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Efficient Power Conversion(EPC)、車載品質認定の65 VのeGaN FETを製品化、Lidarシステムの高解像度化に貢献へ

Efficient Power Conversion(EPC)、車載品質認定の65 VのeGaN FETを製品化、Lidarシステムの高解像度化に貢献へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、高解像度Lidar(光による検出と距離の測定)システム向けに最適化された逆ゲート・クランプ・ダイオードを搭載した耐圧65 Vの窒化ガリウム・トランジスタEPC2219を製品化し、車載品質規格AEC Q101認定の製品ファミリーを拡張します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月2日、自動車産業やその他の過酷な環境におけるLidar(光による検出と距離の測定)システム向けに設計され、車載品質規格AEC Q101認定を取得した耐圧65 Vの「EPC2219」を製品化したと発表しました。

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GaNの力と進化

GaNの力と進化

窒化ガリウム(GaN)・オン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスは、2010年に商用利用が始まって以来、多くの新しいアプリケーションを実現可能にしてきています。LiDAR(光による検出と距離の測定)、包絡線追跡、ワイヤレス・パワーなどの新しい市場は、GaNの優れたスイッチング速度によって登場しました。これらの新しいアプリケーションは、強力なサプライチェーン(供給網)の構築、生産コストの削減、信頼性の高い実績の積み重ねに貢献しています。これらのすべてが、dc-dcコンバータ、ac-dcコンバータ、自動車などのアプリケーションにおいて、より保守的な設計技術者が評価プロセスを始めるための十分なインセンティブとなっています。このシリーズでは、最終製品を新しいレベルで差異化するために、GaNの利点を活用している多くの量産レベルのアプリケーションをいくつか説明します。まず、採用率の加速に起因する要因を探ることは有益です。

米Power Systems Design誌
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Efficient Power Conversion(EPC)、同等の定格のMOSFETに比べて面積が1/8と小型の耐圧40 Vの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを発売

Efficient Power Conversion(EPC)、同等の定格のMOSFETに比べて面積が1/8と小型の耐圧40 Vの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを発売

GaNパワー・トランジスタのEPC2049は、POL(負荷点)コンバータ、LiDAR(光による検出と距離の測定)、低インダクタンス・モーター駆動向けに、同等の定格のシリコンMOSFETに比べて面積が1/8と小型の40 V、5 mΩのパワー・トランジスタをパワー・システムの設計者に提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年12月19日、POL(負荷点)コンバータ, LiDAR(光による検出と距離の測定)包絡線追跡用電源回路D級オーディオ、および、低インダクタンスのモーター駆動などのアプリケーションに使えるパワー・トランジスタ「EPC2049」を発売しました。EPC2049の定格電圧は40 V、最大オン抵抗RDS(on)は5 mΩ、パルス出力電流は175 Aです。

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Efficient Power Conversion(EPC)、GaNが私たちの生き方をどのように変えているかを紹介するビデオ・シリーズを公開

Efficient Power Conversion(EPC)、GaNが私たちの生き方をどのように変えているかを紹介するビデオ・シリーズを公開

Efficient Power Conversionは、窒化ガリウムのトランジスタや集積回路を使ったワイヤレス・パワーのテーブルトップ(卓上充電器)、高性能LiDAR(光による検出と距離の測定)、48 V入力、1.8 V出力の1段の DC-DC変換、高精度モーター駆動制御など、現在稼働している最終アプリケーションに関して、業界のエキスパートたちが制作した6本のビデオを公開しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年4月25日、eGaN® FETとICを使った最終ユーザーのアプリケーションを紹介する6本の短いビデオを制作し、ウエブサイトで公開したと発表しました。これらのビデオは、GaN技術が「私たちの生き方をどのように変えているか」、および、窒化ガリウムのFETとICの高性能を次世代電源システムの設計に組み込むために格闘している電源システムの設計技術者を紹介しています。

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Efficient Power Conversion(EPC)、米国バージニア州ブラックスバーグのGaN FETとICのアプリケーション・センターの開設を発表、シニア・アプリケーション・エンジニアとしてSuvankar Biswas博士を採用

Efficient Power Conversion(EPC)、米国バージニア州ブラックスバーグのGaN FETとICのアプリケーション・センターの開設を発表、シニア・アプリケーション・エンジニアとしてSuvankar Biswas博士を採用

