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GaNの利用法:高性能D級オーディオ・アンプにおけるeGaN® FET

分類: 記事

THD(全高調波歪み)、ダンピング・ファクタ(DF)、T-IMD(相互変調歪み)のような重要な特性パラメータで測定されたオーディオ・アンプによって再生された音の質は、使われたスイッチング・トランジスタの特性によって影響を受けています。D級オーディオ・アンプには、通常はパワーMOSFETを使いますが、エンハンスメント・モードGaN(eGaN)FETによって提供される、より低い導通損失、より速いスイッチング速度、および逆回復損失がないことは、音質の著しい向上、およびヒートシンク(冷却器)を不要にできる高い効率を可能にします。この結果、低コストで構築することができる小さな筐体で、より良い音質のシステムになります。

EEWeb
Alex Lidow
2014年2月