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Efficient Power Conversion(EPC)、パワー・エレクトロニクスの国際会議2015 APECにおいて、500 Wで高電力密度のGaNベースの1/8ブリックDC-DCコンバータを展示

Efficient Power Conversion(EPC)、パワー・エレクトロニクスの国際会議2015 APECにおいて、500 Wで高電力密度のGaNベースの1/8ブリックDC-DCコンバータを展示

パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC(Applied Power Electronics and Exposition Conference)2015において、EPC社のアプリケーションのエキスパートは、シリコン・パワーMOSFETに比べたときのGaNトランジスタの優位性を示すGaN FETの技術とアプリケーションに関して8件の技術的なプレゼンテーションを行います。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)のパワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年2月19日、APEC® 2015で、GaN技術の最新のパワー・トランジスタを展示し、アプリケーションに焦点を当てた8件の技術的なプレゼンテーションを行います。この会議は、3月15日~19日に、米国ノースカロライナ州シャーロットで開催されます。

EPC社の窒化ガリウム・アプリケーションのエキスパートと技術営業スタッフは、EPC社のブース(番号1405)で、eGaNパワー・トランジスタのデモを行います。ブースで紹介する内容は、A4WP準拠で6.78 MHzのワイヤレス・パワー用アンプのデモ、500 Wの高電力密度の1/8ブリックDC-DCコンバータ、GaNのモノリシック・ハーフブリッジ・デバイスなどの最新のeGaN製品やデモ・ボードです。EPC社は、ワイヤレス・パワー用アンプの設計のための業界初のハンドブックも紹介します。このハンドブックは、GaN技術のテキストのEPC社ライブラリの最新版です。

APECのApplied Power Electronics のプレミア・イベントは、パワー・エレクトロニクス・ビジネスの実践的、かつ応用に焦点を当てています。これは、パワー・エレクトロニクスのすべての種類の部品や機器の利用、設計、製造、マーケティングといった広範囲のトピックに対処するパワー・エレクトロニクスの専門家を対象とする主要な会議です。APECの詳細については、http://www.apec-conf.org/をご覧ください。

EPC社のエキスパートによるGaN FET関連の技術プレゼンテーション:

  • 「低耐圧GaN:初期のアプリケーションへの採用と信頼性達成状況のディスカッション」
    講演者:Alex Lidow
    講演日:3月17日(火)(8:30am~11:55am、IS01:パワー半導体の最新の進捗状況、あまり先入観を持たないディスカッション)
  • 電力の無線伝送:事実とフィクション
    講演者:Michael de Rooij
    講演日:2015年3月17日(火)(17:00~18:30、ラップ・セッション#1)
  • パワー・エレクトロニクスにおけるワイド・バンドギャップ半導体デバイス:誰が、何を、どこで、いつ、なぜ
    講演者: Alex Lidow
    講演日:2015年3月17日(火)(17:00~18:30、ラップ・セッション#2)
  • 高効率電力変換用GaNトランジスタ
    講演者:Alex Lidow
    講演日:3月18日(水)(10:30~11:00、出展者セミナー#5、部屋番号217A)
  • 「大電流、高周波のアプリケーション向けに、窒化ガリウム・トランジスタを効率的に並列接続」
    講演者:David Reusch
    講演日:3月18日(水)(2:00pm~5:30pm、1283:Semiconductor Devices、Track:Devices and Component)
  • 「エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタの信頼性」
    講演者:Alex Lidow
    講演日:3月19日(木)(8:30am~11:30am、1123:Semiconductor Devices、Track:Devices and Component)
  • 「高効率、高周波DC-DCコンバータ用GaNトランジスタの新しいファミリー」
    講演者:David Reusch
    講演日:3月19日(木)(11:30am~2:00pm、1293:Wide Band Gap Devices)
  • 「ZVSの電圧モードD級アンプ、高共鳴無線エネルギー伝送向けのeGaN FET対応の回路構成」
    講演日:3月19日(木)(2:00pm~5:30pm、1034:Semiconductor Devices、Track:Devices and Components)

イベント中に、EPC社のアプリケーションのエキスパートとのミーティングに興味がある参加者は、EPC社ブース内における打ち合わせ、または当社の顧客スイートのプライベート・ミーティングのスケジュールを特別に設定できますので、http://epc-co.com/epc/Contact/RequestMeeting.aspxにリクエストしてください。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関