GaN®FETとICの幅広いアプリケーションの研究に加え、その利用と評価に関してEPCの顧客をサポートするために、アプリケーション・センターの開設し、シニア・アプリケーション・エンジニアとしてSuvankar Biswas博士を採用したと発表しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年1月26日、米国バージニア州ブラックスバーグにアプリケーション・センターを開設したと発表しました。このセンターでは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)・トランジスタとICのアプリケーションの研究開発をサポートするために、EPCの守備範囲を拡大する予定です。GaN技術は、従来のFETやICの電力変換アプリケーションに加えて、ワイヤレス・パワー伝送, 自動運転車用LiDAR(光による検出と距離の測定)、周波数帯域が高い4Gや5Gの通信用包絡線追跡などの新たに出現したアプリケーションを可能にしています。

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Alex Lidow:eGaNデバイスを使うパワー・マネージメントのための包絡線追跡

Alex Lidow:eGaNデバイスを使うパワー・マネージメントのための包絡線追跡

Alex Lidow(アレックス・リドウ)は、パワー・マネージメント(電源管理)のための先進的な包絡線追跡向けに、窒化ガリウムを利用することについて語ります。信号を追跡し、必要な分だけ出力する増幅システムは、エネルギーを大幅に削減でき、特性を向上させることができることを説明します。

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eGaN FET搭載の帯域幅20 MHzの包絡線追跡電源

eGaN FET搭載の帯域幅20 MHzの包絡線追跡電源

この記事では、4G LTEの無線基地局インフラ向け高速eGaN® FETであるEPC8004を使う包絡線追跡電源を説明します。eGaN FETを使った4相ソフト・スイッチングのバック(降圧型)・コンバータを備えた包絡線追跡電源は、全体の効率が92%以上で20 MHz、7db PAPRのLTEの包絡線信号を正確に追跡することができ、平均電力60 Wを供給します。この設計は、異なるeGaN FETを選ぶことによって、異なる電力レベルに対応するためにスケーラブルです。

Bodo’s Power Systems誌
Yuanzhe Zhang博士、Michael de Rooij博士
2016年3月
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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、Yuanzhe Zhang博士がアプリケーション・エンジニアリング部門のディレクタとして入社

Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、Yuanzhe Zhang博士がアプリケーション・エンジニアリング部門のディレクタとして入社

Zhang博士は、包絡線追跡の設計のベンチマークを作成し、高周波、高性能の電力変換システムにeGaN® FETを利用する顧客を支援します。

Eエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2016年1月11日、Yuanzhe Zhang博士がアプリケーション・エンジニアリング部門のディレクタとしてEPC社のエンジニアリング・チームに参加すると発表しました。

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IEEE Power Electronics Society(PELS)のウェビナ、「包絡線追跡バック・コンバータに窒化ガリウム(GaN)FETを使う」

9月3日のIEEE PELSで、Johan Strydom博士は、包絡線追跡の用途で要求されるシステム帯域幅の要件を満たすために、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの寄与について議論するウェビナを実施します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年8月21日、包絡線追跡のパワー回路設計への窒化ガリウム・トランジスタの応用を担当するEPC社の専門家が、IEEE Power Electronics Society(PELS)が主催する9月3日の1時間(午前11:00~12:00(EDT))のウェビナを実施すると発表しました。

ディスクリートのGaNパワー・デバイスは、MOSFETよりも優れたハード・スイッチング特性を実現できるので、包絡線追跡向けのスイッチング・コンバータの開発のために重要です。このセミナーでは、高周波のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタ・オン・シリコン(eGaN® FET)の最新ファミリーが、いくつかのマルチメガヘルツのバック(降圧型)・コンバータの中で示されます。システム・レベルの異なる寄生成分が議論され、実験結果に基づいて、その影響が評価されます。

この講演者は、EPC社アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデントのJohan Strydomです。Strydom博士は、窒化ガリウム・トランジスタの設計と応用に関する最初のテキスト「GaN Transistors for Efficient Power Conversion」を共同執筆するなど、業界で広く知られています。

ウェビナ登録情報:

タイトル:包絡線追跡バック・コンバータに窒化ガリウム(GaN)FETを使う
日付:2014年9月3日(水)
時間:午前11:00~午前12:00(EDT)
登録:http://www.ieee-pels.org/products/pels-upcoming-webinars/2483-ieee-pels-webinar-series-using-egan-fets-for-envelope-tracking-buck-converters-by-johan-strydom
参加費:無料

