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GaNオン・シリコンのパワー・デバイス:シリコン・ベースのパワーMOSFETを不要にする方法

GaNオン・シリコンのパワー・デバイス:シリコン・ベースのパワーMOSFETを不要にする方法

高効率な電力変換のために設計された窒化ガリウム(GaN)のパワー・トランジスタは、7年の間、生産されています。GaNの優れたスイッチング速度によって、光による検出と距離の測定、包絡線追跡、無線充電などの新しい市場が生まれました。これらの市場は、GaN製品が大量生産、低製造コスト、そして信頼性の評判を得ることを可能にしました。これらのすべてが、dc-dcコンバータ、ac-dcコンバータ、自動車などのアプリケーションにおいて、より保守的な設計技術者が評価プロセスを始めるために十分なインセンティブとなっています。そして、120億米ドル規模のシリコン・パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)市場に転換するための残った障壁は何ですか? つまり、自信です。設計技術者、製造技術者、購買管理者、上級管理者がすべて、GaNが新しい技術を採用するリスクを相殺して余りある利点を提供すると確信する必要があります。サプライチェーンのリスク、コストのリスク、信頼性のリスクの3つの重要なリスク要因を見てみましょう。

IEEE Spectrum誌
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GaNパワー・デバイスの採用で新機軸、PCIM Europeのポディウム・セッションで

GaNパワー・デバイスの採用で新機軸、PCIM Europeのポディウム・セッションで

先行している代表的なGaNパワー・メーカー(EPC社、米トランスフォーム社、カナダGaN Systems社、独インフィニオン社、米Navitas社)は、主流の量産アプリケーションに技術を移行させるときに重要な開発の詳細を発表しました。この5社の講演で発表された情報に基づいて、GaNパワー・デバイスの採用が劇的に拡大すると期待される3つの大きな理由があります。

Bodo’s Power Systems誌
2016年6月1日
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仏調査会社Yole:パワーがGaNオン・シリコン市場で優位を占める

フランスの調査会社Yole Dévelopmentは今週、報告書「LEDとパワー・エレクトロニクス向けGaNオン・シリコン基板技術」を発表しました。アナリストは、GaNオン・シリコン技術は、パワー・エレクトロニクスのアプリケーションに広く採用されるだろうと信じています。パワー・エレクトロニクス市場は、ACからDC、またはDCからACへの変換のようなアプリケーションに取り組みます。それは常に、より大きい電力と、より高い動作周波数で増加する実質的なエネルギー損失に関係しています。既存のシリコン・ベースの技術は、その限界に達しており、より高い要求を満たすのは難しいでしょう。

http://powerelectronicsworld.net/article/0/79693-yole-power-to-dominate-gan-on-silicon-market.html

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EPC、グローバルなGaNパワー・マネージメント製品の需要に対応:グローバルな配送に米Digi-Key社を活用へ

電子部品の選択、入手可能性、配送の業界のリーダーで、グローバルな電子部品の代理店である米Digi-Key社は本日、窒化ガリウム(GaN)のパワー・マネージメント(電源管理)製品を新たに在庫したと発表しました。Efficient Power Conversion(EPC)との排他的なグローバル販売契約の一部として、即時出荷が可能になります。詳細は http://www.digikey.com/us/en/press-release/epc-gan-global-distribution-agreement.htmlを参照してください。

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パワー・エレクトロニクス用途におけるGaN

バンド・ギャップ材料のGaNとSiCは、世界的な大きなうねりを起こしています。勢いよく成長すると予想されるパワー・エレクトロニクス用途で使われるGaNデバイスの需要。

http://www.compoundsemiconductor.net/csc/news-details/id/19736817/name/GaN-in-power-electronics-application.html

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GaNパワー・デバイスが生産段階に移行

窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・デバイスは、利用される中で成長する大きな可能性を秘めているので、この市場機会は、より多くの新規サプライヤを魅了し続けています。この結果として、GaN技術ベースのパワー・デバイスのメーカーのリストは、着実に拡大しています。

米How2Power誌
2013年6月

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業界レビュー:SiCおよびGaNのパワー・デバイス

By: Andy Extance、米Power Dev’誌
2013年4月

Efficient Power Conversion(EPC)社、米フェアチャイルドセミコンダクター社、米GeneSiC Semiconductor社、ローム、米トランスフォーム社が米Power Dev’誌のAndy Extance氏に語り、モジュールやシステムのメーカーをワイド・バンドギャップ・デバイスに向かわせる方法が掲載されました。

http://www.bluetoad.com/publication/?i=157700&p=6

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Si対GaN対SiC:私の電源設計には、どのプロセス、どのサプライヤがベストですか?

