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米IDT社とEPC社、窒化ガリウムとシリコンの統合で協業、より高速・高効率の半導体デバイスへ

米IDT社とEPC社、窒化ガリウムとシリコンの統合で協業、より高速・高効率の半導体デバイスへ
画像:米ビジネスワイヤ社

米Integrated Device Technology(IDT®)社(NASDAQ:IDTI)は本日、高速、高効率で広く知られている半導体材料である窒化ガリウム(GaN)に基づく技術を開発するために、Efficient Power Conversion(EPC)社との協業を発表しました。この協業の下で、両社は、業界をリードするIDT社のソリューションとEPC社のeGaN®技術の統合について検討します。

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