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Efficient Power Conversion(EPC)のエキスパート、中国で開催されるパワー業界の主要な会議において、新世代eGaN FETでベンチマークとなる性能を発表

EPC、中国で開催される業界をリードする2つの会議 ―― the 3rd Wireless Power World 2014とIIC China Power Management and Power Semiconductorで最新世代のeGaN技術を発表

シリコン上のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)パワー・トランジスタの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年8月13日、中国で開催される業界の2つの会議で、アプリケーションに焦点を当てたプレゼンテーションを行います。

  • The 3rd Wireless Power World 2014、中国の上海
    EPCのエキスパートは、低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンス、小型といったeGaN® FETの特性がいかに優れているかを示し、高共鳴でRezence(A4WP)準拠のワイヤレス・パワー伝送システムの効率を高めるために最適であることを紹介します。MOSFETを使って設計したアンプと、eGaN FETのそれとの比較では、同等のピーク電力、負荷変動、および負荷の安定化特性について試験します。
  • The IIC China Power Management and Power Semiconductor Conference、中国の深圳
    最新世代のeGaN FETは、電力変換特性の水準を引き上げます。eGaN FETの新しいファミリー(第4世代)は、スイッチングの重要な性能指数(FOM:figure of merit)が大幅に向上し、成熟したパワーMOSFETとの特性の差を広げます。この応用例は、効率93.5%が得られる入力12 Vから1.2V、50 A出力へのPOL(負荷点)コンバータと、98%以上の効率が得られる入力48Vから12V、30 A出力への非絶縁型DC-DC中間バス・コンバータです。
    • 第4世代eGaN技術
      講演者:Peter Cheng、アジア太平洋地域のフィールド・アプリケーション部門ディレクタ
      日時:9月4日(木) 午後3時40分~4時20分

Wireless Power World 2014について

ウエブ(http://www.wirelesspower-world.com/meeting/Sponsors/index.html)を参照してください。

IIC Chinaについて

ウエブ(http://www.english.iic-china.com/)を参照してください。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]