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Efficient Power Conversion(EPC)、最大効率89%、10MHzで動作するeGaN®トランジスタ利用のDC-DCコンバータをGOMACTechで発表、厳しい環境条件でも動作

EPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、10MHz程度の高周波動作向けに設計し、新たに発表したエンハンスメント・モード(GaN®)HEMTトランジスタのファミリーの評価結果を発表します。このプレゼンテーションでは、これらのデバイスを高信頼性用途に対する理想的な選択にするための放射線被曝下の安定性にも焦点を当てます。 エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)・パワー・トランジスタの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年3月27日、4月3日に米国サウスカロライナ州チャールストンで開催される第39回の年次Government Microcircuit Applications and Critical Technology(GOMACTech)コンファレンスでプレゼンテーションを行います。 エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、2010年以来、 商用化 ... 続きを読む

PMBus、GaNなどがAPEC 2014で満開

APEC 2014が終わりました。今年、米テキサス州フォートワースで開催されたIEEEパワー・エレクトロニクス会議では、印象に残るものが多くありました。その1つは、窒化ガリウム(GaN)・パワー・トランジスタが、興味深い方法で発展していることです・・・。

Electronic Design誌
2014年3月
http://electronicdesign.com/blog/pmbus-gan-and-more-dominate-apec-2014

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Alex Lidow、米Electronic Design誌エディタのDon Tuite氏のインタビューを受ける

EPCのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidowは、EPCのeGaN FET向けの新奇なアプリケーションに関して、米Electronic Design誌エディタのDon Tuite氏のインタビューを受けました。

Electronic Design誌
2014年3月
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仏調査会社Yole:パワーがGaNオン・シリコン市場で優位を占める

フランスの調査会社Yole Dévelopmentは今週、報告書「LEDとパワー・エレクトロニクス向けGaNオン・シリコン基板技術」を発表しました。アナリストは、GaNオン・シリコン技術は、パワー・エレクトロニクスのアプリケーションに広く採用されるだろうと信じています。パワー・エレクトロニクス市場は、ACからDC、またはDCからACへの変換のようなアプリケーションに取り組みます。それは常に、より大きい電力と、より高い動作周波数で増加する実質的なエネルギー損失に関係しています。既存のシリコン・ベースの技術は、その限界に達しており、より高い要求を満たすのは難しいでしょう。

http://powerelectronicsworld.net/article/0/79693-yole-power-to-dominate-gan-on-silicon-market.html

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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)のエキスパート、アジアの主要なパワー業界の会議でワイヤレス・パワーのアプリケーションにおいて、どのようにしてeGaN FETが効率を20%向上させたかを実証

EPCのエキスパートは、アジアにおいて業界をリードする3つの会議でGaN FET技術の技術的プレゼンテーションを行います ―― Electronica China、IIC China Power Management、およびSemiconductor and International Workshop on Wide Band Gap Power Electronics 2014 in Taiwanの3つです。 エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)・パワー・トランジスタの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年3月12日、アジアにおける業界をリードする3つのパワー・コンファレンスでプレゼンテーションを行います。 3月18日の中国・上海の2つの会議で、EPCの技術のエキスパートは、窒化ガリウム(GaN)・パワー・デバイスが、どのようにして成熟したシリコン(Si)・パワーMOSFETの高効率な置き換えとして出現したか、について示します。具体的には、ワイヤレス・パワー伝送(WiPo)の用途でeGaN ... 続きを読む

Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、サブ・ナノ秒の遷移速度でスイッチングする開発基板を製品化、10MHz以上のハード・スイッチングの用途に最適

ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成の開発基板が、超高周波、高性能のeGaN® FETのEPC8000ファミリーの評価を単純化 ―― 今、EPCから製品化。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年3月11日、超高周波eGaNパワー・トランジスタの草分け的なEPC8000ファミリーの評価を単純化するために、開発基板のファミリー(「EPC9022」~「EPC9030」)を製品化しました。 高周波eGaN FETの EPC8000ファミリー は、スイッチング遷移速度がサブ・ナノ秒なので、10MHz以上のハード・スイッチング用途に最適です ―― ... 続きを読む

ブラシレスDCサーボ・モーターのパワー・インバータで使うシリコンFETと窒化ガリウムFETの比較

ドイツ航空宇宙センター(DLR)のThe Institute of Robotics and Mechatronicsは、センサーとパワー・エレクトロニクスの改良に非常に関心を持っており、EPCの新しいエンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術を評価するために、この新しいロボット開発の機会を利用しました。そして、これまでで最高の当社のインバータ設計でこれを比較します。

Bodo’s Power Systems
著者:Robin Gruber、ドイツ航空宇宙センター(DLR)
2014年3月

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