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GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計

GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計

eGaN FETとICは、その小型、超高速スイッチング、低オン抵抗によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータ設計を可能にします。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限する要因は接合部の温度です。このため、より効果的な熱設計が必要になります。eGaN FETとICのチップスケール・パッケージは、6面冷却、すなわち、チップの裏面、表面、側面から効果的に放熱します。この記事では、eGaNベースのコンバータの出力電流能力を強化するための高性能熱ソリューションを紹介します。

米EDN誌
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eGaN FETの電力変換向けに拡張するエコシステム

eGaN FETの電力変換向けに拡張するエコシステム

近年、GaNベースの電力変換は、従来のSiトランジスタを上回るeGaN FETの本質的な利点によって人気が高まっています。コンバータの設計をSiからGaNに移行すると、システム内のすべての部品を検討が要求される多くのシステム・レベルの改良が行われます。この傾向は、GaNベースの設計をサポートするパワー・エレクトロニクスのエコシステムの拡張に拍車を掛けて続けることになります。

米ニュース・サイトPower Systems Designs
By Edward A. Jones, Michael de Rooij, and David Reusch
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事実が科学者の勘定について語っています:彼は、以前に、世界のエネルギー消費を15%節約し、今は、シリコンの置換材料を発見しています

事実が科学者の勘定について語っています:彼は、以前に、世界のエネルギー消費を15%節約し、今は、シリコンの置換材料を発見しています

この科学者は、40年前に博士号を取得し、世界のエネルギー消費の15%を一度に節約しました。彼は現在、人類のために、シリコンの代替材料を発見するための革新の旅を続けています。

私の父はいつも、個人の真の価値は、社会への貢献に基づいて評価されると私に教えてくれました。私が1975年に大学院に入学したとき、自分の情熱が半導体分野にあることに気付きました。社会への私の最高の貢献がシリコンの後継者を見つけることから生まれると感じました。私はガリウム砒素で卒業しましたが、1977年に博士号を取得した時点で、ガリウム砒素の見通しは、基本的な材料特性によって、半導体としては限界があるので、私が学んだことのすべてを、シリコンのより良いデバイスを作ることに応用する仕事につぎ込むことにしました。

中国のFortune China誌
2017年6月15日
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世界最高速のパワー・スイッチを測定する方法

窒化ガリウム(GaN) FETは、電圧レギュレータやDC-DC電源において、シリコン・パワー・デバイスを置き換える準備を整えています。GaN FETのスイッチング速度は非常に高速で、オン抵抗RDS(on)はシリコンMOSFETよりも低くなっています。これは、より高い電力効率の電源の実現につながり、私たちのすべてにとって素晴らしいことです。もし、あなたがGaNデバイスでパワー回路を設計しているなら、デバイスのスイッチング速度を把握することが必要です。

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Gallium nitride based devices set to bring substantial boost to power efficiency

Gallium nitride has long been known to have useful properties when it comes to electronic components. Even so, its application has largely been confined to more exotic areas of the industry, particularly rf transistors. But GaN is beginning to find application in what could be considered the mainstream, with some of its proponents suggesting its arrival could mark the beginning of the end for the traditional power mosfet. By: Graham Pitcher New Electronics December 13, 2011 Read the article 続きを読む
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