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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、数GHz帯で増幅可能な窒化ガリウム・トランジスタ・ファミリーの製品を拡大、パワー・トランジスタとRFトランジスタの間の境界をあいまいに

パワー・システムやRFの設計者は今、低いGHz帯で増幅可能な高性能GaNパワー・トランジスタを利用できるようになったので、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。 エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)・パワーFETの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2013年9月26日、高速、高性能トランジスタのEPC8000ファミリーの製品を拡大しました。 パワー・トランジスタの新天地を切り開くこれらの第3世代デバイスは、スイッチング遷移速度がサブナノ秒程度なので、10MHz以上のハード・スイッチングの用途で使うことができます。たとえ10MHz以上で設計されたとしても、これらの製品は、低いGHz帯において十分高い利得が得られ、非常に優れた小信号RF特性を示すため、RF用途で競争力の高い選択肢になり得ます。 「当社のeGaN ... 続きを読む

パワー・エレクトロニクス用途におけるGaN

バンド・ギャップ材料のGaNとSiCは、世界的な大きなうねりを起こしています。勢いよく成長すると予想されるパワー・エレクトロニクス用途で使われるGaNデバイスの需要。

http://www.compoundsemiconductor.net/csc/news-details/id/19736817/name/GaN-in-power-electronics-application.html

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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、150Vのパワー・トランジスタを製品化、eGaN FETファミリーを拡張

窒化ガリウム・パワー・トランジスタのEPC2018は、DC-DC電力変換やD級オーディオの用途で並外れた特性の高速スイッチングを実現します。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年9月18日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタのファミリーに、新しい製品「EPC2018」を追加しました。 EPC2018は、ゲート駆動電圧5Vでの最大オン抵抗RDS(on)が25mΩ、面積5.76 mm2、耐圧VDSが150V、最大ドレイン電流IDが12Aのデバイスです。このGaNパワー・トランジスタは、超高速なスイッチング周波数、非常に低いRDS(on)、並外れて低いQGによって高性能を提供でき、さらに、非常に小さなパッケージに収めました。 同等のオン抵抗を備えた最先端技術のシリコン・パワーMOSFETと比べて、EPC2018は、非常に小さく、スイッチング特性は何倍も優れています。eGaN ... 続きを読む

Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、eGaN FETファミリーを拡張し、100V、16mΩのパワー・トランジスタを発売

窒化ガリウム・パワー・トランジスタのEPC2016は、DC-DC電力変換において、比類のない特性で高周波スイッチングを実現できます。 エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年9月12日、エンハンスメント・モード窒化ガリウムのパワー・トランジスタのファミリーに、新たに「EPC2016」を加え、製品化しました。 EPC2016は、ゲート駆動電圧5Vでの最大オン抵抗RDS(on)が16mΩ、面積3.36 mm2、耐圧VDSが100V、最大ドレイン電流IDが11Aのデバイスです。このGaNパワー・トランジスタは、超高速なスイッチング周波数、非常に低いRDS(on)、並外れて低いQGによって高性能を提供でき、さらに、非常に小さなパッケージに収めました。 同等のオン抵抗を備えた最先端のシリコン・パワーMOSFETと比べて、EPC2016は、はるかに小型で、スイッチング特性は何倍も優れています。eGaN FETのこの特性が貢献する用途には、高速DC-DC電源、POL(負荷点)コンバータ、D級オーディオ・アンプ、高周波回路などがあります。 「EPC2016は、当社の既存のeGaN ... 続きを読む
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