ニュース

新製品発表、アプリケーション関連情報など、EPCからの最新ニュースと最新情報を得るために、今、登録してください。 EPCからの電子メール配信に登録する か、22828に「EPC」とテクスティングしてください

Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、大電流、高降圧比のバック・コンバータ向け開発基板を製品化

開発基板EPC9016は、40V、33Aのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)FETの並列動作が特徴で、電流供給能力を67%増やし、最適レイアウト技術が効率を最大化します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年4月17日、eGaN FETを使う大電流、高降圧比のバック型中間バス・コンバータ(IBC)向けにハーフブリッジ構成の開発基板「EPC9016」を製品化しました。この用途では、1個のハイサイド(制御)用電界効果トランジスタ(FET)と比べて、並列接続された2個のローサイド(同期整流)用FETが、はるかに長い期間導通します。

eGaN FETは、シリコンMOSFETと比べて、電流分割能力が優れているので、並列動作に理想的です。この開発基板は、極めて低いインダクタンスのパッケージに基づいた最適なレイアウトに関するEPCの開発を拡張したものです。ここで使った 最適レイアウト 技術は、電圧のオーバーシュートやEMI(電磁干渉)雑音を低減すると同時に、効率を高めます。

開発基板EPC9016は、耐圧40V、最大出力電流33Aのハーフブリッジ構成のeGaN FET(EPC2015)を、ゲート駆動ICのLM5113と共に搭載しています。このハーフブリッジ構成は、1個のハイサイド・デバイスと並列接続した2個のローサイド・デバイスを備え、非絶縁型の通信インフラ向けのPOL(負荷点)コンバータやバック・コンバータなどの高降圧比のバック・コンバータに最適です。

開発基板は、面積2インチ×1.5インチで、最適なスイッチング特性を得るために、すべての重要な部品を搭載し、最適にレイアウトしてあります。波形測定や効率計算を簡単にできるように、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。

開発基板EPC9016には、参照および取り扱いのためのクイック・スタート・ガイド( http://epc-co.com/epc/jp/製品/デモ・ボード/EPC9016.aspx)が含まれています。

開発基板EPC9016の単価は、130米ドルです(米国での参考価格)。Digi-Key社のウエブ(http://www.digikey.com/suppliers/us/efficient-power-conversion.page?&lang=en)で購入でき、即時に配送されます。

eGaN FETの設計情報とサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

電子メールでEPCの最新情報を受け取るための登録: http://bit.ly/EPCupdates で、または22828に「EPC」とテキスティング。
http://twitter.com/#!/EPC_CORPのTwitter、および、http://www.facebook.com/EPC.CorporationのFacebookでEPCを紹介しています。

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 joe.engl