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GaNの利用法:電気的特性と熱特性を改善する

分類: 記事

「GaNの利用法」シリーズのこの回では、48 V入力のアプリケーションにおける第4世代eGaN FETについて議論し、チップスケール・パッケージ封止の高耐圧の横型eGaN FETの熱特性を評価します。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年12月