sides into consideration. Despite its small size, the board has a peak power efficiency of 88% and is capable of delivering 18 amps of current at 1.2 volts.

To assist the design engineer, the EPC9101 is easy to set up to evaluate the performance of the EPC2014 and EPC2015 eGaN FETs and LM5113 gate driver. The board is intended for bench evaluation with low ambient temperature and convection cooling. Additional heat sinking and forced-air cooling can be used to evaluate beyond the rated current capability of the demonstration circuit.

A similar fully functional buck power conversion demonstration board, the LM5113LLPEVB, is available from Texas Instruments. This board features the LM5113 driver in operation with 100V EPC2001 eGaN FETs. The LM5113LLPEVB demo board is a 15 V – 60 V input to10 V, 10 A, 800kHZ, buck converter. Like the EPC9101, this board demonstrates the size and performance enhancement that can be achieved using the EPC2001 eGaN FETs and the LM5113 gate driver.

A Quick Start Guide, http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9101_qsg.pdf, is included with the EPC9101 demo board for reference and ease of use.

EPC9101 demo boards are priced at $150.00 each and are available for immediate delivery from Digi-Key at http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

Design Tools Available Featuring EPC eGaN FETs with the Texas Instruments LM5113 driver:

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