IEEE Power Electronics Society(PELS)について

Institute of Electrical and Electronics Engineers(IEEE)の最も成長している技術分科会の1つです。20年以上にわたって、PELSがパワー・エレクトロニクス技術の発展と革新を推進し主導しています。この技術には、電子部品の有効利用、回路理論と設計技術の応用、および、電力の効率的な変換、制御、条件に向けた分析ツールの開発などが含まれます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

電子メールでEPCの最新情報を受け取るための登録: http://bit.ly/EPCupdates で、または22828に「EPC」とテキスティング。
http://twitter.com/#!/EPC_CORPのTwitter、および、http://www.facebook.com/EPC.CorporationのFacebookでEPCを紹介しています。

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]

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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、2014年のApplied Power Electronics Conference and Expositionで、高周波共振や包絡線追跡の電源向け窒化ガリウム(GaN)技術をプレゼンテーション

パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC 2014で、EPCのアプリケーションの専門家が、シリコン・パワーMOSFETと比べて、GaNトランジスタの優位性を示すGaN FET技術やアプリケーションの技術的なプレゼンテーションを行います。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年2月27日、APEC 2014でアプリケーションに焦点を当てた3件の技術発表を行います。高周波の共振コンバータや、高周波ハード・スイッチングのパワー・コンバータの設計に関する発表です。この会議は、3月16日~20日に米国テキサス州フォートワースで開催されます。

APECのApplied Power Electronics™のプレミア・イベントは、パワー・エレクトロニクス・ビジネスの実際の応用面に注目します。すべての種類のパワー・エレクトロニクス部品や機器の仕様、設計、製造、マーケティングの広範囲のテーマに取り組むパワー・エレクトロニクスの専門家が学ぶための主要な会議です。APECの詳細は、このウエブ(http://www.apec-conf.org/)をご覧ください。

「APEC 2014の技術審査委員会が、この年次大会でGaN技術に焦点を当てた技術論文の発表に、EPCのエキスパートを選んだことを誇りに思います。この選択は、GaN技術の優れた性能がパワー・システムの設計エンジニアの興味や支持を得ているという確信を支持するものです」と、EPC社の共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語りました。

EPCのエキスパートによるGaN FETが主役の技術プレゼンテーション:

このイベント中にEPCのアプリケーションのエキスパートに会いたい参加者は、 [email protected]にリクエストを送ってください。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、数GHz帯での増幅が可能な高周波eGaN®パワー・トランジスタのファミリーを拡大

耐圧100Vの窒化ガリウムFET「EPC8010」は、3GHz帯における正相増幅の高周波用途向けに最適化されます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年2月20日、高速、高性能トランジスタのファミリーを拡大し、新たにパワー・トランジスタ「EPC8010」を発売しました。半導体チップの形状で販売されるEPC8010は、最大ドレイン-ソース間電圧VDSが100Vで、面積は、わずか1.75 mm2です。高速スイッチング用に最適化されています。EPC8010のオン抵抗RDS(on) (内部抵抗)の最大値は160mΩ、入力ゲート電荷は数100ピコ・クーロン(pC)です。

このデバイスは、サブ・ナノ秒(ns)程度のスイッチング遷移速度なので、10MHz以上のハード・スイッチング用途で動作可能な他に類のない製品です。10MHz以上で設計されたので、この製品は、低いGHz帯において十分高い利得を備えた非常に良い小信号RF特性を示し、RF用途向けの競争力のある選択肢になります。

低電力、小型、高周波のEPC8010の利点を生かせる用途には、包絡線追跡、RFパワー・アンプ、および、携帯機器を無線充電するための高共鳴ワイヤレス・パワー伝送システム向けの数MHz帯で動作するハード・スイッチングのパワー・コンバータがあります。

「EPC8010は、超高速eGaN FETファミリーに加わった優れた新製品です。これは、当社および窒化ガリウム・トランジスタ技術を、成熟したMOSFETの能力を超える用途を可能にする高いレベルに到達させます。このeGaN FETは、パワー・スイッチングとRFの両方の用途で使うことができます」と、EPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語っています。

さらに、2つのEPC8010を、最小スイッチング周波数500kHzのハーフブリッジ構成にした開発基板「EPC9030」も用意しました。この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータの中に簡単に接続することができる単一基板を用意することで、EPC8010の評価プロセスを単純化することです。

EPC8010の評価単位は2個と10個のパックで提供され、価格は40米ドルからです(米国での参考価格)。Digi-Key社のウエブ( http://bit.ly/EPC8010DK)で購入できます。

開発基板EPC9030の単価は、150米ドルです(米国での参考価格)。Digi-Key社のウエブ(http://bit.ly/EPC9030DK)で購入できます。

