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IEEE Power Electronics Society(PELS)のウェビナ、「包絡線追跡バック・コンバータに窒化ガリウム(GaN)FETを使う」

9月3日のIEEE PELSで、Johan Strydom博士は、包絡線追跡の用途で要求されるシステム帯域幅の要件を満たすために、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの寄与について議論するウェビナを実施します。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年8月21日、包絡線追跡のパワー回路設計への窒化ガリウム・トランジスタの応用を担当するEPC社の専門家が、IEEE Power Electronics Society(PELS)が主催する9月3日の1時間(午前11:00~12:00(EDT))のウェビナを実施すると発表しました。 ディスクリートのGaNパワー・デバイスは、MOSFETよりも優れたハード・スイッチング特性を実現できるので、包絡線追跡向けのスイッチング・コンバータの開発のために重要です。このセミナーでは、高周波のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタ・オン・シリコン(eGaN® ... 続きを読む

WiGaN:高周波でのハード・スイッチング・コンバータ用eGaN FET

この記事では、10 MHzでスイッチングするハード・スイッチングのバック(降圧型)・コンバータの結果を示し、コンバータの損失の内訳を説明します。eGaN® FETを使って、現在利用可能な並ぶもののない高周波特性を実証し、より高いスイッチング周波数へ押し上げるための現在の制約にも焦点を当てます。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年8月

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分類: 記事

Efficient Power Conversion(EPC)のエキスパート、中国で開催されるパワー業界の主要な会議において、新世代eGaN FETでベンチマークとなる性能を発表

EPC、中国で開催される業界をリードする2つの会議 ―― the 3rd Wireless Power World 2014とIIC China Power Management and Power Semiconductorで最新世代のeGaN技術を発表 シリコン上のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)パワー・トランジスタの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年8月13日、中国で開催される業界の2つの会議で、アプリケーションに焦点を当てたプレゼンテーションを行います。 The 3rd Wireless Power World 2014、中国の上海 EPCのエキスパートは、低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンス、小型といったeGaN® FETの特性がいかに優れているかを示し、高共鳴でRezence(A4WP)準拠のワイヤレス・パワー伝送システムの効率を高めるために最適であることを紹介します。MOSFETを使って設計したアンプと、eGaN FETのそれとの比較では、同等のピーク電力、負荷変動、および負荷の安定化特性について試験します。 eGaN® ... 続きを読む
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