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IEEE Power Electronics Society(PELS)のウェビナ、「包絡線追跡バック・コンバータに窒化ガリウム(GaN)FETを使う」

9月3日のIEEE PELSで、Johan Strydom博士は、包絡線追跡の用途で要求されるシステム帯域幅の要件を満たすために、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの寄与について議論するウェビナを実施します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年8月21日、包絡線追跡のパワー回路設計への窒化ガリウム・トランジスタの応用を担当するEPC社の専門家が、IEEE Power Electronics Society(PELS)が主催する9月3日の1時間(午前11:00~12:00(EDT))のウェビナを実施すると発表しました。

ディスクリートのGaNパワー・デバイスは、MOSFETよりも優れたハード・スイッチング特性を実現できるので、包絡線追跡向けのスイッチング・コンバータの開発のために重要です。このセミナーでは、高周波のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタ・オン・シリコン(eGaN® FET)の最新ファミリーが、いくつかのマルチメガヘルツのバック(降圧型)・コンバータの中で示されます。システム・レベルの異なる寄生成分が議論され、実験結果に基づいて、その影響が評価されます。

この講演者は、EPC社アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデントのJohan Strydomです。Strydom博士は、窒化ガリウム・トランジスタの設計と応用に関する最初のテキスト「GaN Transistors for Efficient Power Conversion」を共同執筆するなど、業界で広く知られています。

ウェビナ登録情報:

タイトル:包絡線追跡バック・コンバータに窒化ガリウム(GaN)FETを使う
日付:2014年9月3日(水)
時間:午前11:00~午前12:00(EDT)
登録:http://www.ieee-pels.org/products/pels-upcoming-webinars/2483-ieee-pels-webinar-series-using-egan-fets-for-envelope-tracking-buck-converters-by-johan-strydom
参加費:無料

IEEE Power Electronics Society(PELS)について

Institute of Electrical and Electronics Engineers(IEEE)の最も成長している技術分科会の1つです。20年以上にわたって、PELSがパワー・エレクトロニクス技術の発展と革新を推進し主導しています。この技術には、電子部品の有効利用、回路理論と設計技術の応用、および、電力の効率的な変換、制御、条件に向けた分析ツールの開発などが含まれます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]