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GaN:1度で1つのシリコンのアプリケーションを粉砕する

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、4年以上の間、市販品を入手可能であり、成熟したシリコン・パワーMOSFETによって以前から独占されていた多くのアプリケーションに浸透してきています。

Power Pulse
寄稿者:Alex Lidow
2013年10月

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Efficient Power Conversion(EPC)、商用の高鉛のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)FETファミリーを発売

EPCの一般的なエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)FETの商用の高鉛版であるEPC2801、EPC2815、EPC2818を製品化 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年10月16日、より高い温度のはんだ付けが必要な用途に最適な高鉛はんだ端子を備えたデバイスを発売しました。このEPC2801、EPC2815、EPC2818は、高鉛(鉛95%、スズ5%)のはんだ端子が特徴です。 EPC2801は、ゲートに5Vを印加したときのオン抵抗RDS(ON)が7mΩ(最大値)で、ドレイン-ソース間電圧VDSの最大値が100Vのデバイスです。EPC2815は、RDS(ON)が最大4mΩで、VDSは最大40Vです。EPC2818は、RDS(ON)が最大25 ... 続きを読む

EPC8000ファミリー、Bodo’s Power Systems誌の「今月の環境に優しい製品」として脚光を浴びる

eGaN FETのこのファミリーの製品化で、パワー・システムやRFの設計者は今、高性能窒化ガリウム・パワー・トランジスタを利用できるため、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。

Bodo's Power Systems誌
2013年10月

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RFパワー・アンプの非効率を強化:包絡線追跡(ET:envelope tracking)システム

米EDN誌のこの記事で、Steve Taranovich氏は、無線通信や他の基地局の送信機で使われる悪名の高い非効率な広帯域パワー・アンプ(PA)の潜在的なシリューションとして、包絡線追跡(ET:envelope tracking)システムを調べています。マルチフェーズ方式バック・コンバータに高速eGaN FETを搭載するETソリューションを調べています。
http://www.edn.com/design/power-management/4422469/Enhancing-the-inefficiency-of-an-RF-power-amp--The-envelope-tracking--ET--system

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EPC、グローバルなGaNパワー・マネージメント製品の需要に対応:グローバルな配送に米Digi-Key社を活用へ

電子部品の選択、入手可能性、配送の業界のリーダーで、グローバルな電子部品の代理店である米Digi-Key社は本日、窒化ガリウム(GaN)のパワー・マネージメント(電源管理)製品を新たに在庫したと発表しました。Efficient Power Conversion(EPC)との排他的なグローバル販売契約の一部として、即時出荷が可能になります。詳細は http://www.digikey.com/us/en/press-release/epc-gan-global-distribution-agreement.htmlを参照してください。

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Efficient Power Conversion(EPC)、大電流用途向けに並列接続した100Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN) FETを紹介するための開発基板を発売

開発基板EPC9017は、電流特性と効率を向上させるために、最適なレイアウト技術を使った並列動作のeGaN FETを搭載しています。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年10月3日、eGaN FET利用の大電流、高降圧比の中間バス・コンバータ(IBC)用ハーフブリッジ開発基板「EPC9017」を発売しました。このアプリケーションでは、2つのローサイド(同期整流用)FETが並列接続されているので、1つのハイサイド(制御用)FETと比べて、はるかに長い期間、導通することができます。eGaN ... 続きを読む
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