By: Steve Taranovich、米EDN誌
2013年3月15日

パワー素子におけるリーダーシップを狙ったレースが進化し続けると、2013年半ばから、約半ダースのGaN、Si、SiCのサプライヤが、プロセスの強化、新しいアーキテクチャ、および、新しい選択肢とツールを業界にもたらすだろう最新の機能を明らかにすると業界の専門家は、述べています。 http://www.edn.com/design/power-management/4409627/1/Si-vs--GaN-vs--SiC--Which-process-and-supplier-are-best-for-my-power-design-

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高耐圧GaNの商用化レースにおけるベンダーの位置づけ

電力変換用途向けのGaN-on-Si技術を商用化するレースは、劇的なペースで続いています。2012年12月の時点で、20社以上の半導体ベンダーが、このレースに参加し、約7社のベンダーのグループによって主導されています。

www.bodospower.com

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低コストGaNのeモード・トランジスタとダイオード

2013年1月2日掲載

パワー・エレクトロニクス業界では、GaN技術が、ニッチ市場の外へと拡大しています。最初のGaNトランジスタは、パワー・エレクトロニクス市場でのシェア拡大に成功しています。ベルギーの先端半導体開発機構IMECのSteve Soffels氏、Denis Marcon氏、Stefaan Decoutere氏による記事(www.bodospower.com)から。

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タグ: GaNの採用

GaNオン・シリコンに基づくFETが新しい用途を育てる

過去数年間、確立したシリコンMOSFETの座を奪う窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・トランジスタに関する話がたくさんありました。新たに出現した窒化ガリウム・オン・シリコン(GaNオン・シリコン)・ベースのパワーFETが、主流の電力変換の領域に参入するまでに、いくらかの時間がかかるかもしれません。しかし、その間に、新たに出現した用途のうちの一握りは、この有望なパワー技術の背中をポンと押す態勢を整えています。信頼性が高く商業的に利用可能なことに加えて、これらの新しい用途を育てているユニークなGaNの特性がいくつかあります。

Ashok Bindra
米How2Power Today誌
2012年12月

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Huge Expectations for GaN Market Growth

The GaN power device industry has probably generated less than $2.5M revenues in 2011, as only 2 companies (IRF & EPC Corp.) are selling products on the open market. However, the overall GaN activity has seen extra revenues as R&D contracts, qualification tests and sampling for qualified customers was extremely buoyant.

http://www.news10.com/story/17735484/power-gan-2012?clienttype=printable

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Accelerated development of eGaN FETs as silicon MOSFET come to the end of the road

With eGaN® FETs' high-performance capabilities, we have seen rapid adoption in applications for efficient DC/DC conversion, POL converters, Class D audio amplifier and high frequency circuits. Texas Instruments’ introduction of the industry's first 100V, half-bridge GaN FET driver (LM5113), optimized for use with enhancement-mode GaN (eGaN) field-effect transistors (FETs),has further propelled such an accelerated adoption pace in applications like high-performance telecom power supplies, networking and datacom centers.

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EDN China April 2012 Print Issue

EDN China April 2012

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GaN power market to rise to $10 million in 2012, says Yole

Written by Peter Clarke - 3/7/2012 2:20 PM EST

LONDON - The market for power devices implemented in gallium nitride was less than $2.5 million in 2011, according to market research firm Yole Developpement (Lyon, France). However, there is a great deal of R&D activity and Yole sees the power GaN market growing to nearly $0 million in 2012 and $500 million in 2016.

International Rectifier Corp. (El Segundo, Calif.) and Efficient Power Conversion Corp. (El Segundo, Calif.) are likely to remain the two main vendors of GaN power devices in early 2012 and the annual market is likely to say below $10 million, Yole said.

The year of 2013 should see a transition from product qualification to production for a number of GaN power chip companies as the annual market climbs to $50 million. The availability in 2015 power devices built using processes with +600-V breakdown specifications should open the market to off-mains applications by which time 12 to 15 companies should be sharing consumption of more than 100,000 6-inch equivalent wafers.

Beyond 2015 the qualification of GaN for the electric vehicle sector would allow the GaN device business to approach $1 billion in annual value, according to Philippe Roussel, power electronics business unit manager at Yole. Nonetheless that will depend on how and when automobile makers choose between silicon, silicon-carbide, and GaN technology.

A number of alternative substrates are being pursued including GaN-on-Sapphire, GaN-on-SiC, GaN-on-GaN, GaN-on-AlN and GaN-on-silicon. Yole takes the position that GaN-on-silicon is likely to dominate production as 6-inch wafers topped with 7-micron thick GaN epi are already available. Similar wafers of 200-mm diameter are under qualification and their availability will likely make this technology the economic choice, Yole said.

Some LED players, who already use GaN, are looking at GaN power as a means of diversification for their manufacturing capacity, Yole said.

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Gallium nitride based devices set to bring substantial boost to power efficiency

Gallium nitride has long been known to have useful properties when it comes to electronic components. Even so, its application has largely been confined to more exotic areas of the industry, particularly rf transistors.

But GaN is beginning to find application in what could be considered the mainstream, with some of its proponents suggesting its arrival could mark the beginning of the end for the traditional power mosfet.

By: Graham Pitcher
New Electronics
December 13, 2011
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EPC9004 Named “Product of the Month” by Bodo’s Power Systems®

The EPC9004 has been recognized by Bodo’s Power Systems as the Product of the Month in the September, 2011 issue of the magazine. The EPC9004 facilitates rapid design of high frequency switching power conversion systems based on the 200 V EPC2012 with a ready-made, easy to connect development board.

Bodo's Power Systems
September, 2011

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