ニュース

新製品発表、アプリケーション関連情報など、EPCからの最新ニュースと最新情報を得るために、今、登録してください。 EPCからの電子メール配信に登録する か、22828に「EPC」とテクスティングしてください

Efficient Power Conversion(EPC)、市場をリードするeGaN FETが中国Electronic Products China誌のトップ10パワー製品賞を受賞

Efficient Power Conversion(EPC)の市場をリードするeGaN® FETが中国Electronic Products China誌のトップ10パワー製品賞を受賞

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation)は2012年9月19日、当社のデモ・ボードEPC9102が中国Electronic Products China誌のトップ10 パワー製品賞であるTechnology Breakthrough賞を受賞したと発表しました。

続きを読む

eGaN FETの安全動作領域

この記事では、eGaN FETの高い電子密度と非常に低い温度係数が、今日の高性能アプリケーションに必要とされるパワーMOSFETを超える主な優位性となることを示します。高電子密度が優れたオン抵抗RDS(ON)につながり、正の温度係数がチップ内のホット・スポットの発生を抑制し、この結果、優れた安全動作領域(SOA)特性が得られます。

By Yanping Ma博士、EPC社、品質部門のディレクタ
Bodo's Power Systems誌

記事を読む

続きを読む
分類: 記事

Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN FETが優れた安全動作領域機能を実現したと発表

eGaN FETは、全動作範囲にわたって正の温度係数を示し、シリコンMOSFETの性能限界を超えます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation)は2012年9月3日、eGaN FETの製品ライン全体で安全動作領域(SOA)データを公開したと発表しました。事実上、全動作範囲にわたって正の温度係数なので、平均デバイス温度によってのみ制限された正方形のSOAが得られます。

続きを読む

eGaN® FET-Silicon Power Shoot-Out Part 10: High Frequency Resonant Converters

The advantages provided by eGaN FETs in hard switching isolated and non-isolated applications have been addressed previously. Here, we demonstrate the ability of the eGaN FET to improve efficiency and output power density in a soft switching application, compared to what is achievable with existing power MOSFET devices. By David Reusch, Ph.D., Director of Applications, EPC Power Electronics Technology Read the article 続きを読む
分類: 記事
RSS