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Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN FET搭載の効率96%、1 MHzのバック・コンバータのデモ・ボードを製品化

EPC9107は、高周波スイッチング用eGaNパワー・トランジスタを使って構成した電力変換において、サイズの削減と効率の向上を実現します。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年6月19日、完全な機能を備えたバック(降圧)型電力変換のデモ回路「EPC9107」を製品化しました。この基板は、9 V~28 Vの範囲の入力を3.3 Vに変換し、最大出力電流15 A、1 MHz動作のバック・コンバータです。米テキサス・インスツルメンツ社の耐圧100 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバEPC2015と連携するeGaN FET(LM5113)を使っています。このeGaN専用ドライバと組み合わせたとき、EPC9107は、高周波スイッチング用eGaN FETによるサイズの削減と特性の実力を実証します。 デモ・ボードEPC9107は、面積が3インチ(1インチは2.54cm)角で、最適化された制御ループを備えた完全な閉ループのバック・コンバータが搭載されています。eGaN FET、ドライバ、コイル、入/出力コンデンサを含む完全なパワー段は、eGaNドライバLM5113と共にeGaN ... 続きを読む

GaNパワー・デバイスが生産段階に移行

窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・デバイスは、利用される中で成長する大きな可能性を秘めているので、この市場機会は、より多くの新規サプライヤを魅了し続けています。この結果として、GaN技術ベースのパワー・デバイスのメーカーのリストは、着実に拡大しています。

米How2Power誌
2013年6月

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パッケージ不要のHEMTで高効率電力変換を実現

パッケージには、欠点があります。すなわち、抵抗やインダクタンスが余分に増えることによって、特性を劣化させると同時に、実装面積を大きくし、パワーMOSFETの価格を上昇させます。GaN HEMTにおける最善の解決策は、現在主流のシリコンとのコスト競争を可能にする1つのステップとしてパッケージを捨てることだ、とEfficient Power Conversion CorporationのAlex Lidow(アレックス・リドウ)は主張しています。

米Compound Semiconductor誌
2013年6月

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Efficient Power Conversion(EPC)のCEO、米eeWeb.com誌に毎月連載へ、窒化ガリウム技術のコラムに

Alex Lidow(アレックス・リドウ)は、電力の変換や管理への応用など、窒化ガリウム(GaN)技術に関連するさまざまな技術的課題への対処を「GaNの利用法」というタイトルで米eeWeb.com誌のコラムに毎月連載します。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年6月4日、6月初めから、EPC社の共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)が、電気エンジニアのための主要なオンライン・ウエブサイトである米eeWeb.com誌のコラムに毎月連載します。 コラム「GaNの利用法」は、ガリウム技術の基本原則に関する説明に始まり、次いで、パワー・コンバータ、包絡線追跡、ワイヤレス・パワー伝送のための回路に、この高周波スイッチング技術を応用する方法に焦点を当てます。 eeWeb.com誌の共同創立者でCEOのCody ... 続きを読む

新しいシリコン:なぜ窒化ガリウムが、未来のパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスになるのか、EPC社CEOが語る

米EEWeb Pulse誌の特別インタビューにEPC社CEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)が登場し、GaNデバイスの幅広い採用に貢献するために越えなければならないステップは何かについて議論します。

米EEWeb Pulse誌
2013年6月

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GaNの利用法:窒化ガリウム(GaN)トランジスタ技術の紹介

EPC社CEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)による新たな毎月のコラムの第1回は、GaNオン・シリコンのパワー・デバイスが成熟したパワーMOSFETの優れた代替品になることができるという考察が紹介されます。

米EEWeb.com誌
By: Alex Lidow
2013年6月

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分類: 記事

eGaN FET対シリコンのパワー決戦Volume 14、パート1:eGaN FETの小信号RF特性

eGaN FETは、パワー・スイッチング・デバイスとして設計され、最適化されましたが、良好なRF特性も備えています。この記事は、RF特性に対する2回シリーズの第1弾で、周波数範囲200 MHz~2.5 GHzのRF特性に焦点を当てています。

著者:Michael de Rooij博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ
Johan Strydom博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門バイス・プレジデント
Matthew Meiller、米Peak Gain Wireless社の社長

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