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Efficient Power Conversion(EPC)、「すぐに入手可能」な高性能窒化ガリウム・パワー・トランジスタで、成熟したパワーMOSFETとの特性の差を拡大

eGaN® パワー・トランジスタは、電力変換特性の水準を高くし続けています。低オン抵抗(内部抵抗)、低容量、大電流、および優れた熱特性が、効率98%以上の電力変換を可能にします。

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エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年7月8日、新しい世代のパワー・トランジスタ6品種と、これらに対応する開発基板を発売しました。これらのパワー・トランジスタは、耐圧が30 V~200 Vの範囲で、オン抵抗(内部抵抗)を非常に低減しているので、大電力密度のDC-DCコンバータ、POL(負荷点)コンバータ、DC- DCおよびAC- DCコンバータの同期整流、モーター駆動、LED(発光ダイオード)照明、産業用オートメーションなどの用途で出力電流能力を大きく増加させることができます。

新しいeGaN FET製品と用意した開発基板

EPC社の型番 耐圧 オン抵抗の最大値
(ゲート-ソース間電圧
VGS = 5 V)
パルスのピーク・ドレイン
電流 ID(最大値、25°C,
Tpulse = 300 µs)
最大接合部
温度
ハーフブリッジ構成の開発基板
          標準 低デューティ比
EPC2023 30 V 1.3 mΩ 590 A 150°C EPC9031 EPC9018
EPC2024 40 V 1.5 mΩ 550 A 150°C