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ムーアの法則50年:その過去と未来

ムーアの法則50年:その過去と未来

「ムーアの法則は、新しい素材について何かにモーフィング(ある物体から別の物体へと自然に変形する映像をみせること)しています」と半導体業界に長く身を置き、Efficient Power Conversion(EPC)社のCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。EPC社は、電子のより良い導電体である窒化ガリウム(GaN)を、シリコンとの置き換えが可能なレベルにし、シリコンを上回る特性と電力効率のメリットを提供しています、とも語りました。GaNは、すでに電力変換と無線通信に使われており、いつかデジタル・チップへの道をたどることができます。「60年ぶりに初めて、小型化というよりも、優れた材料としての有力な候補になります」と語っています。

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米Network World誌
2015年4月17日

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ムーアの法則は死んだ。ムーアの法則よ永遠なれ。

ムーアの法則は死んだ。ムーアの法則よ永遠なれ。

ムーアの予測は、自己達成的予言となりました。チップの計算能力は、24カ月ごとに2倍になっただけでなく、24カ月ごとに2倍にならなければならなくなり、ハイテク産業、そして経済全体は、悲惨な結末に苦しみ、イノベーションと経済の発展を抑圧しています。

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米re/code誌
Alex Lidow
2015年4月17日

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アディオス、シリコン:エキゾチックな設計は、なぜ、あなたの携帯端末内のチップの未来なのですか

アディオス、シリコン:エキゾチックな設計は、なぜ、あなたの携帯端末内のチップの未来なのですか

チップの進歩は、次々と起こる技術革新の原動力となっています――パソコン、インターネット、スマートフォン、スマートウォッチ、そして、すぐに自動運転車。III-V族の材料に未来を賭けている1つの企業がEfficient Power Conversion社で、最高経営責任者(CEO)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)が率いる34人のスタートアップ企業です。EPC社は、すでに窒化ガリウム(GaN)で作ったIII-V族の層を組み込んだデバイスからの収益で安定に成長しています。2016年か2017年には、コンピュータ・プロセッサで思考を行う論理回路として動作するように、窒化ガリウムの製造プロセスを対応させようとしています。窒化ガリウムの電気的特性のため、従来のシリコンを超えて、「すぐに、何1000倍もの潜在的な改善を実現できます」とも語っています。

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米CNET.com誌
2015年4月17日

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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム・パワー・トランジスタのモノリシック・ハーフブリッジを発売、48 V入力、12 V出力のPOL(負荷点)コンバータで22 A出力のシステム効率97%以上

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム・パワー・トランジスタのモノリシック・ハーフブリッジを発売、48 V入力、12 V出力のPOL(負荷点)コンバータで22 A出力のシステム効率97%以上
この新しい耐圧100 VのハーフブリッジEPC2104によって、EPC2104を使う完全なバック(降圧型)・コンバータのシステム効率は、48 Vから12 Vに変換するときに、スイッチング周波数300 kHz、22 A出力で97%以上、500 kHz、22 Aで97%弱が得られます。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年4月16日、耐圧100 Vのエンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2104」を発売しました。2個のeGaN®パワーFETを単一のデバイスに集積することによって、相互接続インダクタンスとプリント回路基板上に必要になるスペースを削減できるので、トランジスタによって占有される基板面積を半分に減らすことができます。さらに、エンド・ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、(特により高い周波数において)効率を改善し、出力密度を高められます。 続きを読む

Efficient Power Conversion(EPC)、はんだボール・ピッチが広いeGaN FETを発売、小さな実装面積で大電流

Efficient Power Conversion(EPC)、はんだボール・ピッチが広いeGaN FETを発売、小さな実装面積で大電流

新しいGaNパワー・トランジスタEPC2029は、大量生産を容易にするために、より広いピッチのチップスケール・パッケージに封止した高性能な製品で、EPC社のパワー・トランジスタのポートフォリオを拡張します。成熟した製造プロセス、および組み立てラインとの互換性を重視しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年4月13日、より広いピッチの接続レイアウトで設計されたeGaN® FETを発売しました。「リラックス・ピッチ」・デバイスの新しいファミリーの最初の製品である「EPC2029」は、耐圧80 V、最大電流31 AのeGaN FETで、はんだボール・ピッチを1 mmに広げたことが特徴です。ピッチを広げたことによって、デバイスの下に、より大きな追加のビアを配置できるので、非常に小さい実装面積(2.6 mm×4.6 mm)にもかかわらず、大電流を処理することが可能になります。

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窒化ガリウム・チップがシリコン・チップを置き換える、EPC社のAlex Lidowが語る(オーディオ)

窒化ガリウム・チップがシリコン・チップを置き換える、EPC社のAlex Lidowが語る(オーディオ)

Alex Lidow(アレックス・リドウ)が、米ブルームバーグ・アドバンテージ・ポッドキャストのKathleen Hays氏とVonnie Quinn氏のインタビューを受けました。シリコンを超えるGaNの利点と、ムーアの法則がパワー半導体技術の世界では十分に健在であるという事実について議論しています。

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シリコンを押しのけ、窒化ガリウム・チップが引き継ぐ

シリコンを押しのけ、窒化ガリウム・チップが引き継ぐ

米VentureBeat誌のDean Takahashi氏がAlex Lidow(アレックス・リドウ)を紹介:シリコン・チップは、現代のエレクトロニクスの基盤として数10年の長きにわたって利用されています。しかし、化合物材料の窒化ガリウム(GaN)に基づく新しい種類のチップは、高性能、低消費電力、低コストなので、シリコンの座を奪うとみられています。

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米VentureBeat誌
2015年4月2日

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