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GaN Powers Small Satellites

GaN Powers Small Satellites
Small satellites bring a more cost-effective approach to low-Earth-orbit (LEO) missions, helping to deliver low-cost internet access across the globe. For this application, GaN FETs partnered with a radiation tolerant pulse width modulation controller and GaN fet driver allow more efficient switching, higher frequency operation, reduced gate drvie voltage and smaller solution sizes compared to the traditional silicon counterparts. Electronics Weekly July, 2019 Read article 続きを読む
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2019年のデータセンター・パワー

2019年のデータセンター・パワー

2025年までにデータが175ゼタバイト以上になると予想されています。データセンターの建設と配置、および既存の旧式のもののアップグレード努力は、2020年に日本で開催されるオリンピックに加えて、人工知能(AI:artificial intelligence)や機械学習(ML:machine learning)の成長において本格的に始まる5Gの出現で急速に拡大しています(6Gは、将来の開発としてすでに議論されています)。

サイズ、効率、速度が重要なデータセンターのパワー・アーキテクチャにおいて、GaNが最適なパワー・トランジスタであるべきだということは、私にとって非常に理にかなっています。48 V入力のすべての回路構成で、最高の効率がGaNデバイスで達成されました。

米EDN誌
2019年6月
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GaNがシリコン・パワーMOSFETに正面攻撃へ

GaNがシリコン・パワーMOSFETに正面攻撃へ

今日のGaN FETは、サイズと特性が急速に向上しています。このベンチマーク・デバイスは、まだ、その理論上の性能限界から300倍も離れています。初期のGaNの採用者は、速度が必要でした。大きな例には、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)システム、ドローン、ロボット、4G / LTE基地局があります。この量は増えており、今やGaNパワー・デバイスの価格は、より遅く、より大きく、そして老朽化しているパワーMOSFETと同等レベルになっています。そして、GaNの正面攻撃の時が来ました!

独Bodo’s Power Systems
2019年6月
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GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計

GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計

eGaN FETとICは、その小型、超高速スイッチング、低オン抵抗によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータ設計を可能にします。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限する要因は接合部の温度です。このため、より効果的な熱設計が必要になります。eGaN FETとICのチップスケール・パッケージは、6面冷却、すなわち、チップの裏面、表面、側面から効果的に放熱します。この記事では、eGaNベースのコンバータの出力電流能力を強化するための高性能熱ソリューションを紹介します。

米EDN誌
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窒化ガリウムの驚くべき新世界

窒化ガリウムの驚くべき新世界

シリコン・バレーの中心から、新しいは流行語が登場します。窒化ガリウムは、パワー技術の未来です。テク・ブログは、将来のシリコンとして、窒化ガリウムを売り込んでおり、あなたは、そのエントランスに入るために十分、理解しています。窒化ガリウムがいかに重要であるかを知ることは、あなたをよりカッコよく、より良いユーザーにします。あなたが、あなたのグループの最前線にいるのは、あなたがこの新技術を知っているからです。そして、その技術の名は窒化ガリウムです。

米ブログ・サイトのHACKADAY
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EPC:詰め込みの先へ

EPC:詰め込みの先へ

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、彼のGaNデバイスが性能と価格でシリコンを凌駕していると考えている、とRebecca Pool氏は報告しています。

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidowにとって、今年のPCIM Europe 2019はアプリケーションに絞られました。最終製品の中にある無数のエンハンス・モードGaN FETとICを示し、先進的なコンピューティングや自動車の48 V入力のDC-DC電力変換のために、同社は大きな役割を果たしています。

英Compound Semiconductor誌
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PCIM Europe:パワーがイノベーションの中核にある展示会

PCIM Europe:パワーがイノベーションの中核にある展示会

今年のパワー・エレクトロニクス機器の国際展示会PCIM Europeには、1万2000人を超える記録的な訪問者が訪れました。半分以上(54%)がドイツ国外から参加しました。彼らは、500を超える出展者を見に来ました。主題は多様で広範囲にわたっていましたが、いくつかのテーマが際立ちました。特に、GaNとSiCが注目を集めました。Efficient Power Conversion(EPC)は、GaNがすでに製品化されている潜在力を示し、同社が2009年に発表したeGaN FET技術の例を数多く取り揃えていました。

英オンライン・ニュースElectronic Specifier
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サーバーや自動車における48 VのDC / DC電力変換向けGaNを強化