設計情報とeGaN FETのサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

電子メールでEPCの最新情報を受け取るための登録: http://bit.ly/EPCupdates で、または22828に「EPC」とテキスティング。
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報道関係の問い合わせ先

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GaN:さらに、1度で1つのシリコンのアプリケーションを粉砕する

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、4年以上前から市販されており、成熟したシリコン・パワーMOSFETによって、すでに独占されていた多くの用途に浸透してきています。高共鳴ワイヤレス・パワー伝送、RF包絡線追跡、D級オーディオのような新たに出現した用途では、最新世代のeGaN® FETから得られる多くの利点があります。この記事では、これらの新しい用途において、パワーMOSFETから窒化ガリウム・トランジスタに急速に転換する動きについて考察します。

Power Pulse
Alex Lidow
2014年2月

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EPC8000ファミリー、Bodo’s Power Systems誌の「今月の環境に優しい製品」として脚光を浴びる

eGaN FETのこのファミリーの製品化で、パワー・システムやRFの設計者は今、高性能窒化ガリウム・パワー・トランジスタを利用できるため、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。

Bodo's Power Systems誌
2013年10月

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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、2013年のDarnellのエネルギー・サミットで窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションについてプレゼンテーション

EPC社のCEO(最高経営責任者)とアプリケーションのエキスパートは、GaN FETの技術とアプリケーションに関する本会議の招待講演を含む半日セミナーと技術的プレゼンテーションを行います。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)の世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年8月27日、Darnellの2013年エネルギー・サミットで、教育セミナーと、数件のアプリケーションに焦点を当てた技術的なプレゼンテーションを行ないます。このコンファレンスは、9月9日から12日まで米国テキサス州ダラスで開催されます。

このサミットは、1つのコンフアレンスの中に、効率的な電力変換、グリーン・ビルディング設計、スマート・グリッド・エレクトロニクスを組み込んでいます。このプレゼンテーションは、次世代電力システムの開発を成功させるために必要とされる先進的な電力変換技術に焦点を当てています。パワー・エレクトロニクスとエネルギー効率の現実的な進歩を非常に重要視するソリューション指向のイベントです。

「Darnellエネルギー・サミットは、教育セミナーの講演にEPCエキスパートを選び、これらのコンファレンスでGaN技術に焦点を当てた技術論文を発表できることは注目すべきことです。この選択は、エネルギー効率の改善に関心がある人に、GaN技術の優れた特性への興味と認知度を高めることに貢献し続けます」とEPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語りました。

教育セミナー:効率的な電力変換のためのGaNトランジスタ
講演者:Alex Lidow、David Reusch
9月9日(月)9:00 a.m.~12:30 p.m.

このセミナーでは、EPCによって執筆されたGaN FET技術のテキストについて詳述し、GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)がどのように働くかを説明します。さらに、このセッションでは、高性能、高周波の電力変換向けのドライバ、レイアウト、および熱的考察を示すなど、これらのデバイスの利用法についても議論します。現実世界でのGaN技術の価値を示し、効率的なDC-DC変換、高周波の包絡線追跡、およびワイヤレス・パワー伝送などのいくつかの用途についてプレゼンテーションします。このセミナーは、この新しく登場した置き換え技術の将来に触れて締めくくります。

GaN FETに関連するEPCのエキスパートによる技術プレゼンテーション:

• 本会議
「GaN:1度で1つのシリコンのアプリケーションを粉砕する」
講演者:Alex Lidow
​9月10日(火) セッション2.1、1:45 p.m.

• 技術セッション 
「高周波ハード・スイッチング・コンバータ用eGaN® FET」
講演者:Johan Strydom、David Reusch
9月11日(水) セッションDPF:10.2、3:15 p.m.

「プリント回路基板レイアウトの最適化によってeGaN® FETの特性を改善」
講演者:David Reusch
9月12日(木) DPF:7.2、9:00 a.m.

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

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eGaN® FET- Silicon Power Shoot-Out Volume 8: Envelope Tracking

Envelope tracking (ET) for radio frequency (RF) amplifiers is not new. But with the ever increasing need for improved cell phone battery life, better base station energy efficiency, and more output power from very costly RF transmitters, the need for improving the RF Power Amplifier (PA) system efficiency through ET has become an intense topic of research and development.

We demonstrate what power and efficiency levels are readily realizable using eGaN FETs in a buck converter for high power envelope tracking applications.

By Johan Strydom, Ph.D., Vice President of Applications, EPC Power Electronics Technology

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