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A級RFアンプ向けeGaN FET

EPCのeGaN® FETであるEPC8000シリーズのような高周波のエンハンスメント・モード・トランジスタは、2013年9月以来、広く利用されており、RF周波数での設計を単純化することができます。今回は、EPC8000シリーズのデバイスのRF特性を説明し、パルス化されたA級アンプへの実装を示します。RFデバイスの消費電力は一般的に、RF電力供給と同じ程度の電力なので、このアンプは、デバイスの熱的動作限界以下での動作を可能にするためにパルス化され、効率95%以上で十分な動作をするEPC8000シリーズのようなスイッチング素子とは異なります。EPC8000シリーズのFETは本来、スイッチングで電力変換する用途向けに設計されていますが、これとは別に、優れたRF特性を示し、結論では、同じような仕様のLDMOSと比較します。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年5月29日

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分類: 記事
タグ: RF特性

GaNの製造が、整備されたシリコン・サプライチェーンを活用

数1000億米ドルが、シリコン技術のサプライチェーンを信じられないほど効率的にするために費やされています。新たに出現した高性能GaNトランジスタは、シリコン・ベースの生産のこの巨大な整備された基盤に対して、いかに競合できるか。簡単です。GaNトランジスタの生産は、整備されたシリコン・サプライチェーンを活用できます! そして、著しくのGaNトランジスタのコストを下げられます。

米Power Systems Design誌
By Alex Lidow博士
2014年5月27日

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分類: 記事
タグ: GaN市場

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム・トランジスタを備えたハーフブリッジ・コンバータ構成の評価基板DrGaNPLUSを製品化、プラグ・アンド・プレイ対応で効率97%

DrGaNPLUS 評価基板のEPC9202は、100 V、10Aの基板で、高速スイッチングのeGaN®パワー・トランジスタを使って達成される電力変換のための超小型化と効率向上を実証します。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年5月22日、窒化ガリウム・トランジスタの比類のない特性を評価するパワー・システム設計者向けに使いやすさを提供する評価基板 DrGaNPLUS を製品化しました。これらの基板は、GaNトランジスタの電力変換ソリューションの優れた特性を実証するために容易に実装することができる極めて小さい単一プリント回路基板ベースのモジュールに、ハーフブリッジ回路に必要な部品をすべて統合したコンセプト実証設計です。 最初の DrGaNPLUS 基板であるEPC9202は、100 V、10Aのハーフブリッジ・パワー・コンバータで、「プラグ・アンド・プレイ」対応の評価基板です。設計者は、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの御利益が得られる高い性能を、迅速かつ簡単に評価することができます。例えば、この基板は、通信用途向けの一般的な電力変換であるVIN=48 V、VOUT=12 ... 続きを読む

IEEE Power Electronics Society(PELS)のウェビナ、「GaNトランジスタ:無線エネルギー伝送におけるシリコンを粉砕」

IEEE PELSが6月4日にウェビナ(webinar)を開催、Alex LidowとMichael de Rooijがワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化へのeGaN®パワー・トランジスの貢献を議論 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)の窒化ガリウム・トランジスタの設計と利用のエキスパートは、6月4日の午前10時30分~午前11時30分(東部夏時間)に、IEEE Power Electronics Society(PELS)が主催する1時間のウェビナを実施します。 このウェビナでは、eGaN FETが、E級、および、新奇な高効率電圧モードD級の回路構成を使う高共鳴無線エネルギー伝送において、MOSFETと比較されます。特性の比較は、負荷やコイル結合の変化に対する効率と感度に基づいて行われます。各回路構成は、実験的に、同じデバイス整流器で、同じ信号源とデバイス・コイルの組み合わせを用いてテストされています。実験装置は、6.78 MHz(ISM帯)において疎結合コイルで動作し、15 Wと30 Wとの間の電力を供給します。 講演者は、EPCのCEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex ... 続きを読む

電力変換:シリコンの道は行き止まり

シリコンは、電力変換特性の理論的限界に達しています。窒化ガリウム(GaN)や炭化シリコン(SiC)は、シリコン・パワーMOSFETの120億米ドル市場のほとんどを置き換えます。シリコンの理論的限界よりも5〜10倍優れている製品が今日、生産されています。

Bodo’s Power Systems誌
By Alex Lidow博士
2014年5月

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分類: 記事

EPC、2014年のPCIMヨーロッパ・コンファレンスで、包絡線追跡の電源、高効率ワイヤレス・パワー伝送、および高周波バック・コンバータ向けの窒化ガリウム(GaN)をプレゼンテーション

PCIMヨーロッパ・コンファレンスで、EPC社CEO(最高経営責任者)とアプリケーションのエキスパートは、さまざまな用途において、シリコン・パワーMOSFETと比べて、GaNトランジスタの優位性を実証するでしょう。 エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年5月9日、PCIMヨーロッパでアプリケーションに焦点を当てた3件の技術的プレゼンテーションを行います。このコンファレンスは、5月20日~22日にドイツのニュルンベルクで開催されます。 EPC社のセッションに出席する参加者は、包絡線追跡用の10MHzのバック・コンバータにおけるeGaN FETの可能性、ワイヤレス・パワー伝送において効率を20%改善するeGaN FET利用の新奇な構成方法、eGaNパワー・トランジスタの最適化された並列構成のレイアウトが480Wのコンバータで96.5%以上の効率を達成する方法についての講演を聞くことができます。 EPC社CEO(最高経営責任者)のAlex ... 続きを読む

D級およびE級のワイヤレス・パワー伝送システムにおけるエンハンスメント・モードGaNトランジスタの特性評価

無線エネルギー伝送の人気は、特に、携帯機器の充電を目的とする用途で、過去数年にわたって上昇してきています。この記事で、EPCは、免許不要のISM(Industrial、Scientific and Medical)帯の6.78MHzまたは13.56MHzで動作するA4WP規格に最適な疎結合コイルで高共鳴の無線ソリューションに焦点を当てます。

Bodo’s Power Systems誌
By Alex Lidow博士、Michael De Rooij博士
2014年5月

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分類: 記事
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