サーバーや自動車における48 VのDC / DC電力変換向けGaNを強化

EPC(Efficient Power Conversion)は最近、48 Vのサーバーや自動車のニーズに対応できる100 Vの新しいGaNデバイス2種を製品化しました。私は、プロセッサだけでなく、自動車システムやエネルギー蓄積システム(私の記事である双方向DC / DC電源:私たちはどちらに行くのか?、を参照してください)の双方向電源に対する48 Vサーバー電源ソリューションを、近々、公開される米EDN誌だけの記事で調べる予定です。GaNパワー・トランジスタは、この種のアーキテクチャの一部として「必須」です。私の視点からすると、これ以上良い選択肢はありません。

米Planet Analog誌
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APEC 2019のビデオ

APEC 2019のビデオ

Efficient Power Conversionは、GaNベースのデバイス開発の最前線にいます。このビデオでは、EPCのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)がAlix Paultre氏と、GaNベースのデバイスが提供する利点を強調したこの展示会におけるさまざまなデザイン・インについて話します。

米Embedded Computer Design誌
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EPC、ドイツのウルトエレクトロニクスeiSosと連携し、ワイヤレス・パワー伝送の3部作を発表

EPC、ドイツのウルトエレクトロニクスeiSosと連携し、ワイヤレス・パワー伝送の3部作を発表
書籍「ワイヤレス・パワー伝送の3部作」は、3つのパートで構成されています。すなわち、ワイヤレス・パワー伝送の基本原理、ワイヤレス・パワー伝送システムと応用です。この本の最初のパートでは、物理的な基本原理と、非接触電力伝送のさまざまな方法について説明しています。さらに、主要な標準規格をこのパートで紹介します。第2部では、例えば、ワイヤレス・パワー伝送システム、ワイヤレス・パワー伝送のさまざまな回路構成、効率を高めるために必要な送信コイルと受信コイルの正しい選択、およびトランジスタの選択について説明します。3番目のパートは、実践的な応用を説明します。これには、Qi規格の範囲内のアプリケーション、および独自のソリューションの例が含まれます。密結合システムと疎結合システムのEMI(電磁干渉)関連トピックの概要、およびマルチモードのワイヤレス・パワー伝送システムの例で、この実践的なパートを締めくくります。「ワイヤレス・パワー伝送の3部作」の著者は、ウルトエレクトロニクスeiSosのワイヤレス・パワー伝送部門マネージャのCem Somと、Efficient Power Conversionのアプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデントのMichael de ... 続きを読む
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PSDtv:APEC 2019でシリコンが死んだ理由をEPCが語る

PSDtv:APEC 2019でシリコンが死んだ理由をEPCが語る

PSDtvのこのエピソードでは、Efficient Power Conversion(EPC)の最高経営責任者で共同創立者であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)が、米国カリフォルニア州アナハイムで開催されたAPEC 2019において、GaNオン・シリコン・デバイスが、なぜ今、シリコンを滅亡させるのかを説明します。

米Power Systems Design誌のビデオPSDtv
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パワー半導体のパッケージを再考する時が来た

パワー半導体のパッケージを再考する時が来た

問題がパワー半導体、すなわちトランジスタ、ダイオード、または集積回路のパッケージに向けられると、常に、改善の要求は6つの分野に分類されます。

1. パッケージを小型化できますか?
2. パッケージのインダクタンスを減らすことができますか?
3. 導通損失が小さい製品を作ることができますか?
4. パッケージの熱効率を高めることができますか?
5. より低価格で製品を売ることができますか?
6. パッケージの信頼性の高くできますか?

この記事では、GaNオン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスのパッケージに焦点を当てます。これは、パワー・システムの設計者が、効率と電力密度を高めると同時に、システムのサイズとコストを削減するために最も強く求めていることです。

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48 Vバスからグラフィックス・プロセッサへの電力供給

48 Vバスからグラフィックス・プロセッサへの電力供給

新しいコンバータ構成とパワー・トランジスタが、次世代人工知能(AI)のプラットフォームを動かすだろう電源のサイズを小型化し、効率を高めると断言できます。48 V入力のすべての回路構成において、最高の効率はGaNデバイスを使うことによって得られます。これは、容量が小さくサイズが小さいためです。GaNパワー・トランジスタの最近の低価格化に伴って、シリコン・ベースのコンバータとのコスト比較は今、すべての最先端のソリューションにおいてGaNが非常に優勢になりました。

米オンライン・ニュースPower Electronic Tips
2019年3月
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GaNの力と進化、パート6:GaN技術の採用とロードマップ

GaNの力と進化、パート6:GaN技術の採用とロードマップ

この連載の最後の記事では、GaNがシリコンを置き換えるための要件をどのように満たしているかを調べます。GaNの採用率が爆発的に拡大するにつれて、GaNは、わずか数年の短い間に多くの進歩を遂げましたが、それでもまだ理論的な性能限界にはほど遠いので、引き続き達成できる大きな改善があることを忘れないでくださいことが大切です。やがて、GaNオン・シリコンの性能およびコスト上の利点によって、現在、シリコン・ベースのデバイスを使っている大部分の用途において、より小型、より高速、より安価、より高信頼性のGaN技術に変換されることになるでしょう。

米Power Systems Design誌
2019年2月
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GaNの力と進化、パート5:eGaN FETとICを搭載した低コスト、高効率の12 V入力、1 V出力の POLコンバータの構築

GaNの力と進化、パート5:eGaN FETとICを搭載した低コスト、高効率の12 V入力、1 V出力の POLコンバータの構築

GaNデバイスが性能に貢献する例として、主流のアプリケーションの1つであり、伝統的なシリコンの用途である12 V入力、1 V出力のPOL(負荷点) DC / DCコンバータを検討します。全体で1 W当たり0.20米ドル以下のコスト、電力密度が少なくとも1000 W / 立方インチで、5 MHzにおいてピーク効率78%を実現する12 V入力、1 V、12 A出力のeGaN ICベースのコンバータを紹介します。

米Power Systems Design誌
2019年1月
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なぜGaNに向かうのか?

なぜGaNに向かうのか?
GaN技術は、伝統的なシリコン技術に挑戦することができる地点まで成熟してきました。窒化ガリウム(GaN)・オン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスは、2010年に製品化されて以来、多くの新しいアプリケーションを実現可能にしてきました。Lidar(光による検出と距離の測定)、包絡線追跡、ワイヤレス・パワーなどの新しい市場は、GaNの優れたスイッチング速度によって出現しました。これらの新しいアプリケーションは、強力なサプライチェーン、低い生産コスト、そして、ねたまれるほどの素晴らしい信頼性記録の確立に貢献してきました。これらすべてが、DC / DCコンバータ、AC / DCコンバータ、自動車などのアプリケーションにおける保守的な設計技術者に評価作業を始めさせるための十分な動機になっています。この記事では、この採用率の急速な拡大につながる要因を探ります。 米Electronics Weekly誌 2019年1月 記事を読む 続きを読む
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GaNの力と進化、パート4:eGaN FETとICを使って手術用ロボットを精密に制御する

GaNの力と進化、パート4:eGaN FETとICを使って手術用ロボットを精密に制御する

このシリーズでは、窒化ガリウム(GaN)・オン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスの優れたスイッチング速度によって、多くの新しいアプリケーションがどうして可能になったかを説明しています。これらのアプリケーションには、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)、5G通信向け包絡線追跡、家庭やオフィス向け大面積ワイヤレス・パワーなどがあり、業界を変革しています。この記事では、GaNパワー・デバイスが手術用ロボットを精密に制御できるようにすることによって、医療をどのように変革しているかについて探ります。

米Power Systems Design誌
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GaNの力と進化、パート3:eGaN FETを使う超高速大出力のレーザー・ドライバの構成方法 ―― より遠くへ、より良く、より低コストで実現!

GaNの力と進化、パート3:eGaN FETを使う超高速大出力のレーザー・ドライバの構成方法 ―― より遠くへ、より良く、より低コストで実現!

このシリーズの最初の回では、窒化ガリウム(GaN)・オン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスが、LiDAR(光による検出と距離の測定)、包絡線追跡、ワイヤレス・パワーなどの多くの新しいアプリケーションを可能にした方法について説明しました。この回では、これらの先進的なアプリケーションの1つであるLiDARの詳細について説明します。より遠くへ、より高い解像度、より低いコストで実現できるLiDARシステムを作るために、GaNが、どのように使われているかを示します。

米Power Systems Design誌
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窒化ガリウムは未来のシリコンです

窒化ガリウムは未来のシリコンです

先週、中国のAnker社は、非常に小さな新しいパワー・ブロックを披露し、シリコンの代わりに使う部品:窒化ガリウム(GaN)を使って小型化できることを証明しました。この透明なガラスのような材料の人気が高まっている最新の例です。これは、いつの日か、シリコンを退席させ、世界中のエネルギー使用を削減することができます。

米ニュース・サイトThe Verge
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